粉末冶金Ti-6Al-4V固溶时效热处理工艺研究

对采用热等静压工艺制备的粉末Ti-6Al-4V合金的固溶时效热处理工艺进行了研究,探讨了不同的固溶温度、时效温度及时效时间对该合金材料力学性能的影响。结果表明,当固溶时效工艺为935℃ 36min 水淬、470℃ 6h 空冷时,该合金材料的综合力学性能较佳,这说明固溶时效热处理参数的合理选择对于进一步地提高Ti-6Al-4V粉末冶金件的力学性能起着重要作用。     

衬底温度对共溅射法制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响

研究了衬底温度对采用Cu2ZnSnS4靶和Cu靶共溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外 可见 近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜 的元素比例、形貌以及光学带隙进行了表征与分析。结果表明制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循不同规律。室温衬底条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循两步法,导致颗粒尺寸和元素分布不均;而在120~200 ℃衬底温度条件下制备的Cu-Zn-Sn-S预置层在溅射过程中已有Cu2ZnSnS4晶粒形成,这些晶粒在后续硫化生长过程中起到形核点的作用, 促进了Cu2ZnSnS4晶粒的长大与元素的均匀分布。随着衬底温度的升高,Cu-Zn-Sn-S预置层及由此制备出的Cu2ZnSnS4薄膜的结晶性变好,Cu2ZnSnS4薄膜的带隙先升高后减小至1.55 eV。     

TC4板料电辅助加热数控渐进成形工艺分析及优化

采用有限元分析软件MSC.Marc对TC4板料的电辅助加热渐近成形进行了数值分析,研究了进给速度、层距和电流等因素对工具头受力、板料温度和应变的影响规律.通过成形实验对数值分析进行了验证,并提出了工艺优化方法.实验表明:电流是影响TC4板料成形性能和温度的最主要因素,最佳成形温度为500～600℃.加工后板料的强度极限降低约10%,硬度增高14%左右,为该技术的应用提供了工艺指导.     

不同机翼优化构型的轻质F4模型气动特性实验研究

采用光固化快速成型技术(SL)加工基于气动/结构耦合分析的六套不同机翼优化构型的轻质F4模型,在0.6m跨超声速风洞完成了马赫数0.6~0.85范围内的气动力测量试验.试验结果表明,采用气动/结构耦合优化设计的代号为6#的轻质F4模型升力特性与国外结果较接近,与机翼三维变形的事实吻合,验证了采用的气动/结构耦合优化设计方法基本可行,为探索模型静气动弹性风洞试验数据修正方法提供了参考.     

微波烧结ZrO_2/LaNbO_4-MoSi_2复合陶瓷耐磨性研究

文章测定了无润滑条件下ZrO2/LaNbO4-MoSi2纳米复合陶瓷的磨损特性曲线,并对其磨损特征进行了分析.结果表明,ZrO2/LaNbO4-MoSi2纳米复合陶瓷的磨损特征以粘着磨损为主.第二相纳米ZrO2颗粒和LaNbO4颗粒的加入能明显改善MoSi2陶瓷的耐磨性.     

低功耗甲烷气敏元件的制备及气敏性能研究

甲烷气体通常需要在较高的工作温度下工作,要达到这个工作温度区间,元件体电阻越大,功耗也就越大;要降低功耗,就要降低元件体电阻.本文所述元件是在SnO2敏感膜材料中掺入Pd,Sb2O3,Al2O3等添加剂,制成微珠式元件,从而大大降低了元件的体电阻,设计出一种低功耗CH4气敏元件.此种元件在低于150 mW的加热功率下,在5000×10-6的CH4气氛中灵敏度可达到3以上,响应时间小于10 s,且具有良好的选择性和稳定性.     

激光处理对Ti6Al4V焊缝表面应力状况的影响

激光冲击强化是利用高功率密度(GW/cm2)、短脉冲(ns量级)激光束辐射金属时产生高强度冲击波在金属材料或零件表层形成数百兆帕的残余应力,从而改善金属材料性能的一项新技术.利用Nd:glass重复率激光和机械喷丸分别对Ti6Al4V钛合金电子束焊缝进行了冲击强化处理,研究了激光冲击处理和激光冲击+机械喷丸两种不同处理工艺对电子束焊缝残余应力的影响.试验结果表明,两种处理方式都明显改善Ti6Al4V钛合金电子束焊缝的残余压应力,尤其激光冲击＋机械喷丸工艺表面残余应力改变明显, 而且在次表面层残余应力随着深度的增加而增大, 最大残余应力出现在距表面20~30μm左右.      

基于可变精度粗糙集与D-S证据理论的C4IKSR系统效能评估

为有效地对C4IKSR系统的效能进行评估,建立了C4IKSR系统效能评估指标体系。用粗糙集约简的思想减少了系统巾冗余的属性,获得了规则和可变精度的下近似集。提出了一种基于D—S证据理论的C4IKSR系统效能评估模型,利用可变精度的下近似集的计算结果给出基本概率赋值,进行了多信息表的数据融合。结果表明能够对C4IKSR系统效能进行有效地评估。     

基于PXI总线的高速数字化仪的设计和实现

介绍了一种基于PXI总线的高速数字化仪的设计理论和实现方法,从硬件和软件两个方面详细介绍了系统的设计方法.该采集平台基于高速模数转换器ADC08D1500和高性能可编程逻辑器件VIRTEX-4 SX35,可以实现3Gsps的实时采样率和8位的采样精度;板载512M DDR2内存模组,可以实现高速信号的实时存储;接口上采用PXI总线技术,采用PCI9054作为接口芯片;软件开发上采用DLL API的模式,方便不同用户的定制.     

以MgO为助剂-βSi_3N_4晶种的制备与表征

在自增韧陶瓷的致密化过程中,添加β-Si3N4品种有利于长柱状晶的形成与生长,可以改善陶瓷的强度和韧性;以MgO为添加剂,通过对原始Si3N4粉进行热处理,制备出转相充分、具有柱状形貌β-Si3N4晶种.重点研究了MgO对氮化硅相变和晶种形貌的影响.实验结果表明在MgO添加量在1.5wt%和2wt%时,在1750℃下热处理2小时能得到β相含量95%以上和具有大长径比的β-Si3N4晶种.