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261.
辅助动力装置喘振控制方法   总被引:15,自引:2,他引:15  
以带负载压气机的辅助动力装置(APU)为研究对象,分析了其引气工作特点及负载压气机喘振机理,提出采用出口换算流量小于最小稳定工作流量的方法来控制负载压气机稳定工作,当APU出口换算流量小于最小稳定工作流量2%时,通过打开喘振控制阀(SCV)防止APU喘振.设计了比例积分微分(PID)控制器控制SCV开度,试车数据与相同条件下的逼喘仿真试验结果对比表明,所提出的方法既可避免负载压气机喘振,又可保证出口压力满足引气要求.   相似文献   
262.
基于改进模糊SVM的转子振动故障诊断技术   总被引:3,自引:2,他引:3  
首先对常用的隶属度确定方法进行改进,提出了基于改进模糊支持向量机(FSVM)的融合故障诊断方法,并建立了改进FSVM故障诊断数学模型;然后,利用转子振动模拟实验台对四种典型的转子诊断故障进行模拟,并提取其故障信号特征;最后,通过实例计算分析,验证了该方法在转子振动故障诊断方面是可行的和有效的.  相似文献   
263.
"回收/调节"方法在混合LES/RANS模拟方法中的应用   总被引:1,自引:2,他引:1  
采用一种混合大涡模拟/雷诺平均Navier-Stokes(LES/RANS)模拟方法结合三阶加权基本无振荡(WENO)格式对马赫数为2.88的压缩斜坡流动进行了数值模拟,并采用"回收/调节"方法生成入口湍流脉动边界条件.当采用固定入口边界条件时,湍流边界层会缺乏合理的湍流能量,使之抵抗逆压梯度的能力减弱,会严重高估分离...  相似文献   
264.
电脉冲除冰(EIDI)技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
将电脉冲除冰(EIDI)系统的一个工作周期分解为四个过程,进而分析其工作原理.以冲击摆锤试验和Bernhart-Schrag模型为例,介绍了电动力学方面的研究方法和研究成果.通过蒙皮表面加速度、应变、振动位移等参数,分析了由脉冲力所产生的结构动力学特性.利用蒙皮表面的应变程度,给出了一种除冰预测准则.总结了包括飞行试验、疲劳试验以及电磁干扰试验在内的工程应用试验研究结果.在此基础上,对EIDI技术的发展方向进行了展望.   相似文献   
265.
本文首先了介绍响应面法和网格法的基本原理,翼型绕流场分析使用有限体积法空间离散和RUNGE-KUTTA时间迭代格式进行N-S方程计算,由翼型表面压力和摩擦力数值积分得到升力和阻力.然后,以NACA0012和GAw-1为算例,结合响应面法和网格法进行低速翼型的减阻优化设计,算例表明:在应用响应面法进行低速翼型优化时,采用...  相似文献   
266.
为完成对动目标的实时定位测量,有效减小测控装备组网测量实时跟踪定位误差,在建立多定位子系统组网混合式融合结构模型的基础上,利用Kohonen网络的自组织特征映射模型特点,确定各组交会数据的权值,并将其输入1个Kohonen网络进行在线竞争、融合求得目标的位置信息,增强了目标实时位置信息的连续性、完整性,减小了实时定位误差。  相似文献   
267.
刘承武  阳建红  邓凯  陈飞  张晖 《推进技术》2011,32(2):225-229
为了研究复合推进剂基体的大应变粘弹性和界面的非线性脱粘,将Mori-Tanaka法和有限元数值求解相结合,提出了一种Mori-Tanaka有限元法。同时,为验证该方法的有效性,针对推进剂夹杂随机填充的特点,提出了一种含非线性界面脱粘的数值仿真法。最后以某推进剂配方为算例,对两种方法的计算结果了进行比较。结果表明,两种方法结果接近,从而验证了Mori-Tanaka有限元法的有效性,且该方法计算量小,极大的提高了计算效率。两种方法的提出,可以有效的用来分析界面对推进剂力学性能的影响。  相似文献   
268.
本文研究了一维非定常气-团二相流的特征,对于目前常用的、包含一定近似的运动方程组,它有两个虚部很小的复根,研究表明这种很小的虚部出现与方程中引入的近似有关。从十多个算例的结果看,这样的虚部不影响人们在工程计算中用该方程组求解初值问题。针对具有上述特征的气-团二相流方程组,本文发展了一种类特征线方法,它保留了双曲型方程特征线方法的若干优点,但它允许方程的特征根中有微小的虚部。含灰气体激波管流动的计算表明,类特征线法具有精度高、数值耗散和弥散小等优点  相似文献   
269.
研究用三维特征线相容性关系的迎风差分格式,数值模拟超音速和高超音速钝体无粘绕流流场。用钝体反方法计算头激波及其波后的流场,用轴对称流特征线法确定初值面上的流动参数。算例的计算结果与实验数据比较吻合  相似文献   
270.
采用无机溶胶-凝胶法制备VO2相变薄膜,该薄膜相变时的电阻(率)突变可达4~5个数量级。并用XRD,DSC和TGA法研究了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构。通过适当的非晶晶化过程及随后V2O5→VO2转变的真空热处理,可获得带有空洞(void)结构的低密度纳米薄膜,从而使电阻(率)突变特性异常优异  相似文献   
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