红外反射材料In(Sn)2O3(ITO)的微波吸收性能

测试7.7vol%和15.8vol%In(Sn)2O3(ITO)/石蜡在2~18GHz的介电谱。测定10vol%和20vol%In(Sn)2O3(ITO)/环氧树脂在2~8GHz的反射率。结果显示,ITO材料具有很好的介电损耗。当涂层厚度d=3mm时,两种涂层分别在4.51GHz和6.27GHz有-10.5dB和-14dB的反射率。理论值显示,15.8vol%ITO/石蜡复合材料在4.56~11GHz的反射率低于-10dB,有好的吸波性能。同时分析ITO的介电损耗机理。     

对有害气体和颗粒特性及净化新技术的探讨

对在人类所处的空间中对人体有害作用的几种常见无机、有机气体及颗粒的来源和基本性质以及危害进行阐述,目的加强人们对这些危害物质的认识,并对当前的净化技术以及最新的净化新技术-以纳米氧化钛光催化技术的净化机理以及净化效果作了阐述与探索,其技术价格低廉、无毒无害、稳定性好,具有很好的应用前景。     

典型二元高超声速进气道与侧压式进气道的性能比较

在相同的约束条件下运用高超声速进气道已有的相关设计方法设计了两类典型的二元进气道与侧压式进气道,利用数值模拟手段对两类进气道的流场结构和总体性能开展了对比研究.研究发现,二元进气道出口流场畸变较小,流场均匀性优于侧压式进气道;二元进气道流量系数对飞行马赫数的敏感程度远高于侧压式进气道;设计点,二元进气道性能优于侧压式进气道.非设计点,尤其在接力状态下,侧压式进气道性能突出;侧压式进气道阻力特性优于二元进气道,而二元进气道的前体升力则高于侧压式进气道.      

基于对等网络的PSTN网关的研究与实现

P2P(Peer to Peer)技术以及VoIP(Voice over IP)技术是目前互联网上正在研究的两个热点,将VoIP与P2P两项技术相结合,发挥各自的优势,对于电信业和互联网的发展都有极大的促进作用.从介绍P2P的拓扑结构入手,讨论了基于P2P的VOIP架构,并在此基础上实现了基于P2P的与PSTN通信的语音网关.     

建立空分中N2O的检测方法,确保设备安全运行

介绍了建立N2O检测方法原由,操作变量的选优及对空分安全生产的建议.     

原位反应合成Nb掺杂Al2O3/TiAl复合材料的显微结构分析

利用Al-Ti-TiO2体系原位反应合成了Nb掺杂Al2O3／TiAl复合材料。借助XRD和SEM研究了Nb掺杂Al2O3／TiAl的显微结构以及Nb引入量对复合材料显微结构的影响。结果表明，复合材料由TiAl、Ti3Al、Al2O3、Nb和NbAl3相构成，细小Al2O3颗粒分布于基体晶粒交界处，存在一定的团聚；Nb元素引入量的高低，可调节产物中TiAl和Ti3Al的相对含量，随Nb含量的增大，TiAl含量逐渐减少，Ti3Al则逐渐增大；同时，基体晶粒和Al2O3颗粒均有所细化，且分布逐渐均匀，材料的均匀性得到改善。     

CVD Al2O3-SiO2涂层的莫来石化行为

采用CVD工艺,以AlCl3-SiCl4-H2-CO2为先驱体气相体系,在石墨纸上于550℃制备出Al2O3-SiO2复合氧化物涂层,通过DTA和XRD分析了该涂层的莫来石化过程.该涂层由γ-Al2O3和非晶SiO2组成,其DTA曲线有四个典型峰,793℃弱的放热峰为开始莫来石化峰;984℃尖锐的放热峰为γ-Al2O3向δ-Al2O3转化峰;1240℃弱的吸热峰为δ-Al2O3向α-Al2O3转化峰,该过程比较缓慢;1337℃强的放热峰为莫来石形成峰,发生在δ-Al2O3与SiO2之间.结果表明,该CVD过程不具氧化性,对C不腐蚀,制备的Al2O3-SiO2涂层经1350℃热处理2h可转化为莫来石结合α-Al2O3.     

SiO2f/SiO2复合材料自身及其与铜、不锈钢的钎焊

采用AgCuTi活性钎料,在880℃/10min规范下成功实现了SiO2f/SiO2自身、SiO2f/SiO2与Cu和SiO2f/SiO2与1Cr18Ni9Ti三种接头的连接。实验结果表明,三种接头中靠近SiO2f/SiO2母材的界面处均形成了一层薄薄的扩散反应层组织,反应层中出现了Ti和O的富集,根据两者的原子比例推断生成了TiO2相;另外,三种接头中心区都形成了由灰色相和白色相共同组成的Ag-Cu共晶组织,其中灰色相为Cu基固溶体,白色相为Ag基固溶体。接头剪切强度结果显示,SiO2f/SiO2/Cu接头剪切强度为12.4MPa,SiO2f/SiO2/1Cr18Ni9Ti接头剪切强度为18.4MPa,接头中的残余应力是决定接头强度大小的重要因素之一。     

2D C/SiC-ZrB2复合材料的烧蚀性能

用ZrB2微粉对2D C/SiC基体进行改性,研究了化学气相渗透结合浆料浸渍及先驱体浸渍裂解工艺制备2DC/SiC-ZrB2复合材料在氧-乙炔焰和1800℃甲烷风洞环境中的烧蚀行为.结果表明:在氧-乙炔环境中,2D C/SiC-ZrB2的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为6.1×10-2 mm/s和1.0×10 -2g/s,相对2D C/SiC复合材料而言,ZrB2微粉并没有提高C/SiC复合材料的抗烧蚀性能.在1800℃甲烷风洞环境中,涂层致密度起主要作用,涂层致密度相同时,复合材料的开气孔率越大,质量烧蚀率越大,ZrB2微粉的渗入对C/SiC复合材料的烧蚀性能影响不大.     

TiO2基紫外探测器的制备及退火工艺对光电性能的影响

采用磁控溅射方法,通过不同工艺的退火处理,制备了光电性能优良的TiO2基紫外探测器.通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜( SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了退火工艺对探测器光电性能的影响规律.结果表明:随着退火温度的增加,TiO2晶粒尺寸显著增大,晶界和缺陷数量的变化是导致TiO2基紫外探测器的光电性能随退火工艺变化的根本原因.经500℃/2h退火后,紫外探测器的光电流高出暗电流近2.5个数量级,紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级,所制备紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性的要求.