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In_xGa_(1-x)As材料具有独特的物理特性,可以通过调节In和Ga的组分来改变材料的带隙宽度Eg。该材料自进入多结空间太阳电池领域以来,就受到了广泛的关注。因此,In_xGa_(1-x)As材料有望成为未来多结空间太阳电池领域中的重要研究对象。本文首先介绍了InGaAs材料的生长工艺及其在多结空间太阳电池领域中的应用情况和研究现状,同时讨论了材料的外延生长工艺以获得高质量含InGaAs材料的多结太阳电池。此外,介绍了近年来InGaAs材料在高效多结空间太阳电池领域的研究进展,并对其抗辐照性能进行了简述。大量研究表明:InGaAs材料的使用可以进一步提升多结空间太阳电池的光电转换效率,达到提升卫星有效载荷的目的。 相似文献
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U. Geppert B. Biering F. Lura J. Block M. Straubel R. Reinhard 《Advances in Space Research (includes Cospar's Information Bulletin, Space Research Today)》2011
The 3-step Gossamer road map to solar sailing is presented that has been agreed between DLR and ESA in November 2009. The main and exclusive purpose of that project is to develop, to prove, and to demonstrate the solar sail technology as a safe and reliably manageable propulsion technique for long lasting and deep space missions. Since the development of the solar sail technology is quite a complex task, presently at the DLR implemented solar sail related research activities will be presented as well. 相似文献
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高温耐辐照声发射传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
研制了一种新的耐高温抗辐照声发射传感器,并讨论了传感器制作工艺上的特点和优点。在经受400℃和2.4×10~6GYγ辐照的考验后,传感器仍保持性能稳定。 相似文献
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行星际空间质子引起介质深层充电的GEANT4模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
高通量的空间质子是导致行星际航天器深层充电的主要原因,基于辐射诱导电导率模 型(RIC)和粒子输运模拟工具GEANT4对介质材料在质子辐照条件下的深层充电问题进行了 预估。利用GEANT4-RIC充电计算方法,首先计算出10MeV质子在Kapton和Teflon中的注量和 剂量沉积曲线,进而根据电流连续性方程、泊松方程和电荷俘获方程组成的辐射诱导电导率 模型(RIC)求解出介质内电荷和电场分布,与介质击穿电场阈值对比作为其是否发生放电 的依据。模拟结果证实了对10MeV质子,在质子注量为3×10 12 /cm 2时Kapton会发 生放电,而Teflon则不会发生放电的一般性试验结论。验证了GEANT4-RIC方法用于行星际航 天器介质材料质子充放电评价的可行性,为此类问题的解决奠定了基础。
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