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以广元机场的起飞的A320机型为研究标本,从签派放行方面讨论在温度事件下航班运行的注意事项,最后从慕课的角度完成对航空人员的教学模式改革建议,研究表明:温度对航班起飞、落地的性能具有明显的影响;受机场跑道不同方向载量影响,高温条件下对风向的关注尤其重要;经典案例可以通过慕课的形式在航空人员中全面推广;同一案例会有不同的解决方案,慕课教学结束后可以通过案例分析会"头脑风暴"形式形成更优解决方案。 相似文献
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实践四号卫星静态单粒子事件监测器探测结果初步分析 总被引:2,自引:0,他引:2
实践四号卫星上所用的静态单粒子事件监测器是我国第一次在空间进行单粒子事件研究的仪器,仪器是一个MCS-51单片机系统,它的外围1Mbit存储器用于单粒子效应监测。仪器在空间运行工作正常,获得了空间单粒子效应的首次认识。 相似文献
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行星际空间质子引起介质深层充电的GEANT4模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
高通量的空间质子是导致行星际航天器深层充电的主要原因,基于辐射诱导电导率模 型(RIC)和粒子输运模拟工具GEANT4对介质材料在质子辐照条件下的深层充电问题进行了 预估。利用GEANT4-RIC充电计算方法,首先计算出10MeV质子在Kapton和Teflon中的注量和 剂量沉积曲线,进而根据电流连续性方程、泊松方程和电荷俘获方程组成的辐射诱导电导率 模型(RIC)求解出介质内电荷和电场分布,与介质击穿电场阈值对比作为其是否发生放电 的依据。模拟结果证实了对10MeV质子,在质子注量为3×10 12 /cm 2时Kapton会发 生放电,而Teflon则不会发生放电的一般性试验结论。验证了GEANT4-RIC方法用于行星际航 天器介质材料质子充放电评价的可行性,为此类问题的解决奠定了基础。
相似文献
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文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×1014,4×1014和1×1015protons/cm2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。Hall测试结果显示二维电子气(2DEG)浓度和迁移率在辐照后有所降低。 相似文献