凹槽火焰稳定器结构对煤油超声速燃烧的影响

采用混合分数平衡化学反应模型和离散液滴模型，研究了不同长深比和后缘倾角的凹槽在液体煤油双模态燃烧中的火焰稳定特性。结果表明，集燃料喷射、混合及火焰稳定为一体的凹槽，在所模拟的工作过程中增强了燃料与空气的混合和燃烧；并得到最优的凹槽结构；混合分数平衡化学反应模型和离散液滴模型能准确地预测煤油在双模态燃烧室内的喷雾燃烧。     

钛合金近β锻造研究

 提出钛合金塑性变形中一种新的热加工方法——钛合金近β锻造。试验和生产实践表明,它能在不影响合金塑性、不降低热稳定性的条件下,显著地提高合金的高温性能、低周疲劳性能和断裂韧性、使钛锻件具有最好的塑性、热强性和断裂韧性的综合。新工艺适用于（α+β）型合金,可应用于α型和近α型合金。     

细长体分离起始点的实验研究

本文实验研究了细长体模型在中等迎角下的初始分离问题。观察了不同头部形状的细长体在不同迎角下的分离流态。考察并分析了分离起始点的性质。观察到开式分离的存在,实验结果分析认为开式分离可以起始于正常点。此外,在钝头和尖头模型上都出现了螺旋点形式的头部涡。它们或是闭式分离的起始点,或是奇点型开式分离的起始点。     

氢燃料双模态冲压模型发动机M6的试验研究

笔者研究了一个有突扩台阶的氢燃料高超声速冲压发动机模型的气体动力学特性和推力特性。氢气从位于燃烧室突扩台阶后的支板逆来流喷注,测量了氢气燃烧状态下模型发动机壁面的压力分布和推力收益数据。实验结果表明,在氢气的当量油气比为0.35～0.8的范围,在本模型流道构型条件下,氢气自燃,并随当量油气比的增加,燃烧室内压力增加,获得的推力收益增大,最大推力收益达到500N。实验在CARDC的脉冲燃烧风洞中进行,实验马赫数为6,总温1850K,总压5.5MPa。     

基于中介逻辑的多模态逻辑系统

多模态逻辑作为模态逻辑的扩充，是模态逻辑进行时态和动态扩充的基础。中介逻辑是一个新的逻辑系统，自创立后得到了很大发展，并在数理逻辑及计算机科学领域中得到广泛应用。为将中介逻辑进行时态和动态扩充，本文构造了一种基于中介逻辑的多模态逻辑系统ＭＭＫ，讨论了它的推理规则和语义解释，并证明了ＭＭＫ的可靠性和完备性，在此基础上给出了一种基于中介逻辑的时态逻辑系统ＭＴ，对它的可靠性和完备性进行了讨论。最后，分析了相应的经典多模态逻辑系统与ＭＭＫ系统及经典时态逻辑系统和ＭＴ系统之间的关系。     

微波泄漏对光抽运铯束频标准确度影响的分析

微波泄漏是影响光抽运铯原子钟准确度的主要因素之一. 傅里叶变换分析法是分析其影响的主要手段,但该方法只能用来分析有效原子速度分布很窄的情况.通过分析和计算,推导出频移随漏场的位置、相位和幅度变化的关系式.计算和分析的结果表明,漏场引起频移大小和漂移区的长度、输入微波功率值和漏场的相位、强度和位置等有关.所得的结果和用傅里叶变换方法分析所得的结果是一致的,分析的方法不受原子有效速度限制.     

磁选态单束铯束管束光学参数的模拟计算和设计

为提高铯束管跃迁信号强度,在束光学参数设计中,用蒙特卡罗方法模拟计算铯原子通过率和未跃迁比例。通过改变模拟计算中的束光学参数,分析铯原子通过率、未跃迁比例和倍增器首极电流的变化趋势,得到了主要束光学参数的合理取值范围。在铯束管实际装配和试验中使用束光学参数设计结果,有效地增加了倍增器首极电流。     

基于变权重-正态云模型的飞机轮胎滑水风险

针对飞机轮胎滑水行为的随机性和模糊性特征，提出基于正态云模型的滑水安全评价分析方法。引入变权理论动态调整权值，采用惩罚性变权函数降低常权权值对评价结果的主观影响。构建飞机轮胎滑水流固耦合仿真分析模型，选取飞机轮载、滑行速度、积水厚度、道面摩擦系数及刻槽深度作为风险影响因素，基于单因素云模型数字特征及变权向量求解综合隶属度，建立多元决策下的飞机滑水风险等级及划分标准。以某山区多雨机场轮胎滑水事件为实例进行验证，结果表明：以传统临界滑水速度指标进行条件判定仅得出允许起降的一般结论；对比常权和变权评价结果，工况1安全系数由1.09提高至1.17，工况2由2.09提高至2.94，可定量描述道面起降环境差异，滑水风险仍在可接受范围内，变权评价结果偏于保守；工况3安全系数由3.13提高至3.74，滑水风险上升至Ⅳ级，即使道面积水厚度符合上限要求，轮胎滑水发生几率仍有可能显著提高，与实际风险情况基本一致，对道面运行安全分级管理具备参照性。     

用峰态算法提取发射过程振动信号弱冲击特征

针对卫星导弹发射过程振动信号中存在的弱冲击信号,用峰态算法对其进行分析,用以发现弱冲击信号的存在和出现的时间。并利用实测数据进行计算,验证了该算法的有效性并指出使用该算法应注意的问题。     

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显；在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.