几种微波半导体器件的辐射试验及分析

为了对国产微波半导体器件的抗辐射能力进行验证,我们于1994年9月对4种器件进行了总剂量效应实验。1 实验方案及要求 由于设备空缺,或虽有设备但测量范围不够、精度不够等原因,本次实验采取如下方案: 1)采用稳态总剂量辐照; 2)辐射源为60Co r射线; 3)采用移位测试,静态,辐照未加偏压; 4)专门设计印刷线路板和夹具,辐照中所有器件都固定在夹具上,用转换开关依次更换器件;     

航天科工防御技术研究试验中心（中国航天科工集团第二研究院二○一所）

航天科工防御技术研究试验中心（中国航天科工集团第二研究院二○一所）。主要从事元器件复验和筛选、产品环境与可靠性试验检测、材料理化分析及无损检测、半导体器件破坏性物理分析（DPA）及失效分析等工作并开展相关技术研究工作。     

电路CAD(计算机辅助设计)中元器件模型的选取及应用

本文对于电路CAD中常用的几种元器件,从工程实用角度提出了元器件模型的选取问题,讨论了常用的几种元器件模型,并应用于一个具体电路中,获得了正确的结果。     

半导体器件的老化试验

本文作者是美国加州Aehr试验设备公司的产品经理。他认为,早期剔除易出故障的元器件,不仅可以提高电子设备的可靠性,而且在经济上是合算的,但要使用恰当的筛选设备。文中介绍了用计算机进行元器件老化试验的好处。     

空间轨道单粒子翻转率预估方法研究

系统分析了国外单粒子翻转率预估方法，提出了一种适合国内现状的单粒子翻转率预估方法，计算了五个典型轨道上的单粒子翻转率和轨道翻转系数，为评价半导体器件抗单粒子效应的能力提供了依据。     

SOI/SIMOX-CMOS器件的研究

研究SOI-SIMOX(Silicon On Insulation-Separation by Implanted Oxygen)材料及SIMOX-CMOS器件.高能大剂量(170keV,1.5×10¹⁸/cm²)氧离子注入到P型(100)单晶Si衬底,再经高温长时间(1300℃,6h)退火,形成SIMOX结构材料.经测试,SIMOX表层单晶硅膜反型为N型,研究表明,这是由于在制备SIMOX的工艺中,残留在SIMOX表层硅膜内的氧离子起施主作用所致,并计算出氧杂质在硅中的施主电离能,其值为0.15eV.采用SIMOX材料研制了MOSFET及CMOS三3输入端与非门电路,并介绍了研制SIMOX-CMOS器件的主要工艺.     

产体器件的过应力损伤

半导体器件的过应力损伤问题是危害电子产品可靠性的首要问题。过应力损伤包括电过应力损伤、机械过应力损伤和过高温度损伤。为减少半导体器件在使用现场发生失效，提高经济效益，详细地介绍了半导体器件在使用过程中易发生的过应力损伤。     

电子设备装联工艺中的防静电要求

半导体器件的组装中,由于静电的影响危害器件质量的事例很多,因此采取各种工艺措施消除静电,从产品设计、生产、包装、运输、贮存等各个环节以充分注意,是提高电子设备产品质量的重要条件。