硅的分布对铝—硅涂层抗热腐蚀性能的影响

利用ＲＦＬ热腐蚀试验装置，在温度为９００℃，盐浓度２０～１００ｐｐｍ，试验时间２００小时的条件下，研究了三种具有不同硅分布形式的Ａｌ－Ｓｉ涂层的抗热腐蚀性能。试验结果表明：涂层的抗热腐蚀性能与涂层中硅的分布形式密切相关。在涂层硅含量相当的情况下，硅呈内高外低的形式分布，可使涂层获得更佳的抗热腐蚀性能。     

单晶硅超精密切削加工表面粗糙度预测模型的建立及试验研究

利用超精密机床进行切削加工时,对于操作者来说,首先面临的问题是最优切削用量组合的确定,这也是最让操作者感到棘手的问题.单晶硅成功的切削过程取决于优化工艺参数,比如进给量、背吃刀量、切削速度等.为了建立精确可靠的表面粗糙度预测模型,本文将遗传基因算法应用于回归分析,同时在超精密机床上对该预测模型进行了试验验证.     

具有高精度的永磁容错电机非线性电感分析及其解析式求取

 以六相十极永磁容错电机（FTPMM）为例,通过对电机中磁力线分布的分析,得出FTPMM绕组自感的各个主要组成部分,即激磁感、谐波漏感、槽口漏感和槽内漏感,并分析出FTPMM的大电感是通过增加槽口漏感和谐波漏感来实现的。为提高电机优化设计的正确性,提出了新的磁路模型,并引入槽口磁压降参数和槽口计算厚度参数,得出了具有高精度的非线性绕组自感及其组成部分的解析式。最后通过有限元法(FEM)及实验验证,该解析式的精度在13%以内,并且电机具有很强的容错能力,对永磁容错电机的优化设计和性能分析有理论指导意义。     

基于电路仿真和正态假设的小样本多试验环境下产品性能可靠性评估

针对电子产品设计验证阶段性能试验的多环境状态、小样本特点,在正态分布假设条件下,提出了基于Pspice电路仿真的性能评估方法,运用Pspice软件中的瞬态分析、Monte-Carlo分析和温度分析获得了各环境状态下的性能仿真数据,进而获得了环境因子的仿真结果;利用环境因子将多试验状态下的试验数据折算为正常状态下的性能试验数据,基于折算后性能试验数据实现了产品的性能可靠性评估。最后,以某型装备上的稳压电源为例说明了本文方法的有效性和实用性。     

加速度计电路组件自动测试系统研制

某型号加速度计电路组件自动测试系统可实现电路组件A测试、电路组件B测试及AB联测。本文介绍了该测试系统的测试原理、结构组成、硬件设计及软件设计。运用多功能数据采集卡的A/D功能实现了对多个电路组件进行同时测试;运用其D/A输出加分压电路完成了对电路组件A输入电压的闭环动态调节,以实现对电路组件A进行增益测试。采用VC＋＋6.0完成了测试软件的开发。     

陀螺加速度计输出电路系统分析与测试方法研究

本文介绍了陀螺加速度计输出电路的结构和主要功能,分析了它的实现原理和硬件电路的依存关系。在此基础上,提出了一种简单的测试步骤,进行了功能分析并给出相应的程序流程。     

基于多层激励函数量子神经网络的入侵检测研究

为解决传统入侵检测模型所存在的检测效率低,对未知的入侵行为检测困难等问题,对神经网路隐层激励函数进行了研究,利用多层激励函数的量子神经网络模型进行入侵检测,该量子神经网络借鉴量子理论中量子态叠加的思想,使得隐层神经元能表示更多地状态或量级,从而很好的对入侵类型进行分类,增加隐层神经元的处理速度和检测性能法。实验表明,叠加的每个sigmoid函数较传统的sigmoid函数不仅对已知的入侵具有较好的识别能力,而且能较好的识别未知入侵行为,从而实现入侵检测的智能化。     

自动均载传力件的调节特性分析

本文针对结构联接受力不均易产生变形或破裂等问题,提出了在螺栓组中加装由形状记忆合金材料制作的自动均载传力件构成具有感知和调节功能的智能结构,并对螺栓组联接加装均载传力件后的均载防断功能进行了力学特性分析,特别是对螺栓组传力件自动均载和防断的调节原理进行了研究。      

钠盐变质铝硅合金中的共晶硅相

采用高纯铝和硅(＞99.99wt%)配制Al-10%Si二元合金,经三元钠盐变质,研究合金中共晶硅相.结果表明,铝硅合金共晶凝固时,硅相滞后于铝相结晶.进行钠盐变质处理后,共晶凝固时硅相滞后更加明显,并使之由片状转变为纤维状.钠盐变质后的共晶硅中有较多的孪晶,孪晶轴为(111)Si,孪晶方向为(211)Si,共晶两相的位向关系符合[100]Al∥[110]Si.钠盐变质后的共晶硅以孪晶沟槽(TPRE)长大机制进行分枝、细化和弯曲,从而证明孪晶沟槽长大机制是产生变质结构的重要途径.     

掺磷纳米硅薄膜电导及压阻效应的研究

 研究了掺磷对纳米硅薄膜微结构和电学特性的影响.指出气相掺杂能使nc-Si:H膜中磷原子浓度达到原子分数5%的水平,掺杂效率可达η≈1.0%.掺磷后能使薄膜暗电导率提高两个数量级,达到σ=10^-1~10¹S·cm^-1,电导激活能ΔE=(1~6)×10^-2eV水平.掺磷能促使nc-Si:H膜更加有序化且晶粒尺寸变小,这有利于使纳米硅薄膜往应用方向发展.