在 Si 上生长的 GaAs 外延薄膜的近红外光致发光(英文)

在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与ＧａＡｓ／Ｓｉ的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的ＧａＡｓ／Ｓｉ样品是用ＭＯＣＶＤ方法生长的，而且具有不同的［Ａｓ］／［Ｇａ］比。利用组态模型，通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化，获得了Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移。考虑了ＧａＡｓ／Ｓｉ的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移及带隙移动，修正了施主－受主对、导带－受主及施主－价带间跃迁的能量关系式，给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及ＧａＡｓ／Ｓｉ外延薄膜发光谱的特征，鉴定出ＧａＡｓ／Ｓｉ中的三个发光峰属施主－受主对复合发光，另外两个发光峰则是由Ａｓ填隙－Ｇａ空位的复合发光中心所产生。     

软支承动平衡机微机化电测系统的研究

本文论述了软支承动平衡机的一种微机化电测系统，其中包括系统的硬件配置和软件结构。该系统采用单片微型计算机８０３１作为控制器和运算器，实现数据采集和处理，并且测量转速。这个系统具有自检、平面解算、电气补偿、自动增益控制、移相、显示不平衡量和在５～５００Ｈｚ频率范围内自动跟踪滤波等功能。文中论述了电测系统总体方案的选择，主要功能电路的设计。实验结果表明，本系统可以作为软支承动平衡机电测系统的一种微机化实现方法。     

国外电连接器的特点与发展动向

概述了国外电连接器的小型化、轻量化、多样化以及适应高密度、高集成化、数字化、高速化的需要等特点,同时,对目前发展较快的表面安装电连接器、即将问世的无插头插座连接器以及普通连接器小型化的发展动向作了介绍,并对我国电连接器的技术水平和发展动向作了展望。     

冷挤成型技术在电连接器壳体生产中的应用

介绍了冷挤压成型技术在电连接器的铝合金壳体加工中的应用。通过典型零件的工艺方案的剖析对比,肯定了冷挤压成型技术在薄壁异形壳体加工中的优越性和先进性。并总结了在推广应用此技术时的一些体会。     

一种小型数显电感测量仪

数显电感量仪是电动量仪的一个基本机型,其基本工作原理是将被测位移量通过传感器转换为电量,并进行放大、解调等处理,用显示器显示测量结果。如果配上相应的测量装置,可以进行多种精密测量。     

双翼金属圆柱体散射场的整体计算

本文利用keller的几何绕射理论（GTD）推求出双翼金属圆柱体散射场高频快收敛整体解，弥补了传统分离解（把系统分解为一个金属圆柱和两个金属半平面，分别求解再简单迭加）的不足之处，最后，给出了整体解和分离解的散射电场的模值数值计算结果。     

用于星上处理有效载荷的先进数字解调器

概括了用于星上处理数字解调器的发展状况，给出了COMED（星座和多媒体）发展的动因和范围。并提出了先进的多中睡解调器和宽带解调器应满足的条件以及实验概念。讨论了飞行硬件实现的问题。     

高速冲击下块体金属玻璃动力学响应的实验研究

块体金属玻璃具有极高的力学强度,存在潜在的军事应用价值,实现其应用的关键在于认识材料在高应变率下的动力学行为特性。为此,利用飞片驱动速度可达3．5km／s的电炮加载装置,对一种新制备的锆基块体金属玻璃的动力学响应进行了实验研究。实验中,基于高精度DPS激光干涉仪测得的样品／窗口界面粒子速度波剖面,获得了新材料在应变率约为10^5／s下的冲击响应特性参数。在加载压力15～25GPa范围下,确定的Hugoniot弹性极限约为2．4GPa,线性拟合得到的冲击Hugoniot关系为Ds=（4．4±0．1）＋（0．58±0．08）up。