基于16位微计算机的PWM波形生成系统的设计与实现

介绍一种用１６位单片微型计算机ＭＣＳ－９６生成三相ＰＷＭ波形的系统。借助１６位微计算机的优越性能及较高的运算速度和处理精度，从而有可能运用Ｐａｒｋ矢量原理控制逆变器电压矢量的导通规律，使气隙磁通轨迹跟踪十分接近圆形的２４边形。由此设计并生成的三相ＰＷＭ波形接近三相正弦ＰＷＭ水平，大大提高了异步电机调速的精确度和稳定性。该系统同时又是一个灵活的控制系统，可提供各种要求的控制功能。     

智能化飞机并联供电测试仪的研制

本文介绍了以８０９８单片机为核心的智能化飞机并联供电测试仪的软硬件结构及工作原理，信号检测及转换电路的设计，影响测试仪正常工作的各种干扰因素。提出了合理的抗干扰措施。     

串联型MPPT空间电源系统稳定性技术

串联型最大功率点跟踪(MPPT)空间电源系统存在母线电压振荡或跌落等不稳定现象,文章以MPPT不调节母线电源拓扑为研究对象,建立了系统等效电路模型,通过小信号等效分析、状态空间方程特征根求解等手段,分别对MPPT控制域及电压控制域下电源系统的稳定性进行了分析.结果表明,在太阳电池阵及阵列功率调节器特性曲线一定的条件下,通过对二者间电感、电容参数合理配置,可以保证系统稳定.在MATLAB/SIMULINK中搭建了串联型MPPT不调节母线电源系统仿真模型并进行实例仿真,仿真结果验证了理论分析的正确性.     

上海航天技术研究院在神舟飞船研制中取得的科研成果

通过神舟飞船的研制，上海航天技术研究院在飞船电源分系统、推进分系统、测控与通信分系统、推进舱等关键系统和产品的研制工作中探索并总结出了国内领先的专业技术成果，确保了神舟飞船研制目标实现。     

基于功能单元的分层诊断技术研究及在航天器中的应用

复杂系统多故障诊断的计算复杂性一直是一个难题。现给出了一种定性诊断模型:将功能单元引入到系统建模中并与结构抽象技术相结合构建分层诊断模型(SPS树)。推理时运用分层诊断策略及相关诊断定理,减少了多故障诊断的计算量,提高了效率。此方法在某卫星电源系统中得到了应用。证明该方法诊断速度快,诊断结果完备,可以实现对未知故障的诊断,适用于卫星这类复杂系统的多故障诊断。     

空间核电源电力系统功率因数校正技术的研究

为满足我国未来深空探测、星表基地等空间任务电源系统的需求,通过采用基于空间核电源系统的功率因数校正技术来滤除和抑制由发电机产生的谐波,从而提高系统的用电效率。提出一种新型Boost PFC拓扑结构,首先分析变换器的工作原理,之后对工作在连续电流导通模式下的Boost变换器进行建模分析。通过对变换器双环控制中的电压环和电流环进行理论设计和数学推导,从而确定控制环路参数。采用PLECS仿真软件对变换器的控制策略和系统的动态响应进行验证,并实现输入电流对输入电压的零相位正弦化追踪。     

航天器大型网状天线透光性遮挡的精确计算方法

针对航天器太阳电池阵的设计和仿真中需要考虑大型网状天线造成的透光性遮挡的问题,提出一种精确计算透光性遮挡的方法。该方法以最小重复单元对金属网布进行三维建模,求取不同光照下金属网布透光率并存为表格;计算含金属网布构件造成的透光性遮挡图形时,用三角面片对构件进行三维建模,先计算出三角面片与入射光线的位置关系,查表得到该三角面片的透光率后将其投影区域的光照强度相应减少。径向肋天线算例表明,该方法快速准确,能正确生成透光性遮挡图形,为太阳电池阵仿真分析奠定了基础。     

高压大功率S3MPR电源控制器设计与验证

针对航天器平台一级能源变换高压大功率的应用需求,采用并联式DC/DC变换器的最大功率点跟踪(MPPT)拓扑结构,设计一种顺序开关分流最大功率调节(S~3MPR)电源控制器。为了解决传统S~3MPR技术的算法电路复杂、跟踪精度低等问题,兼顾航天器应用环境的特殊性,通过采用模拟电路实现的方式设计出一种基于交错扰动方法的MPPT控制算法电路。该算法可以实现太阳电池阵电压电流输出较大范围内精确跟踪其最大功率输出。研制了5 kW功率(10路太阳电池阵)的原理样机对设计进行试验验证,结果表明:电源控制器性能良好,满足高压大功率航天器平台的应用需求。     

趋势分析法在卫星在轨管理中的应用

深入研究趋势分析方法在卫星在轨管理中的应用,可以弥补长期以来运用参数门限方法发现异常的缺点,帮助在轨管理人员了解卫星重点部件的性能变化,及时发现相关部件的在轨异常,提高其专业分析能力。文章以范例的形式,利用趋势分析方法针对卫星重点部件的遥测参数进行了分析,并得到星上是否异常的结论。     

卫星载荷二次电源用MOSFET的抗辐射设计及验证

针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应,进行了二次电源用3款MOSFET(IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405)的抗辐射总剂量设计,通过使用钽片加固及合理的结构布局防护使该3款MOSFET的辐照设计余量(RDM)均不小于3。开展总剂量辐照试验验证,对比参数变化得出MOSFET的抗电离总剂量数据,验证了加固设计的有效性。采用经过抗辐射设计的非宇航级元器件将成为空间降成本应用的趋势之一。