基于遗传算法的载人航天器标准返回轨道设计

载人航天器返回时,根据任务的要求,需要设计一条标准返回轨道,作为制导时的参考轨道。文章探讨利用遗传算法（ＧＡ）来自动设计标准返回轨道。通过仿真表明,遗传算法在标准返回轨道设计中具有一定的优越性。仿真结果满足任务要求。     

关于高频小电压的测量问题—微电位计的正确使用

为了解决好高频小电压的实际测量问题,介绍了微电位计的工作原理,以及与微电位计配套使用的设备。着重阐述了如何具体地使用微电位计,并提出了正确的使用方法和应注意的若干问题。     

200N·m·s控制力矩陀螺随机振动试验控制谱高频超差的研究

针对200N.m.s控制力矩陀螺在随机振动摸底试验中出现的控制谱高频超差问题,分析了控制谱高频超差的主要影响因素,提出了从提高试验夹具性能、在振动试验夹具和振动台面间增加粘弹性阻尼来解决随机振动过程中控制谱高频超差的方法,并通过了鉴定产品鉴定级随机振动试验的验证.     

航天测绘发展现状与展望

航天测绘是全球基础测绘的主要手段,包括卫星地形测量、卫星重力测量、卫星磁力测量、卫星测高、卫星海洋测量等。航天测绘工程的发展经历了“返回型测绘卫星”工程、“传输型测绘卫星”工程和部分“集成型测绘卫星”工程。首先梳理了国际卫星测量的发展历史和现状,阐述了我国航天测绘各个阶段所发挥的作用,并分析了存在的问题,最后对航天测绘的未来发展提出了思路。     

电离层Es电波传播模型研究

考虑大气折射的影响,对不同高度Es层条件下大圆路径传播距离与仰角的关系进行计算.基于电离层Es电子密度时空分布特点,建立高阶Es反射模型;运用高阶修正贝塞尔函数表示电离层Es电子密度扰动的自相关函数,综合考虑电离层Es各向异性结构的尺度关系,建立高阶Es散射模型.仿真计算Es层VHF斜入射传播衰减与频率、距离的关系.对于反射模型,Es层厚度越厚,电波衰减越大.对于散射模型,Es层不规则体水平尺度相同,垂直水平漂移的尺度越大,衰减越大;而垂直水平漂移的尺度相同,水平尺度越大,衰减越小.无论反射模型还是散射模型,f₀E_s越高,衰减越小;电波工作频率越高,衰减越大.对比建立的模型与VHF链路的测量结果,明确不同强度的电离层Es反射/散射机制,证明了建立模型的正确性.     

带喷流的超声速光学头罩流动显示

在马赫数3.8的超声速风洞中,以高时空分辨率的基于纳米示踪的平面激光散射(NPLS,Nano-tracer based Planar Laser Scattering)技术为实验手段,研究了有无喷流的超声速光学头罩流场的精细结构,清晰地再现了流场中的激波、膨胀波、剪切层和湍流边界层等复杂结构.通过分析时间相关的流场NPLS图像,可以发现流场结构随时间的演化特性.结果表明:无喷流情况下光学窗口上方的大部分流场处于层流状态;有喷流情况下剪切层的层流区域较短,在很短的距离内转捩至湍流状态;喷流出口压力高于外界压力情况下剪切层的转捩位置比压力匹配情况下较为靠前,光学窗口上方的涡结构也较为复杂.比较而言,后者对气动光学性能的影响更大.     

直升机目标的雷达特性分析

为了研究直升机目标的雷达特性,采用了理论分析、统计分析和性能指标体系分析的方法,对直升机与固定翼飞机、不同直升机之间目标的雷达特性进行了对比分析;建立了直升机的雷达特性统计模型,对统计特性结果进行了分析;采用性能指标体系分析的方法对旋翼调制特性进行了分析,得到了直升机目标的雷达特性影响因素和分布规律。其方法和结果可以作为直升机系统、防空武器系统和直升机靶标的设计参考。     

光电效应的量子解释

爱因斯坦光电效应方程可以完满地解释光电效应的实验规律。方程所描写的是光子与金属中的自由电子相互作用的一个量子过程，光子与电子的作用，不可能把能量全部交给电子，只有受金属束缚的电子，才可以全部吸收一个光子的能量。把金属中的自由电子先当作为真空中的完全自由电子来处理，再设它完全吸收一个光子，这种设想是不正确的。它不能用经典的力学过程来类比而分解为两个独立的过程。有关光子与物质作用的量子理论，则应该用量子电动力学。     

连续分离铝熔体中夹杂物的分析

通过分析高频磁场作用下熔体连续处理时夹杂的去除效率表明，熔体连续处理条件下的夹杂去除效率比熔体静止时的略低，而夹杂与熔体之间的密度差对电磁分离时的去除效率影响不大。提高去除效率的有效途径是增大磁感应强度或降低分离器管径，但减小管径的同时需要提高磁场频率，以保持α/δ的值在2附近才可以取得最佳的分离效果。     

强光光学零件磁流变抛光误差的频谱特征 与演变研究

通过分析磁流变抛光的材料去除特征、误差功率谱密度的定量计算方法、敏感频率误差的演变规律,探索误差频谱与去除函数、走刀方式、走刀步距等加工参数的对应关系,为工艺过程的合理控制提供指导。典型强光光学零件磁流变抛光的实验结果表明,通过优化工艺参数,能够大幅修正低频误差、控制中高频误差,保证0.03～8.3mm-1频段误差全部满足NIF评价指标要求。