碳化硅基直流固态断路器短路保护方法

碳化硅器件比硅器件具有更低的导通电阻,用其制作直流固态断路器可以大大降低其通态损耗,减轻散热压力。然而相比于硅器件,由于碳化硅器件管芯面积小,电流密度大,其短路能力相对较弱,短路保护要求更高。为确保碳化硅器件安全可靠工作,提高碳化硅基直流固态断路器的可靠性,对比分析了硅基与碳化硅基MOSFET的短路能力,揭示了其器件恶化机理,研究了栅源极电压箝位方法,并结合去饱和检测,提出了一种基于源极寄生电感的"软关断"短路保护方法,制作了直流固态断路器样机进行实验验证。实验结果表明,所提方法可以降低功率器件的关断电压应力、抑制短路电流,适合碳化硅基直流固态断路器短路保护。     

用于光纤F-P声压传感器的直流补偿解调技术研究

提出了一种改进的双腔直流补偿技术，用于解调非本征法布里-珀罗干涉(EFPI)光纤传感器，以消除腔长差与入射光波长相匹配的要求。通过消除直流分量和校准信号相位，可以从具有任意相位差的原始信号中获 得两路正交信号。通过理论仿真，制作了具有不同腔长差的EFPI光纤传感器，对所提出的方法进行了试验验证。 结果表明，该方法在解调双 F P腔 EFPI传感器时，不需要保证初始相位差恒定，且对腔长漂移不敏感，具有良好的 稳定性和实用价值。     

直流电弧等离子体炬的数值模拟

等离子体炬内部的物理场是影响等离子体性能及等离子体炬设计等方向的重要信息。受等离子体炬内部小空间、高能量密度及高电荷密度等因素的影响，无法通过常规手段进行测量。为了得到等离子体炬内部的温度、速度场分布情况，本文使用COMSOL建立了一台30 kW直流等离子体炬的二维轴对称模型。为了验证模型的可靠性，搭建了包括等离子电源、等离子体炬在内的实验平台，并使用热焓探针对该等离子体炬出口处的温度场进行诊断。将等离子体炬的模拟结果与实验测得的数据进行对比，发现模拟结果能够较好的吻合实际情况。改变模型阴极的电流输入，对等离子体炬内部的流场及温度场变化情况进行了系统模拟研究，得出了等离子体炬内部的发展模式，以及热量传递的薄弱点，可以为今后等离子体炬的优化方向提供参考。     

多重保护的传感器用线性稳压电源设计

设计了一种适用于为传感器供电的线性稳压电源,可以兼容24 VDC和220 VAC供电,解决了传感器交、直流供电兼容性问题,同时具备输入过压保护、输出过压保护、输出限流保护等多重保护功能,很大程度上提高了传感器的通用性和安全性。从理论设计和仿真分析两方面阐述了电源各部分的工作原理,以及针对特定参数的优化、调整方法,最终通过试验验证了设计的合理性。     

直流放电控制高速带斜坡锥体气动力的有效性研究

基于直流放电激波重构气动力控制原理，开展了带斜坡锥体模型的高速（Ma=6）气动力控制风洞试验，采用光纤天平技术，考察了模型在两种放电功率（284 W和517 W）下的气动力/力矩变化情况，并采用纹影成像研究了放电对流动拓扑的影响。纹影图像揭示了由于放电热阻塞和马赫数降低引起的波系重构现象，表现为放电诱导压缩波和再附激波弱化、角度减小。天平信号验证了放电使得模型的轴向力、法向力和俯仰力矩减小，放电功率较大时控制效果明显。通过求解带功率密度源项的Navier-Stokes方程模拟放电的加热效应，数值研究了模型气动力随功率密度的变化规律及加热位置对控制能力的影响。研究表明：模型气动力变化率与功率密度呈正相关；当以激励器的上游位置为参考点时，俯仰力矩变化显著；当加热位置靠近斜坡时，控制能力降低。     

直流孔旋流器的结构设计与流场特性研究

为改善导叶式旋流器的气流旋进涡核运动和微弱旋流对航空发动机油气混合体稳定燃烧产生的较大影响，优化燃烧室的燃烧效率和稳定性，设计了一种双向变截面直流孔型旋流器。在旋流器第4层减速板后设计3主3辅共6个错位均布的燃油喷嘴，以此产生均匀的燃油油雾参与流场仿真。以气流速度210 m/s、压力28 kPa和流量1.7 kg/s为入口条件，通过流场仿真，分别计算了单一气流和油气混合工况下，流经旋流器的气流速度、流量变化和油气分布状态。与导叶式旋流器相比，经直流孔旋流器减速的气流稳定性更好，形成了低压回流区的流场状态，空气质量流量在旋流器平稳运行后保持相对稳定，随速度均匀变化，且在特定速度下保持着相对较高的稳定状态。直流孔旋流器在燃油预混方面表现出较高的油气混合均匀度，油气在旋流器末端均匀分布，流线规整均匀，流场中央及周边区域未见绕轴微弱旋进油气混合气。