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基于参数优化的截尾序贯检验法 总被引:1,自引:0,他引:1
截尾序贯概率比检验法和序贯网图检验法(SMT)是在序贯概率比检验法(SPRT)的基础上发展起来的2种方法,可进一步控制试验次数。但是这些截尾序贯方法的停止边界仍有待优化,本文以最常见的截尾SPRT为例,说明决定停止边界的参数的取值直接影响了最大试验样本量,且存在最佳取值。并以此为基础,对SMT和传统的SPRT进行了综合比较,发现截尾SMT并不优于传统的截尾SPRT,它不过是一种广义形式的截尾序贯检验法,SPRT的研究重点应该是截尾形式的构造。最后本文提供了一种曲线形式的截尾序贯检验法. 相似文献
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本文研究杂质对尾流化学动力学与电子密度的影响。这种影响是通过把杂质(Na、H_2O、F_2、C_2F_4)加入到空气尾流中,进行数值模拟计算而获得的。化学体系是由26种粒子,35个化学反应组成的。为了独立地判断各类化学反应(杂质)的作用,把复杂的化学体系分解为由简到繁的九个化学子体系,它们是:Air、Air-Na、Air-F_2、Air-C_2F_4、Air-C_2F_4-F_2、Air-H_2O-Na、Air-F_2-Na、Air-C_2F_4-Na、Air-C_2F_4-F_2-Na。计算结果表明,杂质对尾流电离起着明显的影响,特别是Na,它能使纯空气尾流电子密度增加1~3个量级。另外也表明,与Air-F_2子体系一样,Air-C_2F_4子体系的电子衰减的主要机理是F_2、F对电子的吸附反应,该反应产生大量F~-离子,同时清除了尾流中大部分电子。 相似文献
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采用套管法(PIT)制备Bi系高温超导带材,进行了冷压工艺的优化研究。试验结果表明,Bi系带材所能承受的压力有一个限值,若超过这个限值后,密度虽可提高,但晶粒破碎严重,JC值反而降低。带材优化的冷压工艺参数是838℃/60h+冷压+838℃/60h+冷压+838℃/60h;第一次压力为2GPa,第二次为2.5GPa;冷压压下速率为1.75×10-4mm/s。同时研究还表明,冷压的主要作用是提高带材的致密度和晶粒取向度,从而最终改善带材的超导性能。 相似文献
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介绍用脉冲电子束烧蚀法在不同温度的单晶硅 (1 1 0 )衬底上沉积铌酸锂铁电薄膜 ,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的实验结果 ;使用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、光电子能谱 (XPS)等方法 ,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试。采用表面轮廓仪测定 LN薄膜的膜厚分布均匀性等。文中探讨了靶材料烧蚀和沉积过程中出现的诸多现象。研究表明 ,这种薄膜制备方法有许多独特之处 ,随着该项技术的不断改进和发展 ,将为光电集成电路提供一种新工艺和新技术 相似文献
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为给高超声速再入尾迹亚密湍流雷达散射分析提供所需的脉动背景场参数 ,本文提出计算非平衡再入湍流尾迹脉动等离子体场的理论方法。在研究高超声速尾迹流动特征的基础上 ,推导、使用包括化学组份浓度脉动强度的k ε g湍流模型 ,用以封闭高超声速尾迹雷诺平均控制方程 ,并用全隐式有限差分求解。以M∞ =2 1 .2 6、Re∞D =1 .33× 1 0 6的小钝锥体流动为例 ,得到的结果说明 :流场的流向和径向参数分布合理 ;在转捩点后较近距离内湍流脉动影响较大 ,随着向下游流动脉动影响迅速减弱 ;本文计算尾迹湍流脉动等离子体场的方法是可行的 相似文献
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