高能电子辐照下介质-导体相间结构深层充电特性研究

为研究影响介质-导体相间结构深层充电特性的内在因素,设计了不同构型的试验样品,利用90Sr放射源模拟空间高能电子环境对样品进行深层充电辐照试验,测量了充电电位的差异。并借助深层充电三维仿真软件计算介质-导体相间结构在不同几何构型情况下的深层充电电位、电场分布。试验和仿真结果表明,介质最高表面电位以及介质内部最大电场均与介质宽度和高度呈正相关。其他条件不变时,介质越宽,或越高于导体表面,发生放电的风险就越高。在介质与导体侧面存在微小缝隙情况下,介质内最大电场显著增强,易发生内部击穿。而在介质与导体之间的真空间隙内,电场很容易超过击穿阈值,放电风险很大。航天工程应用中为降低此种结构深层充放电的风险,在满足绝缘性能及其他要求的前提下应尽量减小介质的宽度,降低介质与导体间的高度差,并确保介质与导体侧面接触良好。     

真空电子辐照对碳纤维/ 氰酸酯复合材料的影响

利用空间带电粒子模拟设备模拟真空电子辐照环境,研究真空电子辐照条件下碳纤维/氰酸酯复合材料层间剪切强度和质量损失率变化规律,并利用XPS和SEM对辐照前后复合材料表面性质和断口形貌进行分析和表征。结果表明:150 keV真空电子辐照作用对碳纤维/氰酸酯复合材料表面影响较大,随着真空电子辐照注量增加复合材料质量损失率先快速增加后趋于平缓,而层间剪切强度先增加后略有降低。     

HTPB推进剂湿热老化规律及损伤模式实验

通过HTPB推进剂湿热老化实验,采用测定单轴定速拉伸条件下标准哑铃形试件声发射(AE)信号的方法,结合扫描电镜(SEM)断面观察结果,对HTPB推进剂的湿热老化规律和损伤模式进行了研究,给出了一个描述湿热老化性能变化规律的三阶段模型。实验研究表明:声发射信号累积计数对时间的导数的大小对应基体开裂、脱湿和宏观断裂三种损伤模式;同时水份破坏粘合剂和氧化剂的界面是导致脱湿关键因素,且水份在推进剂中的浓度与脱湿严重程度呈正相关。     

单晶合金蠕变性能影响因素分析

通过分析热处理工艺、元素含量、晶体取向性以及温度和应力对蠕变性能的影响,得出任何1种影响合金蠕变性能的因素其实质都是改变了合金的微观组织,并最终反映到γ′筏形的完善程度S、终端密度TD和线性密度LD上。S值越接近1,γ′筏形的完善程度越好,蠕变寿命就越长;而TD和LD值越大,微观组织图内筏形交叉和中断的数目就越多,蠕变寿命就越短。     

基体含量对复合材料结构稳定性的影响

基体含量影响着复合材料结构的性能,针对复合材料结构的稳定性设计,基于复合材料细观力学以及经典层合理论,分析复合材料层合板中的基体含量对于其材料性能,尤其是稳定性的影响.通过计算得出:随着基体含量的增加,材料的性能略有下降,但是由于基体含量增大而导致的单层板厚度增加,使得层合板的稳定性大幅提高.因此,在复合材料结构的稳定性设计中,应该考虑基体含量的影响.     

微工程与惯性测量组件微型化发展研究

介绍了基于纳米技术的微工程领域的研究和发展情况,阐述了FPGA、ASIC、ASIS等典型集成逻辑器件设计技术和基于协同仿真、验证设计环境(CVE)进行虚拟样机设计开发的设计理念,介绍了MEMS的基础理论研究,总结了MEMS的技术特点和惯性测量组件微型化的发展趋势和优势.     

氢对TC4钛合金电子束焊接头疲劳裂纹扩展速率的影响

采用充氢CT试样对TC4钛合金电子束焊接头的室温疲劳裂纹扩展速率进行了测定,并对试样断口和接头各区显微组织进行了观察.试验结果表明:充氢母材试样在低速扩展区和失稳扩展区的da/dN相对于未充氢试样有明显的提高,但不同氢含量之间差别不大,在稳态扩展区(Paris区),氢对da/dN的影响很小.充氢焊缝试样在整个裂纹扩展过...     

埋入式进气道设计

提出了将埋入式进气道分为导流段与管道两部分的设计方案,并对此进气道进行了低速Ｍａ＝０．３７和高速Ｍａ＝０．７０的风洞试验,结果表明：新的设计方案能提高埋入式进气道的性能,使其σ≥０．９４,Δσ＜０．０１。     

利用节流网扩大飞行台试验包线

本文提出了在被试发动机前安装节流网扩大发动机飞行台试验范围的一种方案,给出了相应的节流网设计、计算方法,得到了扩大的飞行试验包线。利用气流流过某型飞机进气道防尘网的总压损失数据,对节流网计算方法的准确性进行了论证。     

模型烧蚀对尾迹电子特性影响的计算和实验研究

 基于气动物理研究的需要，针对高焓风洞的来流特点，采用计算和实验相结合的方法研究聚丙烯烧蚀对尾迹电子密度的影响。结果表明：计算结果可以有效模拟实验状态，电子密度的模拟精度有很大提高，误差在一个量级内；聚丙烯烧蚀可以降低尾迹的电子密度，但幅度不大，在2倍左右，其与选择模型材料的催化特性降低幅度相当；对电弧风洞的成功改进和非稀薄流静电探针诊断技术的应用，是尾迹电子密度测试的前提保障。