高可靠小系统电子产品的构形与技术

文章对一种小系统电子产品的系统构形、热控制、振动控制、电磁兼容性、化学相容性、安装设计、产品评判等应用工程上的计算及经验方法进行了详细的论述,对业界有一定的参考价值。     

电磁敏感度测试

概要说明电磁敏感度测试内容，实验条件及注意事项，并分别对传导敏感度和辐射敏感度的测试原理，测试方法进行描述，最后给出了两个测试实例。     

EMC分析预测技术发展综述

随着电磁兼容（ＥＭＣ）技术的不断发展，ＥＭＣ的分析预测作为一种防止电磁干扰（ＥＭＩ）问题的有效手段，已渐渐被推广使用，文中简要地介绍了ＥＭＣ分析预测技术发展过程及其在研制工程中的重要性。     

一种柔性快捷的铸造工艺方案

~~一种柔性快捷的铸造工艺方案$北京隆源自动成型系统有限公司     

反射面的轴向电磁散射及外形优化

本文联合运用几何光学和等效电磁流法,导出了金属反射面轴向散射场和雷达截面(RCS)的简洁表达式,研究了从旋转二次曲面(凹面或凸面)中寻找具有最低RCS值的曲面形状优化方法,给出了一个典型实例的单站RCS立体分布图,以及最低RCS值所对应的波谷曲线和最佳表面参数。     

国外高能推进剂研究的最新进展

根据近年来德国ICT国际会议的报告及其它有关文献报道,对国外高能推进剂研究的最新进展,按照CL-20推进剂、ADN推进剂、HNF推进剂、PGN推进剂等分别进行了较详细地介绍和述评,对新一代高能推进剂的能量特性等做了分析比较.     

信道化接收机用的2～4GHz高增益晶体管放大器

本文简介一个增益为55dB,瞬时带宽2GHz,带内平坦度优于3dB,噪声系数小于5dB,三阶截止点高于14dBm的晶体管放大器研制过程。该放大器已用于机载杂波干扰机中作为信道化接收机前端,性能良好可靠。     

C波段5瓦GaAs场效应晶体管功率放大器

研制成一种C波段5W GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)四级功率放大器。该放大器工作频段为3.7～4.2 GHz,1分贝点带宽约300 MHz;在中心频率处,饱和输出功率为4.67W,增益大于26dB,总效率约14％。本文还介绍了利用浅漏偏置条件下的小信号S参数代替大信号S参数设计匹配电路的情况。     

高速低压差分信号(LVDS)器件应用设计方法研究

随着高速LVDS器件得到广泛应用,在高速信号使用LVDS传输时,信号传输线路问题、信号传输波形的最佳化成为非常重要的课题之一。由于印制电路板的布局布线直接影响信号传输质量,因此利用仿真对印制板分析成为设计上不可缺少的手段。有鉴于此,文章深入探讨了高速电路的设计,总结出设计技巧。