基于USB总线的ARINC429总线测试仪设计

利用USB总线通用和即插即用的特点,研制了基于USB总线接口的AR INC429总线测试仪,该总线测试仪利用USB总线来收发AR INC429总线数据,测试计算机通过USB总线便可与各种AR INC429总线的设备进行数据通信,使AR INC429总线测试更加方便快捷。文中详细介绍了总线测试仪的系统结构,给出了硬件系统设计思想,并详细讨论了测试仪软件系统结构、数据结构以及应用程序接口调用流程。     

低掺量石墨水泥基材料的压敏特性

通过减水剂将少量石墨加入水泥基材料中制成石墨水泥基材料试样,采用交流分压电路测量其电阻率,研究其在一次性加载破坏试验中的压敏特性.试验结果表明,低掺量石墨粉作为导电组份加入水泥基材料后会导致其强度降低,但可以使水泥基材料具有一定程度的压敏特性.随着石墨掺量的增加,各组试样电阻率的离散性变小,材料的压敏特性提高,在加载过程电阻率的波动变小.在本试验的测量方法下得到的石墨水泥基材料的压敏特性曲线与混凝土材料的应力应变曲线有相关性,试样的电阻率随着应力的增大而产生变化的过程大体可分为3个阶段,即波动阶段、稳定下降阶段和急剧下降阶段,分别对应混凝土材料应力应变关系的弹性变化、非弹性变化和应变迅速增大阶段.      

热控涂层表面电阻率原位测量方法研究

表面电阻率是航天器热控涂层的重要参数之一。由于航天器所在环境的特殊性,需要对其热控涂层的表面电阻率进行原位测量。文章提出了一种表面电阻率的原位测量方法,即使用导电银胶粘结铜箔电极和样片,并通过弹性钢丝压线把两电极接入测量电路。通过以ITO/Kapton/Al和S781白漆为试验对象的测量,验证了该测量方法的可行性,并对测量结果的影响因素进行了分析。     

低电阻率陶瓷基PTC材料温控特性研究

常温居里点陶瓷基正温度系数材料在常温段热控领域具有广阔应用前景，但其存在低温区电阻率过大的问题。基于此，以Ba0.64Sr0.36TiO3为基体并采用固相烧结工艺，研制出低温区电阻率为800Ω·cm的常温居里点PTC材料，分别利用实验和仿真手段对其温控性能进行研究。结果表明：在低温、低电压工况下，该材料可将受控体温度迅速维持在25.6℃附近，而其他加热元件控制温度均偏离常温。该材料热控响应时间少于其他加热元件的50%。在-5～5℃的周期性变化环境中，该材料控温波动幅度最小，只有2.1℃。在真实低温环境下，该材料能将受控体温度快速升至约22.3℃，在12 h内温度波动不到2℃，有效抑制了外界环境对热控过程的干扰。     

SMT测试设备的发展及应用

介绍了常用测试设备的发展，以及测试技术在我所的实际应用。     

线缆测试仪在机箱测试中的应用

航空机载精密电子设备,机箱结构紧凑,布线复杂,母板含有元器件,布线的正确性测试具有相当大的技术难度.本文介绍了线缆测试仪在航空机载电子设备机箱布线测试中的应用.     

钙钛矿型La_(1-x)Ba_xMnO_3(0≤x≤0.5)的红外发射率和微波吸收性能

通过溶胶凝胶法制备钙钛矿结构的La_(1-x)Ba_xMnO_3(0≤x≤0.5),利用X射线衍射、四探针电阻测量仪、红外发射率测试仪、矢量网络分析仪分别研究Ba~(2+)掺杂对镧锰氧化物晶体结构、电阻率、红外发射率和微波吸收性能的影响。研究结果表明:当Ba~(2+)掺杂浓度比较低时,掺杂的元素几乎不改变镧锰氧化物的晶体结构;当掺杂浓度增加时,晶格畸变开始增大;样品红外发射率随Ba~(2+)离子掺杂浓度的增大先降低后缓慢增加,与电阻率的变化保持一致;Ba~(2+)离子可以对样品在2~18 GHz微波吸收性能进行调控,当掺杂浓度x=0.3时,样品的吸收效果最佳;在频率为10.8 GHz时,最低反射率为-32 d B;掺杂合适元素的镧锰氧化物材料有可能应用在红外/雷达兼容隐身领域。     

掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究

用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释     

聚酰亚胺导电复合材料的制备及性能

采用片状石墨(GP)、短切碳纤维(SCF)及长碳纤维(LCF)为导电填料,利用高温模压成型的方法制备聚酰亚胺导电复合材料.研究了采用丙酮溶剂化处理、浓硝酸常温氧化、气相高温氧化三种处理填料的方法及导电填料的复配对复合材料体积电阻率和力学性能的影响,在PI∶GP∶CF=2∶7∶1配比时,其体积电阻率可达1.52×10-2Ω·cm,弯曲强度达48 MPa.