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71.
72.
季明 《飞碟探索》2006,(5):50-50
笔者一开始拍天文照片,是用Vixen的50S赏鸟望远镜拍月球及日、月食,另外拍一些星迹。这些照片当然是不忍卒睹,但是由于没有前辈的指导,所以当时也颇沾沾自喜。一直到专五,学校装了一台高桥FCT-150折射望远镜后,才算正式踏人天文摄影中追踪摄影的境界。  相似文献   
73.
水轮发电机镜板平面度误差测量   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍水轮发电机镜板平面误差在位测量的实用方法:采用测点数为4的倍数的正方形布点方案或测点数为偶数的环形布点方案获取数据,通过数据处理消除测量过程的系统误差;用平差法处理数据,以正方形四个角点或环形的两直径上相距较远的四点构成对角线,建立理想平面,通过基面转换,计算各测点的数据,从而获得平面度误差。  相似文献   
74.
宁晓琳  梁晓钰  孙晓函  王帆  王龙华  房建成 《航空学报》2020,41(8):623536-623536
星光折射天文导航是一种重要的地球卫星自主导航方式,量测量是影响其导航精度的重要因素。在地球卫星星光折射导航中,折射视高度、星光折射角、折射星像素坐标(折射星矢量)是3种常用的量测量,结合星光折射导航的基本原理重点介绍了这3种量测量的获取方法和量测模型,通过仿真和可观性分析比较了相同条件下3种量测量的导航性能。仿真结果表明,由于折射星像素坐标可以同时反映星光折射的大小和方向可观性高,而星光折射角和折射视高度仅能反映星光折射的大小,无法反映其方向可观性低,因此折射星像素坐标的导航性能优于星光折射角和折射视高度。此外,本文也对星敏感器精度、卫星轨道高度、星敏感器安装夹角3种因素对3种方法导航性能的影响进行了分析。  相似文献   
75.
罗剑峰  常胜利  兰勇  戴穗安 《宇航学报》2012,33(10):1528-1535
 航天器上常安装有用于科学观察的多层光学窗口,其温度分布的均匀性会影响成像质量。运用射线踪迹-节点分析法的任意多层镜反射辐射与导热耦合换热模型,研究了隔热层厚度及数量对太空中多层光学窗口温度分布的影响。光学窗口的吸收系数、折射率随波长的变化用一组矩形谱带来近似。研究显示太空中热辐射在光学窗口的冷却过程中起着非常重要的作用,在离玻璃层表面附近很薄的一层玻璃介质内,辐射与导热存在强烈的耦合作用。隔热层厚度越薄,其内的温度分布越均匀,有利于提高成像质量。隔热层数量越多,光学窗口各层玻璃的温度分布越均匀,有利于提高成像质量,但是隔热层最佳数量的确定还需综合考虑其它因素。  相似文献   
76.
针对高精度测速系统在优化设备时取消探空气象测量的要求,提出用统计大气折射率剖面分段模型代替探空测量剖面,并在此基础上建立了基于分段模型的测速雷达电波折射误差修正方法。利用某测站历史气象数据对该方法进行了验证,结果表明精度较高,基本上能够满足测速雷达数据处理电波折射修正的精度要求。  相似文献   
77.
在防御体系中雷达对低空目标一般呈俯视状况,因此在电波折射修正中必须把地球视为椭球,而不能视为圆球体,否则会产生很大误差.本文通过雷达测量参数和大地坐标与空间坐标的转换,给出了计算雷达电波射线上任意一点对应地球半径的方法.  相似文献   
78.
基于传播矩阵法计算了均匀半空间电离层的反透射系数, 同时解Booker复系数四次方程得到电离层的复折射指数, 分别研究了电离层反射透射系数及折射指数随VLF频段入射电波频率、入射角和地磁倾角、电离层电子浓度及碰撞频率的变化规律. 计算结果表明, 在VLF频段, 垂直电偶极子辐射的横磁(Traverse Magnetic)波更易透射进入电离层, 而水平电偶极子辐射的横电(Traverse Electric) 波易被限制在地-电离层波导内来回反射. 电离层电子密度较低时 (如夜间), 在高纬度地区, 观测到地震电离层VLF异常的概率更大. 当考虑地磁场 的影响时, 电离层将允许地震辐射的超低频(Ultra Low Frequency ,ULF)/甚低频 (Very Low Frequency, VLF)部分的电磁波透射进入电离层, 这一点已有很多卫星观测事实为证, 但其进一步的物理机制尚需深入研究.   相似文献   
79.
大气折射率干项引起电波折射误差的简便算法   总被引:4,自引:0,他引:4  
提出了大气折射率干项引起电波折射误差的简便算法。重点给出了在现有条件下获得大气折射率干项的等值高度与地面温度实用模型的方法, 并给出了中国某地的模型系数  相似文献   
80.
低功耗CMOS带隙基准电压源的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路。其设计特点是采用了共源共栅电流镜 ,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路 ;使用CSMC标准 0 6 μm双层多晶硅n -wellCMOS工艺混频信号模型 ,利用Cadence的Spectre工具对其仿真 ,结果显示当温度和电源电压变化范围为 - 5 0℃~ 15 0℃和4 5V~ 5 5V时输出基准电压变化小于 1 6mV和 0 13mV ;低频电源抑制比达到 75dB。电路在 5V电源电压下工作电流小于 10 μA。该电路适用于对功耗要求低。  相似文献   
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