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991.
为了探讨将Diakoptics算法应用到开放式微波结构时适宜的时域模函数形式,在对槽线、共面波导、微带线及耦合微带线的空间电磁场分布特性分析的基础上,提出零阶、一阶第一类贝塞尔函数是较适宜的时域模函数,并总结了选取规律. 相似文献
992.
有源光纤环脉冲复制器系统误差分析 总被引:1,自引:0,他引:1
借助半导体光放大器(SOA,Semiconductor Optical Amplifier)动态噪声模型结合蒙特卡罗方法对有源光纤环脉冲复制器的复制误差特性进行了研究.对复制误差与环内衰减器衰减、SOA偏置电流、环内注入直流光波长与被复制脉冲幅度等各项参数之间的关系进行了研究.仿真结果表明,较小的环内衰减与较大的偏置电流有助于抑制复制误差,而环内注入直流光波长则应选择较长的波长.通过这些仿真结果探讨了减小复制误差的手段.根据分析结果建立了实验系统,验证了有源光纤环脉冲复制器的低失真复制特性.实验证明有源光纤环脉冲复制器可以对脉冲进行有效的低失真复制. 相似文献
993.
为了解展向存在匀速流动时湍流槽道流动的特性,应用直接数值模拟方法研究了壁面的展向运动对湍流槽道流动的影响.采用标准谱方法对固定质量流率条件下,上壁面展向运动速度分别等于零、流向流量平均速度以及两倍于流向流量平均速度等3种情况进行了直接数值模拟.结果表明,壁面的展向运动会导致表面摩擦力的增大,二阶湍流统计量诸如均方根速度脉动、雷诺剪切应力和均方根涡量脉动等都会随着壁面展向运动速度的增大而显著增长,同时,槽道截面上的均方根速度脉动也变得更均匀. 相似文献
994.
995.
996.
997.
基于凝胶分子造孔机理,通过提高凝胶注模工艺中有机单体含量,制备微多孔氮化硅陶瓷,研究了烧结温度对Si3N4微多孔陶瓷烧结体的显微结构、强度、气孔率、孔径等方面的影响.结果表明,温度升高有利于β-Si3N4晶相的生成,烧结温度为1 680℃时,氮化硅陶瓷烧结体中α-Si3N4和β-Si3N4并存,当烧结温度为1 730和1 780℃时,氮化硅陶瓷烧结体的晶相全部为β-Si3N4;陶瓷烧结体的孔径均<1μm,而且孔径分布范围较窄、较均匀;随着烧结温度的提高,陶瓷烧结体的强度单调上升而气孔率下降. 相似文献
998.
提出采用均匀设计与BP神经网络相结合的方法进行基于工件成形构形约束的管材无模轴压胀形工艺设计。以管材无模轴压胀形工艺有限元数值模拟为研究平台,对该方法的技术可行性进行了验证。结果表明,该方法有助于提高工艺设计的主动性和针对性,减少传统试错方式的被动性和盲目性,从而增强对工件最终成形品质的预测能力和控制能力。 相似文献
999.
利用凝胶注模成型工艺,在固定单体交联荆总质量的情况下,改变单体与交联剂的质量比例,制备出不同单体与交联剂比例的多孔氮化硅陶瓷.借助扫描电子显微镜、Archimedes法和三点弯曲法等方法研究了单体与交联剂比例对多孔氮化硅陶瓷的微观结构和基本力学性能的影响.结果表明,随着单体与交联剂比例的增大,试样的干燥收缩率增大;当单体与交联剂比例≥15时,试样排胶后出现开裂现象;当单体与交联剂比例<15时,随着单体与交联剂比例增大,烧成后的试样强度呈增大的趋势. 相似文献
1000.