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61.
高温耐辐照声发射传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
研制了一种新的耐高温抗辐照声发射传感器,并讨论了传感器制作工艺上的特点和优点。在经受400℃和2.4×10~6GYγ辐照的考验后,传感器仍保持性能稳定。 相似文献
62.
黄玉东%曹海琳%邵路%刘玉文%马恒怡 《宇航材料工艺》2002,32(1):19-24,29
针对碳纤维复合材料中普遍存在的界面问题,首先研究了碳纤维表面改性对其复合材料界面性能的影响。采用电化学方法和γ射线辐照技术对碳纤维进行表面改性处理,通过处理前后纤维性质及其复合材料界面性能的分析,阐明了纤维表面改性对复合材料界面性能影响规律。同时,研究了电子束固化技术中存在的弱界面问题,通过对电子束固化机理的研究发现增强体表面化学成分对固化过程影响较大,合理的偶联剂选择可以使电子束固化复合材料界面粘合性能得到提高。此外,研究了碳纤维超声连续处理,通过对树脂基体和碳纤维表面性质的分析,说明超声处理可有效地改善复合材料界面性能。 相似文献
63.
免疫反应大小是决定可植入生物材料能否开展临床应用的关键因素之一。研究评估了辐照和环氧乙烷(EO)两种灭菌方式处理后的小肠黏膜下层(SIS)脱细胞外基质材料在体内的免疫反应,旨在为其临床试验的开展提供可行依据。将两种灭菌方式处理的SIS脱细胞外基质材料皮下植入到BALB/c小鼠,第14和28天取样后,系统性地评估了其免疫反应。与仅手术不植入材料的阴性对照组相比,免疫器官(脾和淋巴结)的形态、质量、细胞数、淋巴细胞的体外增殖及酶联免疫吸附检测结果均无显著性差异,证明两种灭菌方式处理后的SIS脱细胞外基质材料都不会对小鼠引起明显的免疫排斥反应。流式细胞术分析及局部H&E染色结果表明,经EO灭菌处理的SIS脱细胞外基质材料对小鼠的免疫刺激更小,是更适用于此材料的灭菌方法。研究结果为SIS脱细胞外基质材料的灭菌程序及其临床应用提供了支持。 相似文献
64.
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ,抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。 相似文献
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66.
总剂量效应是制约COTS器件空间应用的主要因素之一。为满足空间应用对电子系统高性能、小型化及抗辐射的需求,对一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固方案进行设计,采用模型分析与地面试验结合的方法对微系统的抗总剂量辐射能力进行评估。该评估方法将微系统作为设备与器件的一种结合体,先按照设备进行整体模型评估,后按照器件进行试验评估,提高了评估的效率,具有较强的工程实用价值。60Co γ射线辐照试验结果表明:加固后SiP微系统的抗总剂量能力不低于150 krad(Si),可以满足相关任务应用需要。该微系统的抗总剂量效应加固设计和总剂量效应评估方法可为相关微系统研制提供参考。 相似文献
67.
68.
69.
70.
在局部电化学沉积加工体系中引入纳秒脉冲激光,利用激光辐照和局部电化学沉积的方法对铜进行三维微结构的沉积试验。分析了激光的热力效应对局部电化学沉积的作用机理。构建了激光辅助局部电化学沉积的试验系统,进行了沉积试验,并利用扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM)和X射线能量色散色谱仪对电沉积体进行了检测。试验结果表明激光辅助局部电化学沉积相较于普通的局部电化学沉积,定域性好。随着激光能量的增加,沉积体的高宽比增加,定域性提高。同时,激光还可以减少阴极杂质的吸附,提高沉积体的纯度。 相似文献