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961.
962.
研究损伤抑制带对损伤扩展的抑制机理以及损伤止裂效果对于提高结构强度和效率具有重要意义。采用渐进损伤分析方法和有限元模型分析了抑制带对蒙皮/筋条的损伤扩展的抑制情况和发生机理;讨论了损伤抑制带数量和其沿蒙皮厚度的分布等设计变量对结构剩余强度的影响。结果表明:0°损伤抑制带将蒙皮损伤抑制在缘条附近并维持一段加载历程,从而提高了复合材料加筋板的承载能力;蒙皮的失效应力随着0°损伤抑制带层数的增加而增加;对于相同数量的0°损伤抑制带,其沿着蒙皮厚度的不同分布对结构承载能力的影响很小。 相似文献
963.
采用电弧离子镀技术在钛合金表面制备CrN涂层,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电镜(TEM)分析了弧电流对涂层组织结构以及力学性能的影响.结果表明,随着弧电流的升高,涂层沉积速率增大,表面熔滴的数量及尺寸增大,表面平整度明显下降.不同弧电流条件下均沉积出CrN单相涂层.弧电流改变了粒子、离子的轰击作用,从而影响到涂层表面的能量状态,CrN涂层的择优生长由(111)变为(200),(220).随着弧电流的增加,CrN涂层的硬度先增大后减小,而涂层与基材间的结合力以及涂层的摩擦系数逐渐增大.弧电流为65A时涂层生长具有较高的沉积速率和较低的沉积温度,可获得尺寸较小的涂层组织. 相似文献
964.
离子光学系统的离子束引出过程是离子推力器重要的物理过程,该过程直接关系到推力器的推力、比冲、效率等参数。为研究离子在离子推力器光学系统中的运动特性,使用了基于IFE-PIC(Immersed Finite Element Particle-In-Cell)的离子推力器光学系统离子束引出过程的三维数值计算模型,计算了栅极间电场分布、电荷密度,栅极冲击电流及欠聚焦极限。计算结果表明,当屏栅极电压不同时,发生欠聚焦的等离子束电流也不同。在欠聚焦工况下,一部分离子与栅极碰撞,产生冲击电流。冲击电流随电离室等离子体数密度增加而增大。 相似文献
965.
在5G高速发展的背景下,为实现机舱内部信息传输的无线化,设计了一款用于飞机设备舱内无线通信的毫米波微带阵列天线。结合串联馈电和并联馈电优点,采用串并联结合的方式对馈电网络进行设计。通过泰勒综合法实现阵元的同相位不等幅馈电,在保证高增益的情况下,有效地进行副瓣抑制。综合以上方法,设计出了一款中心频率为 48 GHz;在 47.3 ~48.7 GHz之间回波损耗小于-10 dB,工作带宽1.4 GHz;H 面上的半功率波束宽度小于 11°,副瓣抑制为-28 dB:E面上的半功率波束宽度小于 17°,副瓣抑制优于-21 dB 的4x8 微带天线阵,该阵列天线很好地实现了高增益/地旁瓣的特性。 相似文献
966.
大电流注入(BCI)法是机载设备传导抗扰度试验的标准测试方法,探明BCI注入探头与机载设备互连线缆间的耦合机理对于进一步拓展传导抗扰度试验能力至关重要,然而目前尚无明确的解析模型可用于描述注入探头与屏蔽线缆的耦合机理。首先根据注入探头结构特征建立集总参数模型,通过测量其空载情况下反射系数求取相对磁导率以及电感、电容等寄生参数,依据戴维宁定理构建注入探头等效电路。随后按照注入探头与屏蔽线缆的空间结构关系划分耦合和非耦合区间,分别建立链路参数方程并依次进行区间级联,最终结合端接方程形成BCI注入探头与屏蔽线缆的耦合解析模型。同时基于实验平台对注入探头与屏蔽线缆所形成的多端口网络进行散射参数测试,通过对比屏蔽线缆终端耦合电压验证解析模型准确性。结果表明在低频至谐振点区间,模型与实验结果误差<3 dB,该模型可有效描述注入探头与屏蔽线缆间耦合机理。 相似文献
967.
<正>本文提出一种单脉冲体制二次航管天线阵的波束形成网络设计方法。通过设计波束形成网络中耦合器、功分器参数,调节各天线单元的权值,形成特定的和波束、差波束、后向波束。利用差波束在阵列端射方向的高增益特性,将其与和波束、后向波束合成,形成对和波束覆盖率高的旁瓣抑制波束,减少应答机的误应答。 相似文献
968.
研究了无人机-无人车异构系统时变输出编队控制与扰动抑制问题,要求多无人机与无人车在受到未知外部扰动的情况下,保持设计的输出时变编队构型。首先,对无人机与无人车进行单体运动学与动力学建模,同时建立扰动模型,并引入代数图论概念,建立异构集群系统的协同控制模型。然后,对各无人机-无人车设计了具有分层架构的分布式时变输出编队控制器,包含基于一致性理论的编队中心估计项和基于内模原理的扰动抑制补偿项。进一步分析异构系统实现输出时变编队的可行性条件,给出了分布式编队控制器的参数选取算法,并证明了时变编队控制器构成的闭环系统的稳定性。最后,通过仿真算例来验证所设计的编队控制器的有效性。 相似文献
969.
利用皮秒脉冲激光单粒子效应试验装置研究了一款宇航级Flash芯片的电流“尖峰”(HCS)现象。利用激光准确定位的特点,确定电流“尖峰”是由芯片的电荷泵单元充放电引起的,不同的激光能量、入射位置会触发不同频率、相同幅值的电流“尖峰”现象,虽然电流“尖峰”发生的瞬间电流增大的现象与单粒子锁定效应表现一致,但机理完全不同。当激光能量足够高(对应于重离子LET值99.8 MeV·cm2/mg)时,在电荷泵的同一个敏感位置累积多次辐照不断触发芯片发生电流“尖峰”,芯片会因多次充放电而损坏。 相似文献