半导体器件铝腐蚀的判别方法研究

半导体器件内部铝腐蚀是卫星用半导体器件主要的失效模式之一,快速准确地判断铝腐蚀具有重要意义。文章给出了判别方法和程序,并对方法中的关键技术进行研讨。     

半导体器件单粒子效应的机理,试验和预计

介绍了空间高能粒子环境及单粒子效应的机理、模拟试验方法和错误率计算方法。空间高能粒子环境由银河宇宙射线、太阳宇宙射线及地磁捕获粒子组成。单个高能粒子可在半导体中通过库仑作用或核反应电离出大量电子—空穴对,从而引起半导体器件逻辑紊乱或失效。用加速器产生的高能粒子进行模拟试验可获得器件对单粒子效应的敏感参数;由E.L.Peterson 等人的经验公式或CREME 程序预计器件在特定环境下的出错率。     

XJ4810型图示仪故障分析与维修三例

我单位是半导体器件生产厂家,晶体管特性图示仪的使用量非常大.在多年的检/校工作中,发现该仪器由于受使用环境、开机时间长、搬移等因素的影响,容易出现精度下降、光迹漂移等现象.     

质子单粒子翻转截面计算方法

在分析质子与硅反应的基础上,建立了质子单粒子翻转截面理论计算模型,提出了模拟计算方法。计算得到了不同能量的高能质子与硅反应产生的次级粒子种类、截面、能谱和双微分截面。采用Monte Carlo方法模拟质子与硅的反应;应用TRIM程序计算次级粒子的射程;计算得到次级粒子在存储单元的灵敏区内沉积的能量,产生的电荷。通过与临界电荷的比较,判断是否导致单粒子翻转,从而得到单粒子翻转截面。计算得到的单粒子翻转截面与实验数据符合较好。     

双极晶体管不同剂量率辐射退化机理

通过对双极器件剂量率效应退化机理进行分析,探讨了双极器件抗辐射加固途径,评估了双极器件抗辐射能力的试验方法。     

微波半导体器件S参数的测量

本文介绍了用重新计算系统误差参数的方法来实现夹具误差修正的基本原理,详细介绍了应用HP85014A有源器件测量软件的主程序,通过研制加工测试夹具和编写相应的修正夹具误差的子程序,以实现测量多种不同外型尺寸的器件的方法。本文给出了编写修正夹具误差子程序的方框图及在设计和使用测试夹具中应考虑的几个问题。最后给出了用我们新设计的测试夹具和相应的夹具误差修正软件得到的测量结果与用HP85041A夹具和HP85014A软件得到的测量结果的对比。