化学气相沉积技术在工模具中的应用

化学气相沉积 (CVD)技术是近年来国际上发展和应用较广的一项先进技术。CVD法可在硬质合金和工模具钢的基体表面上形成由碳化物、氮化物、氧化物等构成的 ,具有冶金结合的耐磨耐蚀涂层 ,显著提高工模具的使用寿命。     

化学气相沉积工艺制备SiC涂层

利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层，对涂层进行了SEM及XRD分析，考察了温度，载气和稀释气体对涂层微观结构的影响；对不同基体进行了对照试验。在1100℃－1300℃沉积时，随着温度的升高，SiC涂层积速度加快，SiC颗粒变大，同时颗粒间的孔隙也变大，涂层的致密度降低，Ar流量相对小时，制备的涂层致密，光滑。以SiCp/SiC作基体时，涂层和基体结合得很牢固，SiC颗粒会向基体中渗透，从而增强了涂层和基体之间的结合力。     

MOCVD法制备高温抗氧化铱涂层研究进展

主要概述了用MOCVD法制备金属铱涂层的原理以及工艺参数对制备涂层的影响，并对铱做保护层的铱／铼喷管的寿命进行了预测。指出MOCVD法制备铱涂层的关键问题是沉积前驱体的选择、沉积工艺参数的优化，并对MOCVD法制备铱涂层的最新研究进展作了评述，指出了今后的研究发展方向。     

电沉积太阳电池用Cu(In,Ga)Se2薄膜

在Mo基底上,采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,用HCl调节pH值为2.5,并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20min。对退火前后的膜进行X射线衍射,扫描电镜和能谱分析仪分析,结果表明,电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为黄铜矿结构,退火后,共沉积薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增加,Se含量减少。     

喷管喉部沉积层的初始沉积速度预估

本文以两种理论分析方法分析了固体火箭发动机喷管喉部沉积层的形成规律.其一,针对喉部沉积层是喉部上游沉积物流动的结果的论点,以粘性层流理论分析了液体薄层的流动性质,并对此论点提出了不同看法.其二,以粒子的宏观运动规律出发,推导粒子的初始沉积速度公式,并取得成功.从而弥补了在沉积问题的理论分析中必须借助于实验资料的不足.     

EBPVD 金属/陶瓷微层复合材料的研究与应用

介绍了电子束物理气相沉积(EBPVD)法制备微层复合材料的优点，详述了其四种不同材料体系的设计思想，同时对制备金属／陶瓷微层复合材料的具体气相沉积技术进行了介绍。     

TiN膜离子注入与沉积工艺研究

采用离子注入、沉积、动态混合注入沉积工艺,在硅基体上制备TiN膜层.用纳米划痕法检测成膜质量,用扫描电镜观察划痕形貌.对比分析结果表明,动态混合离子注入沉积工艺对提高膜层与基体的结合性能效果显著.     

化学气相沉积法制备铼管的研究

采用化学气相沉积方法研制成功我国第一只铼管(φ12.5mm×30mm),研究了铼管的组织结构和其他性能.金相及扫描电镜观察表明,化学气相沉积法制备的铼材基本无缺陷,密度接近理论值;维氏硬度测量值高于加工态工业铼片.化学气相沉积是一种制备铼管的可行且有效的方法.     

激光熔化沉积(TiB+TiC)/TA15显微组织

以TA15钛合金与B4C的混合粉为原料，利用激光熔化沉积方法制备出了以TiB与TiC为主要增强相的钛基复合材料棒材。利用X射线衍射、电子探针、扫描电子显微镜以及光学金相等手段分析了试样的显微组织。结果表明：按照TiB与TiC增强相形态及残余B4C含量的差别可将棒材分为外边缘的B4C富集区，含有少量B4C的过渡区以及中心区。由棒材边缘到中心，Ti与B4C冶金反应的完成度增高，TiB与TiC增强相的形貌相应的表现出纤维状→棱柱状→粗大棱柱状、颗粒状→颗粒状→枝晶状的变化规律。     

化学气相沉积法制备氮化硼界面涂层的研究进展

阐述了BN界面的优异性能和CVD制备工艺的优缺点,主要介绍了CVD-BN制备过程中沉积温度、源气体比例、热处理温度等各因素的影响,指出CVD法是制备高品质BN界面涂层的优选方法。优化CVD工艺,对其制备原理进行深入研究,将是BN界面涂层研究的重点,获得特定结构、性能稳定、厚度可控的BN界面相涂层是CVD法制备BN界面相涂层的难点。