军用电路芯片技术

自从1958年两名美国科学家首先研制成单片电路以来,平均每两年半就要推出新的DRAM(动态随机存取存储器),每一代新芯片的容量是前一代的4倍.同时价格亦随着经验的丰富和产量的增加而不断降低.单片电路迅速发展的动力是军事需要和航天活动,其结果导致了许多新型武器及系统,如精密制导导弹;有效的电子战设备;侦察卫星;机载电子设备;计算机化通信设备;电光器件;制导炮弹等.但在许多应用中,暴露了这种硅片电路的局限性,如硅片对温度很敏感,需要散热;对离子辐射也很敏感,为此需要有电磁脉冲屏蔽.但最主要的     

1553B总线特性分析及非标准连接的影响

MIL-STD-1553B总线标准及技术尽管较成熟,但设计、调试、使用过程中仍然容易出现由于非标准连接导致的总线层故障。为此首先分析了正常1553B总线耦合器连接方式通信时,总线上的输入输出电压、输入输出阻抗及其等效电路等硬件特性,然后对非标准1553B总线连接方式,包括隔离器、短截线、匹配电阻、耦合器非标准连接的情况进行了硬件特性分析及测试。结果表明,1553B不同总线连接导致的故障将使通信性能下降、波形畸变或过压致芯片损坏。本文对使用1553B总线的设计人员、测试人员有一定的指导意义。     

微电子一级站举办国际微电子计量与测试技术研讨会

在国防科工局科技与质量司与中国船舶重工集团公司的指导下,由国防科技工业微电子一级计量站、武汉数字工程研究所、     

组合材料芯片技术应用及Zn-Al合金镀层材料优选

基于组合材料芯片技术原理,通过离子束溅射方法,在低碳钢基片上快速制备了全组份范围的二元Zn-Al薄膜材料样品库,研究了不同热处理条件对薄膜组份互扩散过程的影响.使用XRD及EDS等手段表征薄膜的成分和结构,并采用原子力显微镜和透射电了显微镜观察形貌;使用纳米压痕仪测试材料芯片样品的压痕硬度和弹性模量;使用电化学方法测试平衡电位和极化电阻.在获得薄膜材料样品组成-结构-性能(力学性能和耐腐蚀性能)关联特性的基础上,对具有良好力学性能和耐腐蚀性能的二元Zn-A1合金镀层材料提出了成分设计和优化方案,即选择兼具良好力学性能和耐蚀性能的Al-Zn镀层材料,成分配比应控制为约30at%Zn含量.     

基于像素化偏振芯片的仿生偏振光罗盘技术

仿生光罗盘是一种通过借鉴动物视觉器官感知太阳偏振光信息(包括月光)的机理来获得载体航向信息的航向传感器。首先介绍了面向多光谱的像素化的偏振芯片结构参数化设计准则,给出了一种易于集成和小型化的仿生光罗盘总体设计方案,并对仿生光罗盘的主要误差源进行了分析;随后,提出了一种基于天空偏振图像解算载体航向的新方法,并对其环境适应性进行了初步分析;最后,对仿生光罗盘样机进行了静态实验和车载实验,在晴朗天空背景下仿生光罗盘的定向精度优于0.5°。     

CCGA封装芯片落焊控温工艺研究

部分宇航型号单机生产过程中,CCGA芯片因软件固化、调试等原因需使用返修台进行落焊,落焊温度曲线直接影响CCGA器件及周围器件的装配可靠性。本文使用红外热风混合型返修台进行CCGA落焊控温工艺研究,并进行焊接及可靠性试验验证。研究发现,返修台控温点距离器件边缘1-2mm时温度反馈控制效果最佳;本文提出了增加导热挡板控制高温区范围（＞183 ℃）的新方案,可将高温区控制在落焊位置周围8mm范围内;CCGA焊接样件分析显示焊锡柱侧微观组织呈块状,IMC层组织均匀,未出现Cu3Sn脆化物,可靠性试验后染色浸润测试发现焊点完好,未出现裂纹。结果证明所本文提出的温度控制工艺合理有效,可应用于宇航产品落焊过程。     

碳纳米管处理器原型诞生

据美国GigaOM网站报道,日前,斯坦福大学的研究人员在《自然》杂志上发表文章,宣布他们已经制成了包含142个碳纳米管晶体管的中央处理器芯片。碳纳米管能用于制造更小的晶体管,催生功能更强大、效率更高的处理器。碳纳米管处理器的实现,意味着硅半导体之后,处理器的速度将更快,能效将更高。     

现代微分离新技术及在环境与生物医药分析中的应用

分离科学面临的最大挑战是复杂体系中痕量组分的分离分析。为适应复杂体系分析。现代微分离技术成为化学化工和生命科学的研究热点。本文介绍了近五年来现代微分离分析中新技术,包括毛细管电泳、毛细管电色谱、微流控芯片和质谱联用技术;重点综述了这些新技术在环境与生物医药分析中的应用;最后概述了微分离分析技术的发展前景。     

耐高温动态压力传感器与实验分析研究

采用微机械电子系统（Micro Electro-Mechanical Systems,MEMS）和硅隔离（Silicon on Insulator,SOI）技术制作出了量程为25MPa的倒杯式耐高温压阻力敏芯片,敏感电阻条与硅基底之间采用二氧化硅隔离,解决了在大于120℃高温下力敏芯片工作稳定性和可靠性的难题。设计了齐平式机械封装结构,避免了管腔效应影响,提高了传感器的动态响应频率。对研制出的耐高温动态压力传感器进行了静态性能和动态性能的标定实验,静态实验温度为250℃,得到了传感器基本性能参数,分析了传感器的不确定度,得出该传感器的基本误差为±0.114%FS（Full Scale,全量程）,不确定度为0.01794mV,计算得到了传感器的热零点漂移和热灵敏度漂移指标,由动态性能实验得到传感器的响应频率为555.6kHz,实验表明所研制的MEMS压力传感器在高温下具有良好的精度和固有频率。     

基于PXI总线的高速数字化仪的设计和实现

介绍了一种基于PXI总线的高速数字化仪的设计理论和实现方法,从硬件和软件两个方面详细介绍了系统的设计方法.该采集平台基于高速模数转换器ADC08D1500和高性能可编程逻辑器件VIRTEX-4 SX35,可以实现3Gsps的实时采样率和8位的采样精度;板载512M DDR2内存模组,可以实现高速信号的实时存储;接口上采用PXI总线技术,采用PCI9054作为接口芯片;软件开发上采用DLL API的模式,方便不同用户的定制.