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181.
针对SAD算法难以对图像中纯色与弱纹理部分进行准确匹配的问题,提出了将HSV空间明度特征与SAD算法相融合的立体匹配算法,称为V-SAD算法.首先将图像从RGB空间转化至HSV空间,并根据H、S、V值将像素点按照颜色分为10类,同时得到明度特征图.然后结合SAD算法需要的灰度特征图计算匹配代价,得到初步的视差图.接着,根据HSV空间的颜色信息对图像进行分割,结合数学形态法求解分割区块中的独立连通域.再利用边缘生长法对每一个连通域的视差进行恢复.最后,使用左右一致性检测方法对视差图进行优化.实验结果表明,利用图像的明度信息衡量纯色与弱纹理区域的匹配点的相似度是有效的,该V-SAD算法有效改善了SAD算法在弱纹理和纯色区域的匹配效果,平均误匹配率下降了13.02%. 相似文献
182.
为探究定向凝固DZ4125柱晶高温合金中温度场分布情况,并研究不同抽拉速率对温度梯度及糊状区变化的影响规律,利用ProCAST软件对抽拉速率分别为3、5、7 mm/min的定向凝固过程进行模拟。结果表明:当试棒位于保温区时,等温线呈外侧低内侧高的倾斜分布,当试棒位于冷却区时,等温线呈外侧高内侧低的倾斜分布;随着抽拉速率的增加,温度梯度逐渐减小;糊状区形状取决于抽拉速率和距水冷盘的距离,当抽拉速率为5 mm/min时,凝固前沿水平状保持的时间最长;在此基础上,对定向凝固试棒进行精铸实验,并研究3mm/min和7 mm/min下试棒液相线形状与晶粒结构之间的关系,发现液相线呈凹形和凸形时,晶粒分别向试棒中心和表面方向生长,水平的液相线能促进晶粒沿试棒轴线方向生长。 相似文献
183.
本文基于MOCVD欧姆再生长技术,制备了高性能的AlGaN/GaN HEMTs。器件具有016Ω·mm的低欧姆接触电阻,并且在100K到425K的温度范围内,欧姆接触电阻表现出良好的热稳定性。由于欧姆接触电阻的改善,源漏间距Lsd为2μm,栅长Lg为100nm的器件的最大饱和电流密度ID,max为1350mA/mm,跨导峰值Gm,max为372mS/mm,导通电阻Ron为1.4Ω·mm,膝点电压Vknee为1.8V。此外,器件也表现出优异的射频特性,电流增益截止频率fT为60GHz,最大振荡频率fmax为109GHz,在3.6GHz下,VDS偏置在15V,器件的功率附加效率PAE为67.1%,最大输出功率密度Pout为3.2W/mm;在30GHz下,VDS偏置在20V,功率附加效率PAE为43.2%,最大输出功率密度Pout为5.6W/mm,这表明了基于MOCVD欧姆再生长技术制备的AlGaN/GaN HEMTs器件在Sub-6G以及毫米波波段的应用中具有巨大潜力。 相似文献
184.
电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗,而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。GaN基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点,从而成为目前研究的热点,但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道GaN基准垂直MOSFET进行仿真,证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道GaN基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进,主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中,源极区域通过对源电极金属帽子下方Al2O3进行刻蚀,使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短;而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层,使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET,器件的导通电阻低至18mΩ·cm2,击穿电压高达1053V。 相似文献
185.
186.
比较了6种植物精油对桔小实蝇Bactrocera dorsalis的产卵忌避效果.结果表明:辣椒油、樟脑油、冬青油和香茅油的产卵忌避效果明显,其中香茅油的产卵忌避作用最强,而肉桂油和香紫苏油的效果较弱.不同质量浓度的植物精油处理间的产卵忌避效果存在显著差异.香茅油和冬青油的产卵忌避作用随质量浓度的升高而增强,当质量浓度为7 000 μg/mL时,忌避率最高;辣椒油和樟脑油则是5 000 μg/mL的质量浓度产卵忌避效果最好.4种植物精油产卵忌避作用的持效期存在差异,与对照相比,辣椒油持效期最长,可维持6 d;香茅油持效期最短,仅1 d;冬青油和樟脑油可维持4 d.大空间下的试验表明,辣椒油、樟脑油和冬青油处理过的杨桃上的着卵量均显著低于对照,但3种精油之间无显著差异. 相似文献