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概述了透波材料高温介电性能评价表征的研究意义及相关的基本概念、测试方法;介绍了国内外发展现状,以高Q腔法为例阐述了高温测试中关键共性技术,并对典型测试结果进行了分析;展望了透波材料高温介电性能评价表征的发展及应用前景. 相似文献
54.
55.
黄福伟%周燕%沈学宁%黄发荣%杜磊 《宇航材料工艺》2008,38(2):17-21
从苯基三氯硅烷出发,通过水解缩合合成八苯基笼形倍半硅氧烷(OPS),经发烟硝酸硝化得到八硝基苯基笼形倍半硅氧烷(ONPS),再经Pd/C催化还原得到八氨基苯基笼形倍半硅氧烷(OAPS),用红外光谱(IR)和核磁共振(NMR)表征了它们的结构.以溶液聚合制备了OAPS/BMI树脂,研究了OAPS含量对OAPS/BMI固化树脂热性能的影响,并考察了OAPS/BMI固化树脂的介电性能.研究结果显示:随着OAPS含量的上升,OAPS/BMI固化树脂的Tg变化不大,5%失重温度(Td5)下降.含5%质量分数OAPS的OAPS/BMI固化树脂的Tg达到429℃;Td5达到475℃,800℃%残重率为51.9%;在7.95 MHz下其介电常数为2.92,tanB为9.69×10-3. 相似文献
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在涤纶基布上分别进行铁氧体/碳化硅、碳化硅/石墨双层复合涂层整理,制备两种双层涂层柔性复合材料.分别研究吸波剂含量对复合材料介电常数实部、虚部、损耗角正切的影响.鉴于该材料多用于工程领域,测试了该复合材料的机械性能.结果表明,该复合材料在低频范围内具备良好的介电性能,且具备一定的力学性能. 相似文献
57.
采用CVD法制备了SiC涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了(SiC)C_f/Si_3N_4复合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC)C_f形貌的影响。同时研究了(SiC)C_f的含量对复合陶瓷力学以及介电性能的影响,当(SiC)C_f含量达到10wt%时,样品的抗弯强度比纯Si_3N_4陶瓷降低了112 MPa,但断裂韧性显著提高,增加了11.5 MPa·m~(1/2),介电常数实部和虚部达到最大,介电实部约为15~18,虚部约为6~8;反射衰减随(SiC)C_f的含量和厚度的增加而向低频移动。 相似文献
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在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上,用金属有机物分解(MOD)法制备了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜。通过对SBT薄膜表面形貌变化的结果表明,SBT薄膜经过氮氢混合气氛(forming gas,95%N2 5%H2)退火后,由于氢的还原作用造成了Bi的缺失,从而导致了薄膜铁电性能的退化,SEM结果表明还原出来的Bi在薄膜表面形成柱状结构。而SBT薄膜经过1h 750℃的氧气氛退火处理后.由于Bi被重新氧化,SBT薄膜的铁电性能可以得到恢复。 相似文献
相控阵天线阵面的制造、安装产生结构误差,结构误差会导致天线电性能的下降,严重制约高性能相控阵天线的发展.因此,将阵面存在的结构误差作为附加的相位因子引入到天线方向图函数中,建立了平面六边形相控阵天线阵面结构误差与天线电性能之间的结构-电磁耦合模型,并分析了平面度和阵元安装精度与天线电性能的直接影响关系,给出了满足天线电性能要求时的阵面结构误差临界值,为工程设计人员制定天线加工公差提供参考. 相似文献
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研究了预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷的介电性能和力学性能的影响。通过添加30wt%的成孔剂颗粒,制备出孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的多孔氮化硅陶瓷。反应烧结前,在低于硅熔点的温度下,对多孔硅坯体进行不同温度和不同时间的预烧。结果表明,随着预烧结温度的增高和时间的加长,反应烧结后烧结体的强度明显提高,介电常数ε′和介电损耗tanδ都有小幅度的增加。在硅粉中添加5wt%Y2O3 5wt%Al2O3进行预烧,可以减小反应烧结后试样的ε′,并且随预烧结时间的增加而减小。 相似文献