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351.
352.
文中对直升机红外抑制器椭圆截面喷管排气的辐射热流进行数值分析,并预估排气温度分布、速度和燃气成分分布对辐射热流的影响。为了计算辐射热流和考虑尾焰对周围环境的传热,采用形式简单并可用通用方程计算程序计算的六热流辐射模型。由于排气流场内温度和密度变化较大,故紊流模型采用考虑密度变化的修正双方程k-ε模型。本文中所用的比热C_(pm)是随气流温度和成分而变化,温度用迭代法求得。喷管出口截面为椭圆形,排气为三元自由射流,控制方程为三元抛物形偏微分方程,可采用前进积分求解,这样既可满足计算精度要求,又可节省机时。并根据三元喷流周向边界条件周期性变化的特点,采用CTDMA解法。计算结果与试验结果基本一致,说明本计算方法是可行的。 相似文献
353.
针对常用的圆柱型无盖黑体空腔,分别计算了在对工作波长为单波长(1μm,1.6μm)、波段(3~5)μm、(8~14)μm的辐射温度计进行校准时,由于空腔的不等温性引起的积分发射率变化对校准结果造成的辐射温度偏差。计算结果表明,黑体空腔实际存在的不等温性引起的辐射光谱偏离理想黑体辐射对校准结果造成的偏差是不容忽略的,对于每一个具体的黑体辐射空腔,都要对其不等温对校准结果的影响予以考虑。 相似文献
354.
一种新型的薄膜温度传感器,采用真空镀膜的方法制作在涡轮叶片表面,两者构成一体,可以真实反应表面温度。传感器的质量小、响应快,对叶片内部换热和表面燃气流无干扰。 传感器的敏感元件为铂姥_(10)-铂热电偶,测温上限可达1000℃,测量精度为±3%。 相似文献
355.
356.
针对相关辐射计中由于运算放大器的零点漂移及增益起伏导致测量精度下降的问题,提出了在圆周上进行均匀多相调制的相关辐射计结构,利用最小二乘拟合方法对多相调制的测量结果进行处理,消除了运放零点漂移对相关辐射计测量偏差的影响。基于相关辐射计结构及噪声统计模型,推导了圆周均匀多相调制相关辐射计温度灵敏度的表达式,分析了系统灵敏度与调制阶数、增益起伏、调相误差的关系。分析表明:随着调制阶数的增加,增益起伏和调相误差对灵敏度的影响变小,圆周均匀多相调制相关辐射计的灵敏度趋于理想相关辐射计的灵敏度。 相似文献
357.
为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明:加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时,抗辐射加固的性能最好,SET脉冲宽度降低程度可达40%左右;然而,当处于反偏状态时,由于特殊的电荷收集过程的存在,使得SET脉冲幅度反而会明显增大,脉冲宽度减小程度并不明显。此外,还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响,得到提高抗SET效果的加固方法。 相似文献
358.
钙钛矿具有吸收系数高、载流子扩散长度长和带隙可调节等优点,是目前最有应用前景的光电材料。研究表明,掺杂Br、Cl的MAPbI3可以提高钙钛矿薄膜的稳定性和光谱性能。为探索I-Br-Cl三元卤素杂化钙钛矿薄膜可行性,采用一步旋涂法制备了掺I、Br、Cl量不同的钙钛矿薄膜,并对其微观形貌和结构进行表征,对其光谱性能进行测试。结果表明:在所制备的薄膜试样中,MAPb(I0.85Br0.05Cl0.10)3钙钛矿可形成连续完整的薄膜,其结晶度最高,吸光度最大;MAPb(I0.80Br0.05Cl0.15)3钙钛矿薄膜的发光强度最高。 相似文献
359.
针对空间核反应堆电源中的热排散系统,新设计出“接触-导热”式热管辐射散热器结构,根据此散热器结构提出了“划分节点-分层耦合”的传热计算模型,计算了其辐射散热特性,并以JIMO(木星冰卫星轨道器)空间探测任务为背景,对散热系统整体进行了性能分析与对比。结论如下:为提升单块辐射板以及系统整体的散热性能,除可通过增加NaK78入口温度途径外,还可采用增大NaK78循环流量的方法;对于单块辐射板而言,散热面积固定情况下当NaK78流量由1 kg/s增加至10 kg/s,辐射板散热量可增大14.14%,而对于系统整体而言,散热量固定工况下当NaK78流量由1 kg/s增加至10 kg/s,所需辐射板总面积可减小67.73%;为提高系统循环流量,可采用“串-并联”相结合的辐射板连接方式实现;JIMO散热系统采用新型辐射板结构,散热总面积最大可减小59.06%,散热板总质量最大可减小4.24%,新型散热板结构具有一定的高效与轻质性。研究结果对空间堆电源系统热管式辐射散热器设计具有指导意义。 相似文献
360.
为降低加力状态下二元塞锥表面温度和喷管红外辐射强度,对塞锥进行冷却结构设计。采用数值模拟的方法对比分析了引气结构、冷却通道高度和冷气入口总压比对塞锥冷却和喷管红外辐射特性的影响。结果表明:塞锥冷却后其表面温度和喷管红外辐射强度显著降低;引气腔内无冲击板时,引气角度的改变引起射流核心区位置的变化,造成塞锥头部和前缘展向温度分布差异明显,引气角度为90°时塞锥表面最高温度要比30°和60°的模型高50K;加装冲击板后,冷却通道内的流量分配和塞锥前缘的展向温度分布得到有效改善、塞锥头部的换热得以增强,但同时会引起较大的总压损失,因此相同入口总压比下,加装冲击板后冷却流量降低、塞锥外表面温度升高;随着冷却通道高度增大,冷气流量增加、流速降低,故存在一个最佳通道高度使得塞锥冷却效果最好;以塞锥无冷却为基准,入口总压比为1.0~1.8时,塞锥外表面最高温度降低了470~590K,0°探测角上红外辐射强度降低了25%~33%。 相似文献