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71.
针对空间用SRAM型FPGA器件抗单粒子效应性能全面测试评估的要求,研究内部不同资源电路结构的单粒子效应敏感性及测试方法,利用重离子加速器开展抗辐射加固SRAM型FPGA单粒子效应模拟辐照试验,对配置存储器、块存储器、触发器等敏感单元的单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子锁定特性进行研究。试验结果表明,所提出测试方法能有效地覆盖测试SRAM型FPGA单粒子效应敏感资源,所测试抗辐射加固SRAM型FPGA器件具有良好的抗单粒子锁定性能,但对单粒子翻转和单粒子功能中断非常敏感,静态测试模式下对单粒子翻转更为敏感。有关测试方法和结果可以为SRAM型FPGA的单粒子效应评估及防护提供参考。 相似文献
72.
随着电子器件特征尺寸的减小,其翻转阈值也在降低,使得空间中的高能电子或可诱发纳米器件产生翻转效应。文章选用28 nm的V7型FPGA作为研究对象,分别采用能量为0.2 MeV和1.5 MeV、注量率为5×108~1×109/(cm2·s)的电子进行辐照,结果表明试件产生了明显的翻转效应。结合高能电子作用28 nm器件的仿真结果,经分析可知,1.5 MeV能量的单个电子与器件碰撞不能发生核反应;针对高能电子诱发器件存储单元翻转的几种可能机理,初步认为该器件的翻转是由多个电子同时作用到其中形成局部电荷累积导致的。因此可见,对于电子能量高、通量大的木星等星体的辐射带环境,需考虑高能电子诱发纳米器件翻转对航天器的影响。 相似文献
73.
基于130nm体硅CMOS工艺,设计了具有不同阱/衬底接触与MOS管有源区间距、NMOS有源区与PMOS有源区间距的反相器链,利用脉冲激光试验开展了不同设计和不同工作电压下CMOS电路的单粒子闩锁效应敏感性研究.结果表明,随着阱/衬底接触与MOS管有源区的间距减小,以及NMOS与PMOS有源区间距的增大,电路抗SEL效应能力增强.此外,不同工作电压下电路的SEL效应规律表明,电压越大,反相器电路的SEL电流越大,且随着阱/衬底接触与MOS管有源区间距的减小以及NMOS与PMOS有源区间距的增大,电路出现SEL效应的开启电压增大.结合CMOS中寄生结构和单粒子闩锁效应触发机制,分析了相关因素影响电路单粒子闩锁效应敏感性的内在机制. 相似文献
74.
根据故障树(FT)和事件树(ET)之间的相互关系,动态系统的复杂性以及不同子系统之间所存在的矛盾,结合马尔可夫链的运用,提出了将动态故障树(DFT)和ET相结合的一个合理的方法,并通过实例给出证明.该方法解决了所建模型中的矛盾,且通过模块化处理提高了效率. 相似文献
75.
CGI(CADEMAS Graphics Interface)是一种通用的与设备独立的高级用户图形接口。我们将说明它与国际图形标准的区别。CGI已在几种图形仪上实现。本文侧重介绍CGI的IBM 5080版本,且说明它的特点。最后是若干工程实例。 相似文献
76.
空间的高能重离子和高能质子都能引起单粒子效应。几种典型环境中的重离子和质子对不同器件单粒子效应的影响的比较表明,在地磁捕获质子强度较大的区域,捕获质子对单粒子效应的作用必须考虑;而在该区域以外,对单粒子效应的发生有显著影响的是宇宙射线的重离子而不是占绝大多数的质子。 相似文献
77.
家用燃气热水器与电热水器和太阳能热水器相比具有很多优点,但由于一些事故的发生导致人们对其安全性的信任度降低。为了填补燃气热水器安全评价的空白,给产品的设计和使用提供参考依据,以一特定型号的燃气热水器为例,通过RAC风险评价得出风险较大的事故,并对事故应用故障树分析,最后根据基本事件的特性对其综合评价,得到的排序结果比单独从结构重要度角度考虑基本事件排序更为客观。 相似文献
78.
准确预测航空备件需求是实现备件供应优化的基础。本文指出了当前航空备件供应中存在的问题及其原因,并对现有备件需求预测方法进行了简要分析,指出其不足、改进方向和本文研究的立足点。进而,利用OOS建模框架,研究了故障型备件供应的影响因素、仿真模型的建模对象、模型结构与行为、建模分析过程和实现要点。同时,针对典型问题,进行了仿真实验研究。实验证明:该建模和分析方法描述能力强,适用性和灵活性高。 相似文献
79.
基于语义信息的问题分类 总被引:1,自引:0,他引:1
问题分类是问答系统的一个非常基础而重要的子模块。以问题的语义信息为分类依据,建立了一个新的问题分类体系,并提出了一种基于《知网》的自动分类方法。利用该方法对507个问题进行分类实验。实验中问题分类的平均召回率为93.72%,平均正确率为82.23%。实验结果表明,该分类方法是有效的并且以语义信息作为分类依据是可行的。 相似文献
80.
空间轨道单粒子翻转率预估方法研究 总被引:5,自引:1,他引:5
系统分析了国外单粒子翻转率预估方法,提出了一种适合国内现状的单粒子翻转率预估方法,计算了五个典型轨道上的单粒子翻转率和轨道翻转系数,为评价半导体器件抗单粒子效应的能力提供了依据。 相似文献