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为了探讨圆柱孔出口开有W型槽结构的气膜冷却机理,数值模拟研究了W型槽与横向槽下游流场、温度场及气膜冷却效率。分析了W型槽深度对气膜冷却效率的影响。结果表明:相比于横向槽,W型槽结构展向平均气膜冷却效率提高70%~130%。随着W型槽深度增加,气膜孔出口下游的对漩涡减弱,两侧的附加漩涡增强,最终形成一对反向对漩涡。小吹风比0.5时,三种W型槽深结构的展向平均气膜冷却效率差别小于8%;大吹风比1.5时,槽深0.5D(D为气膜孔孔径)结构展向平均气膜冷却效率高于槽深0.25D结构的展向平均气膜冷却效率75%~150%。槽深0.5D和0.75D结构的展向平均气膜冷却效率基本相同,差别小于3%。 相似文献
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简单地介绍了微波同轴匹配负载常见的几种结构型式和特点,并对影响匹配负载的主要因素进行了分析讨论,给出了宽带SMA微波同轴匹配负载的结构,以及国外两种同类负载在美国HP8409B自动网络分析仪上进行对比测试结果。测试结果表明,自行研制的SMA匹配负载,在DC—18GHz频带范围内,具有良好的电性能,其电压驻波比≤1.25。具有频带宽、驻波低、尺寸小、重量轻等特点。还介绍了一种结构新颖的宽带微波同轴匹配负载。最近几年,原子钟的长期稳定度已经进展到10~(-16)量级。这些装置在空间对于通过VLBI高精度的角度测量以及通过多普勒技术高精度的测距和测速是非常适用的。这篇文章将介绍某些正在进行和提出的应用高稳定度钟的空间科学实验以及钟在这些测量上的意义。 相似文献
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为满足低损耗的设计需求,太赫兹微波组件中一般使用熔融石英基板。不同于光学系统对熔融石英材料的要求,应用于太赫兹等高频段微波组件的熔融石英基板材料不仅需要具备稳定的介电性能,还需要更优异的表面镀膜特性与电路图形、外形等加工精度要求。本文基于薄膜电路制造工艺要求,针对JC-Z05石英基板膜层附着力、表面刻蚀精度、切割质量、粘接强度等关键工艺特性研究,并通过改进工艺参数,进一步优化JC-Z05石英基板工艺适用性,提升国产石英基板材料作为在太赫兹频段薄膜电路制备的可靠性。研究结果表明,国产化熔融石英基板,结合优化后的薄膜电路制作工艺,制作出的电路具有膜层附着力强、外形切割公差小以及粘接可靠性高的特点,可满足复杂宇航环境中的高可靠应用。这一工作可为后续熔融石英电路基板在太赫兹领域的应用提供参考。 相似文献
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用溶胶-凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2-3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过XRD(X-ray diffraction)和XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)对薄膜的结构和价态进行分析,表明用溶胶-凝胶法制图VO2膜工艺简单,重复性好。 相似文献
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叙述了为提高数据传输可靠性,在接收精密仪器所采集的数据过程中考虑将原有RS232串口通信,改进为USB接口通讯。但是接收到的信号出现了不明原因的周期性强干扰。为此,通过分析USB/RS232转换原理及A/D采集输出数据特点,对原软件的数据采集部分增补了具有特殊功能的子程序,使得应用程序可以自行恢复数据的完整性。此方法具有通用性,可在不同软件编辑环境中实现,且不影响硬件组成。文中又详细介绍了在薄膜厚度在线测量中应用上述USB接口通信的情况,实测结果表明试验取得了预想的效果。改进后的电容测量系统具有更为广泛的应用前景。 相似文献
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