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371.
水泵内部流动实质上是复杂的三维非稳定流动 ,它对水泵性能及结构振动有重要影响。本文介绍了一种求解这种复杂内流动的数值方法。三维雷诺数平均的纳维斯托克斯方程 ( 3-DReynolds-averaged Navier-Stokes,RANS)以及标准 k-ε的方程用于描述水泵内非定常紊流流场。系统特性方程与水泵的 CFD模型相结合以考虑流体在管道中的加速 ;采用任意滑移网格界面模拟叶轮和静止部件之间的相互干涉 ;将整个叶轮作为分析对象 ,以考虑失速情况下流动的周向非对称。这些技术的结合包括了水泵内非稳定流动的物理实质。一台实验数据比较齐全的离心式 -扩压器水泵被用于验证所提出的数值方法  相似文献   
372.
钛及钛合金阳极氧化   总被引:8,自引:0,他引:8  
钛及钛合金氧化膜的厚度、颜色因氧化溶液成份及工艺条件的不同而有所差异,可根据钛及钛合金零件的使用需要进行选择。  相似文献   
373.
AutoCAD是机械设计人员最常用的绘图工具,功能非常强大,但常因缺乏常用结构图形库而影响绘图效率,为此,论文提出在AutoCAD环境下采用AutoCAD VBA方式对机械图形中的常用结构进行参数化设计的解决方案.由于常用结构的开发方式类似,便以轴类零件中键槽结构的主视图和剖面图为例,讲述了Access数据库的构建方法、利用ADO方式来开发数据库的过程和编程实现最终图形的过程.  相似文献   
374.
高速磨削技术的发展趋势及其相关技术   总被引:3,自引:0,他引:3  
回顾了国内外高速磨削技术的发展过程,从高速磨削机理,高速磨削速度及其高速磨削相关技术等方面介绍国外的发展水平和先进成果,预测了今后国外高速磨削研究的发展趋势,并从高速度磨床的一些技术特征和参数,以及人们对高速磨削的认识等方面分析和评价了我国在推广和应用高速磨削中尚存的差距,可为进一步深入研究提供参考.  相似文献   
375.
结合航空学院自选课题《科研管理网络系统设计开发》的实践应用,对当前办公自动化和网络化技术在科技管理工作中的应用提出了一些实用性建议和思考,对一些工作中的实际性问题做了深入剖析,结合网络化办公的实际应用对今后的办公自动化和网络化发展方向做了展望。  相似文献   
376.
粘性气体中粘性液体射流分裂与雾化机理研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用线性稳定性分析的方法对粘性气体中的粘性液体射流的分裂与雾化机理进行了分析,数值计算表明:液体射流分裂与雾化过程中存在一临界气体韦伯数We2c=1,We2<We2c对应的是射流分裂过程,We2>We2c对应的是射流雾化过程,射流分裂过程和雾化过程的机理有所不同.当We2<1时,We2对射流分裂过程具有稳定性的作用;当We2>1时,We2对射流雾化过程起着不稳定性的作用.液体Reynolds数Re1在整个射流过程中始终起着不稳定性的作用,气体Reynolds数Re2的作用却相反.气液密度比Q,即气动力在整个射流分裂与雾化过程中始终起着不稳定性的作用.  相似文献   
377.
已有人利用上下解方法讨论过非线性n阶常微分方程两点边值问题解的存在性,而边值问题是否存在上下解是很难判别的,在文中,用初等方法讨论了两类n阶非线性方程满足两点边界条件的边值问题解的存在性、唯一性,并对解的存在性唯一性区间进行了估计。  相似文献   
378.
在各级学校开展五人制足球势在必行   总被引:17,自引:1,他引:17  
通过比较与分析研究,在各级学校开展五人制足球赛,有利于推动全民健身运动,促进学校足球运动的开展与提高,缓解学校体育活动场所供需矛盾,从而推动我国足球运动的发展与普及。  相似文献   
379.
月球着陆器用金属橡胶高低温力学性能试验研究   总被引:9,自引:2,他引:9  
金属橡胶作为一种有弹性的阻尼元件首次用在月球着陆器原理样机中。采用Э 71型低温万能拉伸实验机对圆环状金属橡胶试件进行了月球温度范围内的准静态刚度实验,得出了力 位移实验曲线。采用最小二乘法对试验曲线进行了数据拟合,用Matlab编程计算得出了金属橡胶试件力 位移回归方程。采用自由衰减法和冲击实验法分别对金属橡胶试件高、低温阻尼比和动力学特性进行了测试,最后得出了金属橡胶适合于用做月球着陆器中缓冲元件的结论。  相似文献   
380.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。  相似文献   
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