电路漏电流形成及预防

介绍了印制电路板漏电流的形成及影响,对不同环境条件下的印制板印制线间绝缘电阻进行了测试,得出了电路漏电流的控制方法,为可能出现的因电路漏电流导致的故障分析提供参考和依据。     

CM2程控稳流电源电流稳定性的自动化测试

文章将零磁通电流互感器技术应用到了大电流稳定性测试中,从而解决了CM2航天器磁环境模拟设备中的程控稳流电源输出电流稳定性测试的难题,稳定性指标高达10-5/8h。文章简述了零磁通电流互感器技术的基本原理,介绍了采用零磁通电流互感器技术对CM2程控稳流电源电流稳定性进行自动测试的方法,分析了影响大电流稳定性现场自动测试的因素并提出了相应解决方案。     

改进型滑模变结构电机控制的脉振电流注入法研究

为了提高永磁同步电机无位置传感器技术的控制性能,在电机动态品质优化的研究中,以滑模变结构控制器替代传统的PI控制器,采用新型趋近律函数改进滑模控制器的输出模型,削弱了传统滑模控制存在的抖振,提高了控制系统的抗干扰能力。在分析无位置传感器技术时,引入高通谐振滤波器,采用具备以高信噪比为特点的两相静止坐标系下高频脉振电流注入法。仿真结果表明,在带高通谐振滤波器的高频脉振电流注入法中运用滑模变结构控制器,提高了转子位置估计的精度,增强了控制系统的鲁棒性。     

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显；在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.     

高频电磁波调制电离层产生ELF／VLF辐射的研究进展

回顾了利用大功率的高频电磁波调制电离层自然电流产生ELF/VLF电磁辐射的发展情况.介绍了典型加热设备的系统参数配置情况以及地面和卫星上检测ELF/VLF信号的实验结果.总结了提高ELF/VLF产生效率等问题的进展情况,尤其是"波束扫描"技术的理论研究和应用发展.提出了该技术下一步需要研究及解决的问题.     

次级整流电阻焊焊接电流有效值的检测

分析了次级整流电阻焊焊接电流有效值的测量原理和处理方法，详细介绍了微机检测系统的硬件结构和软件设计，为次级整流电阻焊焊接电流的闭环控制提供了一种可行的方法。     

中性点谐振接地实施中电容电流的实测新方法

中性点谐振接地实施过程中，电容电流的确定是一个关键。本文根据补偿电网的等值接线图、单相接地故障时电压及电流向量变化图加以分析，提出一种新的电容电流的实测方法，并与计算值进行了比较。     

高分辨率电流频率转换电路设计

随着惯性技术的发展,对电流频率转换电路的分辨率要求越来越高,以往常用的I/F转换电路已经不能满足要求,本文在传统电路的基础上结合FPGA和DSP提出了一种电路设计思路来提高分辨率.设计了硬件电路和软件电路.根据大量的试验数据分析,此改进电路在不损失电流频率转换电路线性度和稳定性的精度下,把电路的分辨率提高了一个数量级,解决了高精度电流频率转换电路分辨率低的问题,进一步扩大了电流频率转换电路的使用范围.     

RTTB—3型旋转力矩试验台测量技术探讨

RTTB-3型旋转为矩试验台是一种对电机进行自动测试并记录测试数据的设备。在实际使用该型试验台测试正常航空电机性能中，发现该型试验台在设计上没有考虑加载时冲击电流的影响，使记录的被测电机性能数据曲线有误差。探讨了RTTB-3型旋转为矩试验台在加载时对冲击电流的处理方法，以及实际使用此方法测试电动机扭矩技术。     

多路并联半导体桥点火器同步发火故障机理研究

半导体桥点火器在工程应用中通常为多个产品并联在同一供电回路中使用，以实现火工装置同步点火。在实际应用中有时会出现某个火工装置点火失败的现象。当前，研究主要集中在半导体桥点火器本身电阻变化对单路点火过程电流、电压的影响，对多路并联半导体桥电流响应特性的研究较少。半导体桥点火器在多路并联同步使用时，作用机理及故障原理不清限制了其在该场合中的应用。文章设计搭建了多路并联半导体桥点火器点火电路，通过试验发现点火器多路并联使用时，支路电流存在突然下降或上升速度缓慢的现象，均可能造成点火器半导体桥区烧蚀不完全或瞎火。结合半导体桥点火器的点火机理分析得出电路电流突然下降会导致相变过程中止、电流上升较慢会导致相变能量不足，均会造成半导体桥电爆能量无法正常释放，进而无法正常激发内部起爆药，这是半导体桥点火器用在多路并联电路情况时出现点火失败的重要原因。