页轮干式磨削Ti6Al4V合金

进行了Ti6A14V合金锆刚玉页轮和碳化硅页轮的磨削性能试验研究,分析了磨削用量对磨削力、磨削温度和磨削表面完整性的影响。磨削力通过KISTLER9265B测力仪测定,磨削表面温度由NIUSB-621X信号采集系统测得,磨削表面形貌和金相组织由HiroxKH-7700型体视显微仪和Quanta200型扫描电镜（SEM）观察,表面粗糙度由Mahr Perthometer M1粗糙度仪测得,表层显微硬度通过HVS—1000硬度计测定。研究结果表明：页轮磨削钛合金工件表面没有发生烧伤现象,磨削热影响区厚度小于50μm,锆刚玉页轮比碳化硅页轮更适合干式磨削钛合金。     

涡轴八发动机的发展问题研究

根据涡轴8发动机的生产、使用现状，以及我国加入WT0后所面临的竞争压力，从技术潜力和市场前景两个方面分析了涡轴8发动机发展的有利因素，并从多方面提出了涡轴8发动机发展的可行途径。     

TC4钛合金激光焊缝超塑性行为研究

研究了TC4钛合金板激光焊缝的超塑性变形行为、组织演变,以及激光焊接板的横向超塑性变形特征.引进等轴化系数表征超塑性变形过程中焊缝组织等轴化进程,并对激光焊接/超塑成型技术基础问题提出了进一步展望.     

飞机座舱内饰视觉仿真方法研究

讨论了飞机座舱内饰视觉仿真的研究内容及方法,建立了飞机内饰视觉仿真方法框架模型。以CATIA为平台,依据GJB、HB等有关标准建立了飞机座舱模型,并根据视线追踪算法利用SPEOS CAA V5的LM模块对驾驶员的视线进行追踪仿真,在飞机设计阶段针对座舱眩光问题开展了虚拟分析并提出了解决方案。     

分布式航天器相对位置测量平台设计

分布式航天器间相对位置的实时高精度测量是分布式航天器实现空间队形保持的关键技术之一。为了对相对位置测量方法进行研究、分析和论证,建立了分布式航天器相对位置测量地面实验平台。介绍了分布式航天器相对位置测量和解算的基本原理;论述了仿真平台的组成和功能;基于仿真平台对相对位置测量精度进行了仿真试验,试验结果显示该平台具有良好的性能指标;最后介绍了相对位置解算仿真评估软件的设计方法。     

高速涡轮泵实时振动监控算法与系统设计

涡轮泵是液体火箭发动机的故障高发部件之一,研究其实时振动监控算法及系统对提高发动机的可靠性与安全性具有非常重要的意义。在选择涡轮泵监控参数的基础上,深入研究涡轮泵实时故障检测算法,提出用于阈值更新的滑动样本递推方法,实现涡轮泵故障的自适应阈值检测,然后基于数字信号处理器设计涡轮泵新型实时振动监控系统,实现更高的处理速度,并满足小型化需求。     

基于SPARC与RTEMS的飞行控制软件开发技术

实时多任务操作系统的引入改变了传统飞行控制软件开发模式.本文结合RTEMS实时多任务系统部分源代码,深入剖析了该系统的任务管理、任务调度机制、SPARC寄存器窗口管理、中断管理、RTEMS系统初始化及系统配置等关键技术.并结合某型号开发经验,给出飞行控制软件的系统建模、任务划分、任务调度等开发过程.该过程为提高飞行控制软件的实时性、安全性和可靠性提供了很好的保障.     

天线分析仪控制系统的研制

介绍了天线分析仪控制系统研制过程中的硬件设计关键技术,并提出了轴角转换器控制卡的设计方案,实验表明该方案具有一定的实用性与通用性。     

超声波铣床基于CATIA V5复合材料蜂窝件数控编程方法研究

本文针对超声五坐标数控加工设备的蜂窝数控加工方法及后处理特性进行分析,开展了在CATIAV5软件中相应编程方法和体系研究,开发了满足该设备数控编程需要的基于CATIAV5的资源库,制定了相应的编程方法规范。     

Space time clock: An on-chip clock with 10-12 instability

High precision and stable clock is extremely important in communication and navigation. The miniaturization of the clocks is considered to be the trend to satisfy the demand for5G and the next generation communications. Based on the concept of meter bar and the principle of the constancy of light velocity, we designed a micro clock, Space Time Clock(STC), with the size smaller than 1 mm × 1 mm and the power dissipation less than 2 m W. Designed in integrated circuit of 0.18 μm technology, the in...