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101.
由美方挑起事端的2001年中美撞机事件最终却以美方逃避责任、握有铁铮铮的事实和证据证明美方错误行径的中方得不到满意的解释和赔偿而成为"悬案".本文尝试从西方修辞的角度对这种结果做出解释,认为这种结果与中美双方在修辞策略运用和认识上的差异不无关系,进而希望人们能够增强修辞意识,重视西方修辞教育,从而在与西方的修辞互动中占得上风或减少损失。  相似文献   
102.
本文用非定常数值法研究了钝体燃烧器后的紊流参数分布和能量逆转,并对Boussinesq的雷诺应力模式和双方程k-ε紊流模型提出了改进方案。这样不仅计算出了能量逆转区,而且紊流参数分布也与实验相符。  相似文献   
103.
对2003年8月26日青岛机场的大暴雨进行了诊断分析.分析表明西南倒槽东伸的低压带在向山东半岛发展的过程中,受高空槽影响和弱冷空气作用,不断加强,并发展成气旋,在适宜的环境流场中,其热力条件、水汽条件、动力条件具备,中低层大的正涡度中心处于机场附近,使青岛的不稳定能量得到释放,产生了大暴雨.  相似文献   
104.
近地磁尾准无碰撞磁重联事件   总被引:2,自引:2,他引:2  
综合分析了ClusterⅡ-C1飞船在2001年9月15日飞越地球磁尾等离子体片区的热离子和磁场观测资料。结果表明,约在0340-0440UT时间期间,资料多次呈现出较强的尾向离子流(VXGSM<0),明显的南向磁场分量(BZGSM<0),以及明显的晨-昏向磁场分量BYGSM等特征。由此可以推断,在磁尾等离子体片中,在径向方向XGSE>-18.6Re范围内,可能发生了多次磁重联事件,整个事件持续期约1h。磁重联事件的观测特征与准无(或半)碰撞磁重联理论的基本图像符合一致,因此这些事件应当是准无碰撞磁重联事件。  相似文献   
105.
太阳微波爆发频谱事件   总被引:1,自引:1,他引:1  
国家天文台1.0-2.0GHz,2.6-3.8GHz太阳射电频谱仪从1994年1月和1996年9月投入观测至2000年4月10日记录到太阳射电爆发分别为297个和316个,取得了高质量的高时间分辨率,高频率分辨率的动态谱资料,为研究耀斑各种尺度的时间及空间演化过程提供了丰富的信息,1998年4月15日的共同事件在时间和频率上显示了丰富的幅度和结构的变化。  相似文献   
106.
北京天文台在2.84GHz频率上观测到的带短时标精细结构的微波爆发与日本YOHKOH卫星上HXT在1991年10月-1992年12月观测到的硬X射线爆发(HXB)事件作了比较,发现在20个微波精细结构爆发事件只有12个与YOHKOH卫星记录的HXB有对应关系.本文对1992年6月7日典型事件中2.84GHz与HXB共同存在的百秒量级的准周期振荡作了分析及源区参数的计算,并作了简要的讨论.  相似文献   
107.
本文利用欧洲的EISCAT雷达观测资料及与这配合的地磁观测数据,用电离层参数直接计算和地面磁场反演两种方法导出了极区电离层Hall电导率,特别显示出在强对流电场激发的E层等离子体不稳定波对电子加热情况下,电导率明显增高。  相似文献   
108.
航天器在地面待发射期间和空间实际飞行过程中,热控元件光学太阳反射器要遇到各种地面和空间环境,为了航天器的可靠和长寿命,必须对所制备的OSR涂层进行各种地面和空间环境试验并对其各项性能检验与考核,该文就这一系列试验的目的和规范进行了讨论。  相似文献   
109.
介绍了一种新颖的原子氧模拟试验装置。该装置采用了微波电子回旋共振(electroncyclotronresonance简称“ECR”)的先进技术。最佳调试状态下,可获得10(15)/(cm2·s)的束流。在该试验装置上,对航天器上常用的Kapton和石墨环氧材料进行了原子氧效应试验,首次在国内成功的获得了原子氧束流模拟试验的样品结果。对样品的表面形貌分析证明:试验结果完全与国外同类设备的试验结论一致,这标志着中国在原子氧地面模拟技术领域的研究已取得重要进展。  相似文献   
110.
模拟地球同步轨道辐照环境对光学太阳反射镜性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了模拟地球同步轨道辐照环境对卫星用温控涂层-光学太阳反射镜(OSR)性能的影响。对所研制的两类OSR 片进行的辐照试验项目有,真空紫外辐照、低能电子和两种能量的质子辐照。此外还进行了等离子体环境条件下的表面充/放电效应试验。经过相当于安装在地球同步轨道卫星南北极位置处,在空间七年所受到的电子、质子和紫外辐照总剂量的辐照后,导电型OSR 的太阳光谱吸收率α_s 由0.068增加到0.078,法向发射率ε_n 由0.83降低到0.72;而非导电型OSR的α_s 由0.066增加到0.085,ε_n 由0.82降低到0.76。表面充/放电试验的结果表明:导电型OSR 的充电电位仅在15~40V 之间,而非导电型OSR 的充电电位则可高达13kV。因此导电型OSR能有效地控制表面的充/放电现象。  相似文献   
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