一种快速自动寻北装置的研究

介绍了一种适合车载雷达、电子对抗等机动武器使用的快速自动寻北装置。它立足于国内现有技术和应用特点，以动调陀螺仪为测量元件，利用正切法双轴测速定北。为了消除陀螺仪漂移误差的影响，方案上采用了双位置多测量法和补角修正技术，以提高寻北装置全方位角的估算精度。整个测量过程由单片微机控制和计算，以快速自动准确测出真北方位角     

美国防部终止ABL机载激光器项目

美国国防部已于近日决定终止ABL机载激光器研发项目。在此之前,该项目研发日寸间已经接近16年,总耗资超过50亿美元,并且进行了数次弹道导弹拦截试验。     

铷吸收半导体激光稳频光波长标准研究

介绍了用铷吸收光谱法对半导体激光器进行稳频,通过对包括半导体激光驱动源、稳频器、吸收室、光路等系统的优化设计,达到具有高信噪比微分误差信号,从而大大提高了半导体激光器稳频锁定灵敏度和长期稳定性。采用文中介绍的方法建立的光波长标准系统,其波长的测量重复性、稳定性可满足当前和将来很长一段时间光波长计校准的需要。     

燃烧场吸收光谱诊断技术研究进展

基于可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)的视线测量技术,有能力实现流场温度、速度、组分浓度等参数的快速测量。作为一种有效的诊断工具,TDLAS传感器已经在燃烧和推进系统的研究和开发中获得广泛应用,为改善系统的性能发挥着越来越重要的作用。新应用机会的出现,对传感器提出新挑战的同时也促进了相关技术的进步。概括介绍了TDLAS技术的发展水平、在燃烧场诊断中的应用及未来的潜力,为相关研究人员提供参考。     

印度正在发展反卫星技术

据美国太空新闻网2010年1月4日报道,印度国防研发组织主任萨拉瓦特在1月3日称,印度已经开始开发激光器和外大气层杀伤拦截器,两者结合将制造出能破坏敌方在轨卫星的武器。萨拉瓦特称,印度需要开发拦截卫星所需的杀伤拦截器,这项工作作为弹道导弹防御计划的一部分正在进行中。     

应用LP—MOCVD方法研制InGaAs／InP应变量子阱LD

（在CP—MOCVD生长过程中）本文研究生长温度和生长过程对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs／InP量子阶激光器的p－n结结位,还探讨了在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时P型和N型的杂质浓度和PN结控制的条件,得出在0.5％压缩条件下有源区阶层InGaAs和InP的应变量子层激光器。用这一LD结构实现室温脉冲激射时,我们可获得峰值功率为106mW以上、阈值电流密度为2.6kA／cm2的应变三量子阱激光器。     

高温燃气引射系统对接试验验证

引射系统是化学激光器排气系统的核心组件。为提高排气系统引射效率并适应小型化、经济性等要求,提出一种采用燃气发生器产生高温燃气的引射气源方案,建立了"基于航空发动机单喷嘴燃烧室结构的燃气发生器+两级超声速引射器"组合的引射系统试验平台,开展了燃气发生器独立热试车,并实现了与引射器的对接试验。结果表明:燃气发生器点火可靠,运行稳定;在高温燃气的引射作用下,引射器启动迅速,工作平稳,各项性能指标优于设计值;引射燃气温度一定范围内的变化基本不影响引射器工作性能。相关研究结果可为引射系统方案设计及选取提供参考。     

污染组分对高超声速试验热力学参数影响研究

在燃烧加热风洞中进行的地面模拟试验,高焓气流成分有别于纯净空气,这种污染现象给试验结果带来了一定的不确定性。为了考察污染组分对高超声速模型试验流场的影响,在激波风洞中通过调节激波强度以及添加一定量的污染组分(H2 O 和CO2)来模拟燃烧加热风洞的来流条件,采用简化的不同角度斜劈来模拟飞行器试验模型对来流的压缩作用,结合近红外可调谐半导体激光吸收光谱技术(TDLAS)测量系统获取模型流场的静温,综合多组数据对比分析和研究污染组分对试验模型流场影响的特征和规律。结果表明,污染气体所产生的影响程度不仅与污染气体组分含量有关,而且与模型构型对来流的压缩程度以及来流自身的热力学参数状态都有密切的关系;对于压缩量不大的飞行器构型和来流静温不高的风洞试验而言,不同含量的CO2污染组分对流场静温影响不明显;但随着来流静温的提高或模型压缩量的增加,一旦二者的共同作用使得压缩后温升达到一定程度,污染效应的显现则渐趋明显。     

CSP结构半导体激光器二维稳态数值模拟

采用二维有限差分法对一个GaAs／GaAlAsCSP结构半导体激光器在稳态条件下的电、光特性进行了数值模拟。在电模型的分析中，以静电势、电子浓度和空穴浓度为基本变量，采用Gummel方法迭代求解三个电方程。利用与电方程求解中同样的差分网格，运用有限差分法对光波动方程进行求解，其中模式传播常数采用广义横向谐振法和变分原理结合的方法求取。通过电、光方程的完全自洽迭代过程，得到了完整的光、电特性。在此基础上．对因制造工艺不完善带来器件特性的变化进行了分析。数值结果与有关文献的结果一致，验证了数值模拟的正确性。本文提出的二雏模拟器可用于半导体激光器的计算机辅助优化设计。