再入体激波层和近尾流热辐射实验研究

本文介绍了在弹道靶设备上对再入速度下模型的热辐射进行的实验研究工作。铝、高硅氧和聚碳酸酯三种材料的模型在速度为4.5～6.0(km/s),压力为600—8000Pa条件下做了实验,在258nm—1100nm光谱范围内完成了九个波段的辐射测量,给出了三种材料模型的辐射光谱分布曲线。结果表明辐射量除了受环境条件影响外,还强烈地依赖于模型材料;由烧蚀产物引起的辐射通量主要在可见光和近红外区(465nm以上)。估算了烧蚀产物引起的辐射加热率,对头部和近尾流辐射通量做了比较。     

卫星舱内宇宙辐射剂量测量分析

本文介绍了在我国返回式卫星舱内辐射剂量测量的一些结果，分析了轨道高度和舱体质量厚度对舱内剂量的影响。卫星舱内的复杂屏蔽引起各位置上的剂量有所不同，测量结果表明：最高和最低剂量点剂量水平之比在５００ｋｍ高度的轨道时为１．５８，在３００ｋｍ高度的轨道时为１．２３。本文还对近地空间的辐射危害及其防护问题进行了讨论。     

俄计划为高等院校构建科研卫星群

俄罗斯今年计划为本国高等院校发射多颗小型卫星．以期充实大学科研卫星群。俄继今年1月为庆祝国立莫斯科大学建授250周年发射了“塔季扬娜”小型卫星后，还将于今年在国立莫斯科包曼高等技术大学建校175周年前夕发射另一颖大学科研卫星“包曼涅茨”。     

太阳宁静及耀斑期间1AU附近等离子体轫致辐射研究

在太空等离子体中，尤其在等离子体内部磁场较弱时，轫致辐射是等离子体能量损失的主要机制．本文对太阳宁静及耀斑期间1AU处等离子体轫致辐射计算表明，等离子体辐射强度If的变化与辐射的电磁波频率有直接的关系．当辐射频率，接近于等离子体频率，fpe时，辐射强度显著增大．随着电磁波辐射频率的增大，辐射强度随频率增大作缓慢对数下降．辐射亮温Tb与等离子体电子温度Te、介质光深成正比．Tb与If随辐射频率变化的整体趋势一致．在相同的辐射频率情况下，太阳宁静期间If值、Tb值低于太阳耀斑期间If值、Tb值．     

掺磷纳米硅薄膜的微结构

采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2～4*#nm的晶粒和2～3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%～55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15～20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征.     

固定容差参数的阵列天线方向图综合法

研究了设计参数具有固定容差的阵列天线方向图综合法;给出了阵列天线方向图容差优化的数学模型;提出了求解容差优化最坏情况问题的离散化方法;建立了直线阵列天线容差区内误差任意分布的物理模型,并采用修正正多面体优化方法对激励幅度具有容差的侧射天线阵进行了综合。当设计参数偏离其标称值时,文中的综合方法可以使天线性能的偏差最小。     

Study on the Microstructure and Dielectric Properties of Barium Strontium Titanate Thin Films Prepared by Sol-gel Method

Sr05Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influeoces of bismuth （Bi） on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films. The microstructures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi^3＋ doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi^3＋ doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi^3＋-doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem- perature decreases gradually with the Bi^3＋ contents increasing.     

电子设备中银镀层的防变色技术

论述了银镀层变色现象及变色机理，对防银镀变色的工艺方法进行了研究，并提出了防银镀层变色工艺技术的质量要求．     

离子镀Ti(N,C)耐磨镀层成分与性能研究

 用空心阴极离子镀技术,在常用的不锈钢(1Cr18Ni9Ti)基材上,镀制Ti(N,C)耐磨镀层。对镀层的成分进行了分析,讨论了镀层成分的耐磨性,显微硬度和附着力的影响。通过对Ti(N,C)镀层与TiN和TiC镀层性能的对比,肯定了Ti(N,C)复合化合物镀层具有更优越的耐磨性和附着力。