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11.
通过对观测的光球纵向磁场进行势场外推, 重构了一个太阳宁静区光球以上的磁场结构. 结果显示, 在20 Mm 以下, 开放磁力线呈现多个明显的小磁漏斗结构, 这些小磁漏斗结构随高度扩展, 并且在20 Mm 左右融合成大的漏斗结构. 通过系统地研究磁漏斗结构横截面积随高度的变化趋势, 发现太阳宁静区磁漏斗结构的截面积随高度近似线性扩展, 磁漏斗结构在较低高度上(<20Mm) 扩展的速度比在较高高度上 (>20Mm) 扩展的速度要快. 这一结果对太阳风起源和磁环中物质流动的二维数值模拟具有重要的意义. 同时还发现, 闭合磁力线的数目随高度以指数函数的形式减少. 相似文献
12.
本文例举观测实例说明,在宁静太阳风中或重现太阳风的低速流区,有可能形成行星际亚阿尔文波速流。这种流出现在阿尔文波速异常增强区,并与特定的磁场位形相联系。 相似文献
13.
14.
描述了一种用于材料表面改性的新技术--等离子体浸泡式离子注入,以及它的关键设备--高压脉冲调制器.我们研制了1台用于材料表面改性的光纤隔离同步控制的10 kV IGBT固态脉冲调制器.试验结果表明技术性能优良,输出电压幅值可在1~10 kV范围内调节,脉冲宽度可在2~100μs范围内改变,重复频率可在10 Hz~8.5 kHz范围内变化;在纯阻性负载时,注入电压波形的上升时间和下降时间分别为350 ns和1.64μs;在等离子体负载时,由于电缆电容和下拉电阻较大,上升时间增加到2μs,下降时间增加到30μs;如果减小电缆电容和下拉电阻,上升时间可以进一步减小,下降时间可以减小到15μs. 相似文献
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19.
20.
本课题建立了两种物理模型来描述理想脉冲情况下等离子体中的电子运动,并建立了电子运动方程.在无限长平面靶情况下首次得到了电子运动方程的解析解,提出了理想上升沿判据.通过对保形全方位离子注入的处理工艺参数的研究,获得了各个工艺参数之间的定标关系.研究结果表明,在相同的注入脉冲宽度情况下,增加等离子体密度和离子质量都能够获得更均匀的注入分布.注入波形的上升沿对注入离子能量分布造成的影响完全可以通过提高等离子体的密度和改变离子质量来消除.因此在设计调制器时追求过陡的上升沿意义不大,从技术难度和成本效益比上看,上升沿在1~2μs之间即可满足全方位离子注入过程对电源的要求. 相似文献