全文获取类型
收费全文 | 106篇 |
免费 | 18篇 |
国内免费 | 5篇 |
专业分类
航空 | 69篇 |
航天技术 | 44篇 |
综合类 | 7篇 |
航天 | 9篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 12篇 |
2011年 | 11篇 |
2010年 | 10篇 |
2009年 | 8篇 |
2008年 | 10篇 |
2007年 | 10篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 5篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
排序方式: 共有129条查询结果,搜索用时 20 毫秒
111.
探讨了动态机载电子设备智能故障诊断系统建设的主要问题,设计了基于现代无线通信网络的智能故障预测诊断系统的总体结构及解决方案,对其中的关键技术进行了论述,尤其是无线通信协议、机载电子设备的故障预测模型及智能故障诊断专家系统等,为该系统后期研发奠定了基础. 相似文献
112.
113.
汤鸣 《西安航空技术高等专科学校学报》2011,29(5):75-77
建立3层BP神经网络模型,选用市区人口数、国内生产总值和道路清扫面积三个因素预测西安市生活垃圾产量,将原始数据转化成年增长率,并结合trainbr函数来训练网络,泛化能力强,误差小,取得了较好的预测结果。 相似文献
114.
115.
基于主元分析和BP神经网络对刀具VB值预测 总被引:1,自引:0,他引:1
对声发射信号进行5层小波分解提取6个频段的能量值,把它与切削速度、切削深度、进给量和切削时间一起作为刀具状态的特征向量.通过主元分析进行降维、消除特征向量间的相关性后,把得到的主元作为BP(Back Propagation)神经网络的输入向量.BP神经网络应用改进的LM(Levenberg-Marquart)算法进行学习,利用输入向量对网络进行训练后,实现对刀具后刀面磨损量VB的预测.实验结果显示:基于主元分析和LM算法改进的BP神经网络建立的预测系统,网络输出与实测VB值的误差0.03以内;根据预测VB值的范围可判别出刀具的不同状态. 相似文献
116.
基于BP神经网络的飞行动态实时预测方法 总被引:6,自引:1,他引:6
针对传统Back-Propagation网络(简称BP网络)收敛速度慢、网络灵敏度过高和隐含层数难以确定等缺陷,提出一个改进型BP网络,提高了网络预测的实时性和精确性;然后将之应用到飞行动态预测问题上,充分发挥网络模型的学习、记忆和动态自适应性的优势,力图解决飞行器轨迹的描述和预测问题. 相似文献
117.
摘要:为了探索太阳空间探测活动的发展方向,在广泛调研太阳空间探测任务的基础上,综合考虑任务实施年代、轨道设计、探测要素、技术特点和成果影响力,选取了10个典型空间太阳探测器,对其科学目标、有效载荷、卫星平台特性和科学发现进行了分析,提炼总结了太阳空间探测的进展和发展趋势。总体而言,太阳探测器运行轨道逐步多样化,有效载荷探测要素更加丰富,探测精度、时空分辨率等显著提升,但仍存在大量问题待解决。在分析现阶段成果和待解决问题的基础上,提出了太阳空间探测的发展展望,指出了全方位、多要素探测是破解太阳物理和空间天气预报发展瓶颈的可行途径。 相似文献
118.
预处理SiC颗粒在ZA-27合金中的分散润湿过程和界面反应模型 总被引:4,自引:0,他引:4
李子全 《南京航空航天大学学报》2002,34(3):240-244
用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)并应用搅熔铸造工艺研究了预处理过的SiC颗粒在加镁ZA-27合金中的卷入,分散和润湿过程,在低温搅拌(470℃)时,预处理过的SiC颗粒首先呈较大尺寸团聚体被卷入ZA-27合金半固态浆料中,随后在搅拌剪切力的作用下SiC团聚体逐渐变小,且由于发生了存在于SiC表面的SiO2与由于加Mg而降低表面能的合金液间的润湿,并在旋涡能的促进下,SiC能呈单粒状分散在熔体中,在高温(550℃)搅拌时,由于SiO2与合金液中的活性原子Mg 和Al等发生界面反应,促进了SiO2与合金液间的进一步润湿,随后SiC能与合金液发生非反应润湿的主要原因是界面反应提供了无气洁净的SiC表面,结合电镜观察和热力学计算及动力学分析,确认界面反应产物是尖晶石,探讨了搅拌时界面反应的过程并建立了反应润湿的模型,得出SiC表面的残余SiO百X与反应时间t成线性关系,即X=L-DKVmt。 相似文献
119.
120.