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521.
对厚度6mm,干涉量3.1%情况下的硬铝合金LY12CZ板销钉干涉配合预应力及其在35%σ0.2,45%σ0.2,55%σ0.2的拉伸,压缩载荷情况下的变化规律进行了比较实验研究。结果表明,在3.1%干涉水平下,干涉配合较适宜在中等及其以下的拉伸载荷环境中工作,此时干涉预应力场的稳定性较好,在压缩载荷下,干涉配合也是有效的,但为得到稳定的干涉预应力场,同样干涉水平下,压缩载荷要比拉伸载荷低。  相似文献   
522.
分析了X射线CT技术的基本原理和成像模式,综述了X射线CT技术在C/C复合材料的密度测量、孔隙率、孔隙形状和分布等量化表征中的应用。同时介绍了X射线CT图像在C/C复合材料力学性能预测和裂纹扩展规律研究中的应用。  相似文献   
523.
指挥自动化系统一体化建设是军队现代化建设的重要内容之一。本文就美军指挥自动化系统一体化建设的发展过程、长远目标和发展策略进行了初步探讨 ,以期对我军的指挥自动化系统一体化建设有一定的借鉴作用。  相似文献   
524.
采用先驱体转化法(PIP方法)制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过调整多孔预制件的体积密度制备出不同组分比的C/SiC复合材料。结果显示,C/SiC复合材料的热膨胀系数随着复合材料中SiC含量的增加而增加,其与CVDSiC涂层之间的热匹配也相应增加,通过CVI方法制备梯度过渡层,在C/SiC复合材料表面制备出致密度较高的CVDSiC涂层。  相似文献   
525.
为解决临近空间通信黑障问题,研究了不同入射角对等离子体鞘套中C波段(4~8GHz)电磁波传输特性的影响,分别采用均匀等离子体模型与高斯分布非均匀等离子体模型,根据电磁波在分层介质面的反射和透射传播原理,对不同角度下C波段通信电磁波的传输性能进行计算和对比分析.结果表明,入射波频率的增加以及入射角的减小有利于降低C波段的衰减值,提高透射率,使通信电磁波更有效地穿透等离子体鞘套,为解决临近空间通信黑障问题提供了理论依据.  相似文献   
526.
征稿简则     
《航天电子对抗》2010,(2):38-38
1.《航天电子对抗》由中国航天科工集团主管、中国航天科工集团8511研究所主办,主要报道与导弹武器系统、空间系统相关的雷达、制导、通讯、导航、C4ISR等电子设备和系统总体的电子、光电及信息攻防对抗技术。来稿应切合本刊报道内容,具备科学性、创新性和逻辑性,要求论点明确、结构严谨、论据可靠、  相似文献   
527.
以碳纤维为增强体,聚碳硅烷和聚烷基铪为前驱体,采用前驱体浸渍裂解(PIP)工艺制备C/Si C-HfC复合材料,将其与同种工艺所得C/SiC复合材料进行对比评价分析。发现C/SiC-HfC复合材料具有较低密度和较好的高温力学性能,且在1 650℃静态氧化实验中,含有HfC的基体对纤维具有更佳保护效果。C/SiC-HfC密度约为1.92 g/cm~3,常温弯曲强度为345 MPa,1 800℃高温无氧环境弯曲强度可达424 MPa。C/SiC-HfC复合材料表现出更加优异高温力学性能是由于HfC组分的添加抑制了SiC晶粒的生长,降低了基体内部较大裂纹产生的概率。在1 650℃空气环境下,含有HfC的基体对纤维具有更佳保护作用,主要是由于HfC组分的添加使材料表面的SiC及时氧化成SiO_2,SiO_2在纤维和基体表面形成包覆层,防止了材料内部的进一步氧化。  相似文献   
528.
通过单向拉伸试验,对比研究平纹编织C/SiC陶瓷基复合材料在室温和高温(1300℃,包括惰性气氛和湿氧气氛)环境下的宏观力学特性,并采用光学显微镜和扫描电镜对试件断口进行显微观察,分析其损伤模式和破坏机理。结果表明:C/SiC复合材料的室温和高温拉伸行为通常表现为非线性特征,在低应力时就开始出现损伤;纤维与基体之间界面滑行阻力的降低使C/SiC复合材料在高温惰性气氛环境下的拉伸强度和破坏应变均比室温下的高;碳纤维的氧化严重影响材料的承载能力导致高温湿氧环境下的拉伸强度和破坏应变均比室温下的低;C/SiC复合材料室温和高温下的拉伸均呈现韧性断裂,断口较为相似,只是纤维拔出长度和断口的平齐程度有所不同,其中高温惰性气氛环境下纤维拔出最长,高温湿氧环境下试件断口有明显的被氧化痕迹;0°纤维束表面基体开裂、明显的层间分层以及0°纤维和纤维束的拔出和断裂同时携带90°纤维束拔出是C/SiC复合材料在室温和高温下的拉伸破坏机理。  相似文献   
529.
针对GPS信号的特点,分析了压制式干扰信号功率与干扰距离之间的关系。根据这一理论,研究了GPS干扰机的设计方案,制作了干扰机并对其性能进行了分析。实验结果表明文中所设计的干扰机可以在2km范围内实现对GPS的有效干扰。  相似文献   
530.
《载人航天信息》2009,(3):112-114
早期经历:韦伯在美国普渡大学读本科期间在俄亥俄州爱迪生公司、德尔科电子公司和3M公司实习。她在伯克利作博士研究生期间,探讨了硅的气相化学反应的物理性质。1988年起她加入德克萨斯州仪器公司(TI)任材料工程师,从事计算机芯片研究。  相似文献   
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