一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固设计与试验评估

总剂量效应是制约COTS器件空间应用的主要因素之一。为满足空间应用对电子系统高性能、小型化及抗辐射的需求,对一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固方案进行设计,采用模型分析与地面试验结合的方法对微系统的抗总剂量辐射能力进行评估。该评估方法将微系统作为设备与器件的一种结合体,先按照设备进行整体模型评估,后按照器件进行试验评估,提高了评估的效率,具有较强的工程实用价值。⁶0Co γ射线辐照试验结果表明：加固后SiP微系统的抗总剂量能力不低于150 krad(Si),可以满足相关任务应用需要。该微系统的抗总剂量效应加固设计和总剂量效应评估方法可为相关微系统研制提供参考。     

导弹及固体火箭的外防护材料

叙述了导弹火箭系统外绝热防护，抗核辐射并介绍了作为固体火箭发动机结构材料的增强纤维／树脂、等复合材料抗氧化途径。     

DC/DC变换器抗辐射试验

文章以ZHDC28S05/18W型数字化DC/DC变换器(额定输入28V,输出5V/3.6A)为例,制定了DC/DC变换器辐射总剂量和单粒子效应试验的方案并进行了摸底试验,根据试验结果更换了集成功率芯片LM2596-ADJ,使产品的抗辐射性能有了明显提高.     

实践四号卫星在轨SEL现象与地面模拟试验的对比分析

本文将地面锎源模拟试验的结果,与实践四号卫星单粒子效应动态监测仪在轨所测得的SEL现象从各方面进行对比分析,为该在轨现象发生原因的判断进行了试验验证。     

卫星载荷二次电源用MOSFET的抗辐射设计及验证

针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应,进行了二次电源用3款MOSFET(IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405)的抗辐射总剂量设计,通过使用钽片加固及合理的结构布局防护使该3款MOSFET的辐照设计余量(RDM)均不小于3。开展总剂量辐照试验验证,对比参数变化得出MOSFET的抗电离总剂量数据,验证了加固设计的有效性。采用经过抗辐射设计的非宇航级元器件将成为空间降成本应用的趋势之一。     

商业航天元器件抗辐射性能保证研究

从商业航天应用的需求出发,围绕商业航天"低成本、低风险"的要求,结合航天任务本身"高技术、高风险、高投入"的特点,分析了近地轨道中不同高度、倾角下的辐射环境,给出了LEO轨道空间辐射环境需求。基于商业航天应用特点和辐射可靠性要求,建立了卫星元器件抗辐射保证的技术流程,提出了近地轨道卫星元器件抗总剂量效应、抗单粒子效应和抗位移效应的辐射指标要求。结合不同工艺结构器件辐射敏感性特征,给出了空间不同辐射效应评估的关重点及内容要求。针对卫星核心部位的关键元器件,给出了辐射风险分析和相应的抗辐射保证措施。通过某卫星型号的抗辐射保证实践,验证了该保证流程和评估技术要求。最后给出了商业卫星辐射指标以及抗辐射保证建议。     

空间辐射环境引起在轨卫星故障分析与加固对策

文章对卫星由于空间辐射环境导致的在轨故障进行了统计;对某卫星数传综合处理器在轨单粒子翻转故障的现象、机理和措施等进行了分析;根据在轨故障案例、实际工程经验和仿真分析,从硬件和软件两方面提出了具体的降低单粒子效应的多种抗辐射加固设计方法,以延长卫星在轨工作寿命。     

电子线路微型化可能对抗辐射不利

电子线路微型化可能对抗辐射不利今年１月２０日至２１日，地球静止轨道上有３颗通信卫星在差不多相同的时间里发生了同样的故障。１月２０日，国际通信卫星－Ｋ上的电路击穿，引起姿态控制系统发生故障，后来切换到备份电路，才使姿控系统恢复正常工作。同一天，在国际通...     

双星中的首颗卫星--探测-1升空

2003年12月30日,中国成功发射了探测-1卫星。它是中国地球空间双星探测计划(简称双星计划)中的近赤道卫星,2001年2月正式启动研制。探测-2(近极轨卫星)将于2004年中发射。这两颗卫星均由中国空间技术研究院负责研制。