残余应变对锥柱形膜片多次翻转行为的影响研究

弧长法能跟踪复杂的非线性平衡路径全过程,但计算受初始设定载荷影响较大,而针对这一局限设计的改进算法能更好地求解膜片翻转过程。考虑新型Ti3012合金、纯钛、理想材料,基于改进弧长法研究残余应变对锥柱形膜片多次翻转行为的影响,得出新型Ti3012合金膜片的正翻与回翻过程均没有纯钛膜片好,且存在严重偏心现象,其98%正向翻转状态时回翻过程中不仅偏心量达到60mm,而且出现褶皱等严重失效行为;理想材料在不同正向翻转状态时反向回翻,膜片均存在严重的偏心问题,最大偏心量大于80mm;纯钛膜片仅98%正向翻转状态时回翻过程中偏心量稍大,约为10mm。无残余应变这一材料特性降低了膜片结构刚度,同时伴有初始弹性模量减小的性质,这些因素均不利于膜片多次翻转。     

星载BX1750A芯片抗单粒子翻转性能评估

用软件包和FOM方法分别计算了BX1750A芯片在三种太阳同步轨道以及不同宇宙环境下的单粒子翻转率。根据器件及单片机系统在轨单粒子翻转率与“零翻转”可靠度的关系，量化地评估了该芯片及所属系统应用于不同飞行任务时的抗单粒子翻转(SEU)性能。分析结果表明，BX1750A芯片抗单粒子效应的性能较高，可作为低太阳同步轨道3年或5年寿命卫星关键计算机系统的选用芯片。同时为确保系统SEU零失效，有必要采取软件和其他加固措施。     

一种双模互锁的容软错误静态锁存器

针对太空环境下粒子辐射引发的软错误已经成为芯片失效的主导原因,提出一种容软错误锁存器结构——DIL\|SET。该结构在内部构建基于C单元的双模互锁结构,针对单事件翻转进行防护。ISCAS\|89标准电路在UMC 018μm工艺下的实验表明,使用DIL\|SET代替未经加固的静态锁存器,面积开销增加499%～5347%,软错误率平均下降99%以上。
     

基于大学数学教学转型发展的探讨与研究

依据转型发展建设规划和人才培养方案,本文提出大学数学教学从教学思想、教学观念及教学方法三方面进行转型;从就业导向和学科知识交叉融合角度,确定数学建模为转型发展方向,旨在提高大学生的学习能力和应用能力。     

某型卫星测试转台俯仰翻转丝杠动力学分析

以某型卫星测试转台俯仰机构为研究对象,在ADAMS中建立了虚拟样机,得到了在翻转过程中丝杠轴向力曲线,并将仿真结果与理论计算结果及试验结果进行比较,验证了虚拟样机建模的合理性;研究结果为同类物理样机设计中滚珠丝杠的选用校核,台体框架的设计校核以及机电联合仿真提供有利数据支撑。     

翻转课堂背景下大学英语分层生态教学初探

江西服装学院外语分层教学改革已经进行近三年时间,在科技信息化浪潮的推动下,在深化教学改革的过程中,结合不同生源英语基础多样化、学习需求差异化的实际情况,将翻转课堂教学模式配备到分层教学体系中,发挥出分层教学和翻转课堂各自的优势,实现大学英语课堂的生态化教学,提高了教学效率,突显了教学效果。     

SRAM的SEU效应及加固技术三维数值模拟

利用TCAD软件,构建了特征尺寸为0.18μm的三维器件模型,采用器件与电路联合仿真的方法,对重离子在静态随机存储器(SRAM)中引起的单粒子翻转(SEU)效应进行了模拟,分析了SRAM单粒子翻转的机理。仿真了各种阻值的反馈电阻对SRAM抗SEU的效果,确定了SRAM单元抗SEU反馈电阻的阻值。仿真结果表明,搭建的仿真平台可为加固型SRAM电路的研制提供仿真平台和设计依据。     

航天用SRAM型FPGA抗单粒子翻转设计

采用SRAM工艺的FPGA因其性能优异,在空间领域的应用受到重视;但是在空间环境中,SRAM型FPGA易受单粒子翻转的影响而导致逻辑故障或功能中断。文章提出对该类芯片的配置逻辑部分采用回读比较后刷新、对其BRAM部分采用通用自纠错宏的抗单粒子翻转（SEU）设计方案,在牺牲一定的器件性能的情况下,能达到较好的抗辐射效果。