一种具有电压支撑功能的改进无功注入策略

电压跌落是输配电系统面临的最严重的问题之一。随着分布式光伏电源在电力系统中的渗透率越来越高,国内外最新标准要求光伏逆变器必须具备低电压穿越能力。为了消除有功功率振荡,在传统的正/负序控制基础上提出了一种改进的有功/无功注入策略;针对现有电压支撑方法缺乏电压抬升范围控制,将三相电压幅值作为控制目标,详细推导了适用于不同电压跌落情况下的数学模型,得出为保证各相电压均保持在安全运行范围之内所需注入无功功率参考值。仿真结果验证了所提策略的正确性和有效性。     

高温升直流燃烧室燃烧特性数值研究

为了研究高温升直流燃烧室燃烧特性,建立了带三级涡流器的高温升直流燃烧室物理模型,采用稳态雷诺平均N-S方程的化学反应流数值模拟的方法,开展Ⅱ、Ⅲ级径向涡流器旋向、主燃孔和掺混孔特征参数对高温升直流燃烧室的流场及燃烧特性的影响研究。涡流器能够实现火焰筒头部回流区的产生,同时实现主油路燃油的气动雾化和掺混。主燃孔的射流影响回流区的结构,同时主燃孔射流部分进入主燃区,能够保证主燃区的油气比。掺混孔的射流轨迹影响掺混区的流场和出口温度分布。10种方案燃烧室的温升和总压损失系数均达到设计要求,Mode-1-tx、Mode-3、Mode-3-tx、Mode-4-tx四种方案燃烧室周向温度分布系数(Overall temperature distribution factor,OTDF)达标,而径向温度分布系数(Radial temperature distribution factor,RTDF)略高于设计指标,Mode-5-tx方案燃烧室出口温度系数OTDF=0.178和RTDF=0.061均达标,燃烧室出口温度分布品质较好。     

一种直流侧电压调节的反作用飞轮直接转矩控制方法

为了抑制无刷直流电机转矩脉动,实现反作用飞轮输出转矩的高精度控制,本文提出了一种基于直流侧电压调节的直接转矩控制方法。首先,建立了反作用飞轮转矩脉动模型,无刷直流电机换相转矩脉动和电流纹波是反作用飞轮转矩脉动产生的主要原因。然后,通过直接转矩控制与直流侧电压调节结合,减小换向转矩脉动与电流纹波,提高反作用飞轮的转矩输出性能。最后,对提出的方法进行实验验证,输出转矩30mN·m和50mN·m时,转矩脉动分别减小为10.63%和10.23%,实验结果表明该方法可提高反作用飞轮输出转矩性能。     

数据采集系统直流增益和线性度的精确评价

介绍了两种新的精确评价数据采集系统的直流增益和线性度的方法与过程,即“按码精确评价法”和“定间距（为量化误差整数倍）精确评价法”。同时讨论了介绍了的优缺点及应用。     

科技成果

高压直流继电器的研制取得突破 据中国航天新闻网2009年11月11日报道，近日北京航天微机电技术研究所承制的火箭股份创新基金项目——270V高压直流继电器研制取得突破性进展。样机的各项性能指标均达到国际先进水平，尤其是高温时的寿命大大优于国外同类产品。这标志着我国初步具备了高压直流供电的配套能力。据了解，随着现代火箭技术自动化、智能化、小型化、轻量化要求的迅速提高，采用高压直流供电已经成为必然趋势。目前，该项目所取得的成就已经得到有关用户的认可。     

闭环速率调节系统在同步电动机变频起动并网中的应用

闭环速率调节系统应用在同步电动机变频起动并网过程中可以起到升速平衡和负荷自动转移的作用，本文在叙述了稳频原理之后，重点阐述了变频发电机带着被起动同步电动机并入电网以后，电动机负荷从变频发电机向电网自动转移的方法和产生这种自动转移的理论依据。     

中国教练机出彩

来自贵州航空工业集团的“山鹰”高级教练机,以其良好的中低空性能和精彩绝伦的飞行表演,成为了现场的“国产名星”。“山鹰”的穿盖弹射救生系统、地面压力加油系统、电容式油量测量系统、电磁防滑刹车系统和     

低量值直流电流表检定及测量不确定度评定

详细地叙述了利用XF1b型交、直流精密电表校验装置采用直流补偿法检定低量值直流电流表示值误差时所存在的问题，并提出一种改进线路。同时，按照JJF1059—1999《测量不确定度评定与表示》规范的要求对上述方法中所阐述的低量值直流电流表示值误差测量结果的不确定度进行了评定。     

一种校准直流低电阻表的方法

介绍了利用直流标准电压源和电流表来模拟微小电阻值,从而实现直流低电阻表校准的方法,并进行了测量不确定度评定和验证测试.     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain （β） will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT＇s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed： Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed.