GaInP2外延膜中施主—受主对复合发光带的能量关量

通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ方法、生长在ＧａＡｓ衬底上的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ（ＧａＩｎＰ２）外延薄膜的１．１７ｅＶ发射带的发光特性。１．１７ｅＶ发光带性质与０．９９ｅＶ及０．８５ｅＶ发光带的性质有着明显的差别。１．１７ｅＶ发光带的机理可用施主－受主对的复合发光来解释，其中施主－受主对系白处在Ｇａ格位上的Ｓｉ（ＳｉＧａ）及其最邻近的Ｇａ空位（ＶＧａ）所组成，记作ＳｉＧａ－ＶＧａ。考虑到ＧａＩｎＰ２中存在着很强的电子－格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序，所以在施主－受主对复合发光中应计及Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移△ＦＣ及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Ｅｓ（ＤＡＰ）。Ｘ—射线衍射实验表明，部分有序结构相当于成分调制，因而可用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型来计算Ｅｓ（ＤＡＰ）值。这样，我们就导出了施主－受主对复合发光的新的能量表示式。     

武昌地区急始型磁暴期间电离层电子总含量的变化

利用１９８０年４月至１９９０年１２月共１３６次急始型磁暴资料统计研究了武昌地区ＴＥＣ的变化。结果表明，ＴＥＣ的暴时变化出现正相，相对变化值ΔＴＥＣ的暴时变化形态与中高纬地区一些台站所观测到的结果差别较大；如果磁暴急始出现在白天，则急始后３６小时，会出现ΔＴＥＣ的极大值，如果急始出现在夜间，则不会出现极大值，这一现象与太阳黑子数，季节无关。     

任意形状壳体非线性非K—L普适理论

从理性力 学的观点导出任意形状壳体非线性非Ｋ－Ｌ理论的普适方程，由此即得Ｋ－Ｌ理论的普适方程，以及各种近似方程，并可将现有文献上的方程作为其近似特例而包含在其中。     

0Cr15Ni5Cu2Ti薄板成形工艺

本文通过对０Ｃｒ１５Ｎｉ５Ｃｕ２Ｔｉ材料成形性的分析和试验，描述了该材料薄板成形的难点，给出了适用于这种材料薄板的成形工艺。     

成败型产品可靠性增长模型研究

本文总结了30多种适用于成败型产品的可靠性增长模型，并选用了几种离散型可靠性性增长模型对某引信的可靠性增长试验数据进行了分析和对比。     

1553B总线数据二次处理接口软件探讨

简要介绍了现代飞机试飞中1553B总线数据采集，记录和100％的1553B总线数据二次处理接口软件的功能，组成，结构，处理流程，关键技术及应用。     

30CrMnSiNi2A钢真空热处理时的淬透性

真空热处理由于具有传统热处理所达不到的优点如光亮，净化，脱脂，脱气等，在机械工业部门获得了广泛使用，近年来在航空工业部门其应用也获得了较大的发展，真空热处理设备和工艺技术已逐渐被人们认识和掌握，本文就航空航天工业部中最常用的超高强度钢30CrMnSiNi2A，真空热处理的淬透性工艺试验用硬度法来分析讨论真空热处理时的淬透性问题。