用于薄膜技术的多功能高频溅射仪

介绍多功能高频溅射仪,这是一台具有自动气体流量控制和自动基片加热控制装置的三靶式磁控仪.它能进行基片加偏压溅射、反应溅射以及底溅射等,是目前国内较完善的薄膜制备设备.着重介绍他激振荡电源、磁控靶、传输线等设计特点;对影响溅射速率的因素以及两种特殊作用的溅射即衬底偏压溅射和衬底加热溅射作了讨论;最后介绍溅射的最新应用.     

灵敏度温度自补偿薄膜压力传感器的研制

溅射薄膜压力传感器具有长期稳定性好、耐高温等优点,但是由于受弹性体材料自身特性的影响,传感器的灵敏度温度误差大,大约在1.5×10-4~2×10-4/F.S℃,是导致传感器测量误差大的原因之一。在弹性体上设计加工灵敏度温度补偿电阻,使应变电阻和灵敏度温度误差补偿电阻可以在同一时间感受温度,比在后续电路上进行温度补偿,温度响应快。对灵敏度温度自补偿压力敏感元件进行设计与研制。实测结果表明,采用灵敏度温度自补偿工艺技术的敏感元件,灵敏度温度误差较小,可以控制在0.25×10-4/F.S℃以下,传感器的温度性能得到了提高。     

关于构建能源类专业人才培养特色的研究

单一型的专业向类群型专业的转化为我们的专业建设和发展提出了诸多问题,如能源类专业能否融合于广西区的专业布局、是否适合当地的经济发展要求、有否市场需求等等。该文试从能源类专业的发展背景和人才需求现状出发,初步分析了如何构建桂林航专能源类专业人才培养特色这一命题。     

2D碳/碳复合材料CVI过程的数值模拟研究

本文根据３Ｄ碳／碳复合材料的结构特征及ＣＶＩ工艺的特点建立了孔隙模型和动力学模型，并利用该模型对其ＣＶＩ过程进行了模拟与分析。模拟结果与实验结果的对比表明该数学模型是合理的。     

宁强陨石（CV3）稀有气体的研究

宁强陨石的岩石学、矿物学及化学组成的研究表明,宁强陨石属于异常的CV3碳质球粒陨石,稀有气体和宇宙射线暴露年龄的测定结果与岩石学及化学组成的研究结果是一致的,宁强陨石的宇宙射线暴露年龄为42.2Ma,在CV3球粒陨石中是最高的,U/Th-4He及40K-40Ar气体保存年龄分别为4170±160Ma和4260±70Ma,这与碳质球粒陨石的气体保存年龄为4200Ma是一致的.     

气体渗碳过程的动态控制

利用气体渗碳物质传递数学模型来仿真计算碳浓度分布，并根据计算结果在计算机上拟合出碳浓度与时间、温度、气氛碳势之间的关系式，此关系式对气体渗碳的动态控制具有指导意义。     

掺磷纳米硅薄膜的微结构

采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2～4*#nm的晶粒和2～3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%～55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15～20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征.     

三坐标测量机快速测量轴类形面的方法

数控车床加工的零件内外形面多，由直线与直线、直线与圆弧、圆与圆相交、相切、相割等组成。其形状较复杂，尺寸精度要求高。为确保产品质量，其加工的首件产品必须经过检验合格才能继续加工。这样，测量工作就成为生产中的重要环节。在三坐标测量机上测量轴类零件形面尺寸时，零件放置的恰当与否，直接影响测量速度。我们采用将零件的轴心钱置于与测量机其中1个轴线相平行（垂直），如平行X轴，Z轴的坐标点置在零件的中心平面上（即Z坐标为零），在XY平面上进行测量，这种放置方法能使测量速度狡任意放置提高3～5倍。测量时，对线与线、…     

甲烷控制碳势的研究

 从炉气的非平衡角度,研究了常用渗剂的热分解特性,炉气各组分与碳势间相互关系等。试验表明:碳势和甲烷含量间有密切的线性关系,甲烷作为控制参数是可行的,而且乙酸乙酯最好采用甲烷参数控制。当以甲醇和乙酸乙酯为渗剂,甲烷参数自动控制时,碳势的控制精度及重现性均可达到较高水平,其碳势控制精度小于±0.03％。     

Study on the Microstructure and Dielectric Properties of Barium Strontium Titanate Thin Films Prepared by Sol-gel Method

Sr05Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influeoces of bismuth （Bi） on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films. The microstructures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi^3＋ doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi^3＋ doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi^3＋-doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem- perature decreases gradually with the Bi^3＋ contents increasing.