碳纳米材料辐射效应研究现状

碳纳米管（CNTs）和石墨烯是碳纳米材料中新兴的两种类型,因其优异的电学、热学、机械等性能,是目前航天工程中具有很大应用前景的材料.在复杂的空间环境中,辐射效应对材料的结构和性能具有重要影响,是决定其稳定性和适应性的关键因素之一.本文对碳纳米管和石墨烯材料的电子、离子等辐射效应研究现状进行了讨论分析,对辐射过程中缺陷的产生和类型、辐射在材料制备以及功能化改性修饰方面的应用、辐射对器件性能的影响以及空间适应性进行了分析,简述了以碳纳米材料为基础的复合材料的辐射效应以及辐射缺陷对材料性能影响的作用机制,提出了目前碳纳米管和石墨烯辐射效应研究中仍需要开展的工作,并对其在空间科学中的应用进行了展望.      

钟形返回舱空气动力特性数值模拟

文章基于Euler方程及N－S方程的数值求解方法，对回舱亚、跨声速和高超声速的流场及气动特性进行了数值模拟，其中Euler方程数值求解采用二阶Godunov有限体积法；N－S方程数值求解采用二阶Harten-Yee格式的差分法，得到同实验值一致的物面压力、气动力系数和在不同速度范围出现的激波、流动分离及旋涡等流场特征。通过完全气体、平衡气体和非平衡气体的流场数值模拟结果分析比较，得出真实气体效应对返回舱气动力特性影响较小这一结论。计算结果表明数值模拟方法是预测返回舱气动特性的有效手段。     

信号压缩中输入噪声的掩蔽效应及有效利用

实际信号中含有噪声，本文揭示并定量研究了输入噪声对于信号压缩失真的掩藏作用，指出，在一定的噪声背景下可用限失真压缩代替无损压缩以提高数据压缩比，而不影响恢复信号的质量。     

全球定位系统接收机的抗干扰技术

简述全球定位系统(GPS)信号特点以及几种主要的干扰GPS信号形式,重点研究几种重要的GPS接收机抗干扰技术,最后对干扰的影响程度进行了定量分析。     

航天器表面充电效应及其工程计算

文章较全面地介绍了航天器与空间等离子体发生的表面充电效应。从航天器表面充电的发现到充放电带来的危害,阐述了航天器表面充电研究对航天器安全飞行的重要性,最后对如何消减表面充电效应带来的危害提出了建议,分析了用充电软件进行工程模拟计算的可行性.     

云爆弹破坏效应研究

本文对一种云爆弹的威力以及它对几种目标的破坏作用进行了计算和分析，并与等质量的TNT炸药进行了比较，对武器的进一步研究和发展有一定的启示作用。     

Xilinx FPGA自主配置管理容错设计研究

针对SRAM型FPGA在空间辐射环境下容易受到单粒子效应影响的问题,在分析可重配置的Xilinx FPGA的结构和故障模式的基础上,提出一种基于自主配置管理的Xilinx FPGA容错设计方案。综合运用诸如逻辑电路三模冗余、块存储器EDAC校验、动态回读、动态局部重配置及周期全局重配置等方法实现故障的屏蔽、检测和修复。该方案覆盖了FPGA的各种单粒子效应故障模式,并且在芯片内部实现了自主配置管理,具有体积小、成本低、可靠性高的特点。     

面向单粒子效应的航天嵌入式软件软防护技术研究

单粒子效应是影响航天器可靠性和在轨寿命的重要因素。单粒子效应引发的可恢复性错误称为软错误,会导致软件运行出错。本文针对单粒子效应引发的软错误,对航天嵌入式软件中采用的软防护技术,按照控制流防护和数据流防护进行了分类分析和总结。     

NMOS晶体管沟道边缘电离辐射寄生漏电

对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究.给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流-电压(I-V)特性曲线,并对试验现象进行了数值模拟分析.研究结果表明:NMOS晶体管的沟道边缘寄生漏电主要是由电离辐射感生氧化物陷阱电荷在场氧化层中积累造成的;截止辐照偏置下的寄生漏电明显小于导通偏置;与梳形栅和蛇形栅相比,环形栅结构未出现寄生漏电;NMOS晶体管沟道长度越小,寄生漏电就越严重.     

航天电子抗辐射研究综述

辐射是影响航天电子设备高可靠长寿命运行的重要因素,是当前航天电子技术的研究重点。首先介绍了造成各种辐射效应的空间辐射环境,以及总剂量、单粒子、位移损伤和航天器带电等辐射效应的内在物理原理;然后,综述了当前最新的抗辐射措施、辐射试验方法、抗辐射加固保障等技术,最后指出抗辐射研究的方向。