QD128燃气轮机动力涡轮盘组件温度场计算及静强度分析

动力涡轮盘作为燃气轮机的关键部件,其结构较为复杂,且承受着复杂的热载荷及机械载荷,在局部区域有可能出现较大的应力,从而导致各种失效故障。为保证其正常可靠工作,在盘体设计时首先要满足静强度要求。基于有限元法计算涡轮盘组件在最大载荷状态下的应力分布,分析了热载荷、机械载荷及螺栓预紧力对轮盘应力的影响,为涡轮盘组件的改进提供了理论依据。     

涡扇发动机性能退化缓解控制与推力设定

为了补偿性能退化发动机的推力损失,减轻飞行员工作负担,提高推进系统的自动化程度,开展了涡扇发动机性能退化缓解控制(EPDMC)研究。针对某型涡扇发动机部件级模型设计了具备稳态控制、加/减速过渡态控制和极限保护等功能的基准控制器;在此基础上设计了外环推力控制回路,给出1种在多参数约束下的推力设定方法,并设计了合理的切换逻辑确保内外环控制器能协调工作。MATLAB/Simulink下的仿真结果表明:该智能改进控制系统架构可以在保证发动机安全工作的前提下,通过合理地设定期望推力,最大程度地补偿推力损失,维持油门杆角度和推力的对应关系近似不变。     

基于神经网络的雷达抗干扰效能评估方法

雷达抗干扰效能是衡量雷达设备性能的重要指标,如何准确、客观、快捷地评估雷达抗干扰效能,对雷达、干扰双方均具有重要的现实意义。文章通过对雷达传统的抗干扰效能加权评估方法的分析,提出了基于神经网络的雷达抗干扰效能综合评估方法,并将该评估方法应用于雷达接收机抗干扰的技术等级评判实例中。实例结果表明,该评估方法能客观、定量地评估雷达抗干扰效能,具有一定的实用性。     

航天电子产品金属晶须形成机理、危害及抑制措施分析

金属晶须自发生长是材料科学中长期受到关注的科学现象.随着航天电子产品集成度的提高,由金属晶须自发生长引起的短路和电子故障问题对航天电子产品的可靠性构成了潜在的威胁.因此,研究金属晶须的生长规律,分析金属晶须的生长机理,探寻抑制金属晶须生长的技术手段成为当前研究的热点.针对近年来国内外对金属晶须生长现象的一些相关研究进行了分析,主要包括金属晶须的生长行为、各种影响金属晶须生长的因素、解释锡晶须生长机理的理论等.结合航天型号金属晶须生长导致的故障,对晶须危害进行了分析,并提出了金属晶须抑制的常用措施.     

酚醛树脂炭的合成及力学性能研究

为了表征多孔炭泡沫材料基体的结构与力学性能,采用碱催化法制备热固性酚醛树脂,经固化、高温炭化处理合成多孔炭泡沫材料的基体——酚醛树脂炭。研究酚醛树脂炭的微观结构、压缩强度及压缩断裂韧性。结果表明:酚醛树脂炭结构以树脂炭基体、微孔和微裂纹为主,其碳元素以sp3杂化的非晶炭形式存在;压缩强度为8.58 MPa,压缩断裂特征为脆性断裂模式;酚醛树脂炭的压缩断裂韧性较差,断裂过程中吸收的总能量为0.135 MJ/m3。     

基于虚拟样机的起落架收放系统仿真

通过建立某飞机起落架机构动力学模型和液压及控制系统模型,构建了完整的起落架收放系统的虚拟样机。基于虚拟样机,进行了起落架收放系统仿真分析,并与试验结果进行了对比。结果表明:仿真结果与试验结果基本一致,仿真模型可以用于起落架系统收放时间的模拟。     

民用飞机空气起动系统性能评估方法

根据民用飞机起动系统设计特点,分别给出了起动轴功率检查和起动机进口参数检查2种起动性能评估方法,并对2种方法进行了对比,起动轴功率检查方法可以直接反映起动机轴功率的设计状态;而起动机进口参数检查方法可以直接反映出起动关键参数(流量、总温和总压)的设计状态。最后,以某型辅助动力装置供气的起动性能计算为例验证了基于起动机进口参数的计算方法。     

再谈科技文献的主题标引和《文摘》编写

主题标引的目的是建立检索系统,使读者能从数量庞大、内容繁杂的文献中找到所需要的文献.在整个检索系统中,主题标引既是文献存入检索系统的依据,又是从检索系统中查找文献的依据.主题标引的主要步骤有主题分析、主题概念转换和主题词的确定.这里主要谈谈科技文献主题标引中的几个技术问题,作为前文(见本刊1987年第一期)的补充,以便提供作者写主题词时参考.     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain （β） will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT＇s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed： Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed.     

对K8飞机外贸出口工作的几点思考

简要论述了K8飞机外贸出口所处的内、外部环境,在此基础上进行SWOT分析,并据此提出该飞机外贸出口工作中应采取的几项措施。