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空间辐射环境常导致存储器发生单粒子翻转,设计了一种基于Hsiao编码的EDAC电路,并通过编解码电路复用的策略来进一步减小电路面积,该电路与目前广泛应用的扩展Hamming码电路相比,面积减少了近50%,速度提高了近20%,并采用了一种新颖的方法来实现单错自动回写功能,可有效解决CPU中断行为.通过增加控制寄存器的三模冗余(TMR)设计来保证存储器操作的正确性,仿真验证了该设计的有效性和优越性. 相似文献
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空间辐射环境严重影响星载SRAM (Static Random Access Memory)型FPGA (Field Programmable Gate Array)的可靠性,提出了星载SRAM型FPGA可靠性快速验证评估方法.在传统故障注入验证的基础上,引入可靠性预评估技术,在逻辑门级分析单粒子翻转对FPGA配置信息位的影响,同时对TMR (Triple Modular Redundancy)冗余方式进行单粒子翻转关键位置评估.然后构成不同敏感级别的故障序列,最后根据应用需求选择不同故障序列进行故障注入从而有效快速评估系统可靠性.该方法与逐位翻转相比,能够在保证故障覆盖率的同时,有效地减少实验时间,提高实验效率. 相似文献
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针对1994-2011年的363例地磁急始事件,基于太阳风动压脉冲(DPP)结构自动识别算法确定是否有相应的太阳风动压脉冲结构事件与其相关联,进而针对太阳风动压脉冲结构地磁急始关联事件进行统计分析研究.研究结果显示:91%的地磁急始事件与DPP事件相关联,53%的地磁急始事件与行星际激波相关联,这表明太阳风动压脉冲结构是引起地磁急始更普遍的原因;引起地磁急始的太阳风动压脉冲结构事件约70%发生在行星际日冕物质抛射、共转相互作用区以及行星际日冕物质抛射和/或共转相互作用区相互作用形成的复杂抛射物等大尺度太阳风扰动结构中,且其平均动压变化幅度为3.9nPa,强太阳风动压脉冲结构事件占全体事件的42%;地磁急始事件变化幅度与太阳风动压脉冲变化幅度以及上下游动压平方根差之间存在明显的相关关系,相关系数分别为0.79和0.82,并且行星际磁场南向时相关性更强;太阳风动压脉冲结构事件持续时间、传播速度、动压变化幅度对地磁急始事件的持续时间有一定影响,但这些参数与地磁急始事件的相关关系较弱.研究结果可为基于太阳风动压脉冲结构特征参数开展地磁急始预报提供研究基础. 相似文献
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文章根据NOAA卫星和GOES卫星的测量数据,对太阳质子事件期间地球同步轨道(GEO)和太阳同步轨道(SSO)的质子辐射情况进行考察。采用Bendel双参数模型对GEO和SSO由质子引起的器件单粒子翻转率进行估算,并分析了影响翻转率的因素。在器件敏感度一定的情况下,单粒子翻转率与大于能量阈值的质子总通量以及质子能谱硬度呈正相关。SSO与GEO的质子辐射及单粒子翻转预测对比研究结果表明:由太阳质子事件引起的SSO质子能谱比GEO的要“软”。太阳质子事件对SSO卫星的影响与对GEO卫星的影响之间存在相关性。两轨道上DRAM型的D424100V器件和SRAM型的HM6516器件的翻转率比值接近,SSO翻转率约为GEO的13%~22%,而双极型93L422器件翻转率比值则在26%~57%之间。通过对比SSO与GEO翻转率的比值和两轨道辐射程度的比值发现,不同的器件对能谱硬度的反应各异,原因是每种器件产生SEU的能量阈值不同。 相似文献
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《中国民航飞行学院学报》2017,(4)
本文在"翻转课堂"教学流程基础上,以建构主义学习理论为指导,探讨大学生英语学习态度转变原因。选取我院表演专业学生作为"翻转课堂"教学模式试点班,对学生的英语学习态度从认知学习态度、情感学习态度和行为学习态度三方面进行考察。结果发现:翻转课堂的教学程序设计合理,着力提升学生的综合应用能力和交际能力,使学生对英语课的实用性和认可度提升;翻转课堂为学生提供个性化、协作式的学习环境,激起学生学习英语的兴趣,从而对英语持有积极的情感学习态度;翻转课堂颠覆传统授课模式,注重培养学生的学习能力和学习策略,使学生有效内化所学知识,从而提高大学英语教学效果和学习效率。 相似文献
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为确保金属隔膜的可靠翻转,实现金属隔膜式贮箱的推进剂供给功能,研究分析了材料应变硬化性能对隔膜锥段翻转行为的影响。结果表明,高应变硬化性能的隔膜(n=2.4和3.4),已翻转翻边段和未翻转锥段的力学性能失配程度较高,导致锥段抗失稳能力较低,最终在翻转过程中发生径向失稳,同时翻转压力较高;低应变硬化性能的隔膜(n=9.4和11.4),已翻转翻边段和未翻转锥段的力学性能失配程度较低,导致锥段抗失稳能力较高,最终在翻转过程中不发生径向失稳,同时翻转压力较低;中等应变硬化性能的隔膜(n=5.4和7.4),其锥段径向失稳情况与材料屈服强度有关;高屈服强度隔膜实现不发生锥段进行失稳所需的最高应变硬化性能(nmin=9.4)小于低屈服强度隔膜所需的最高应变硬化性能(nmin=7.4)。 相似文献