单片集成温度传感器

本文介绍利用双极型晶体管和集成电路构成温度传感器的各种方法。讨论了单晶体管敏感元件的性能。文中提出二种集成电路,其一的输出电流精确地正比于绝对温度。另一种新型的集成电路的输出电流可按°C、°F或任意分度。此外还介绍了一些供特殊应用的集成温度传感器,其中包括精密的小量程温度传感器、具有逻辑及模似信号输出的温度传感器和温控振荡器。     

电子封装金属基复合材料的研究现状

本文介绍了电子封装用金属基复合材料的研究现状，分别从基体、增强体、制备工艺几方面讨论了其对得合材料性能的影响，着重介绍了作为电子封装材料应用前景较好的高比例SiC颗粒增强铝基复合主其已部分实现规模工业化生产的铸造法，并进一步提出了尚待解决的问题。     

SOI/SIMOX-CMOS器件的研究

研究SOI-SIMOX(Silicon On Insulation-Separation by Implanted Oxygen)材料及SIMOX-CMOS器件.高能大剂量(170keV,1.5×10¹⁸/cm²)氧离子注入到P型(100)单晶Si衬底,再经高温长时间(1300℃,6h)退火,形成SIMOX结构材料.经测试,SIMOX表层单晶硅膜反型为N型,研究表明,这是由于在制备SIMOX的工艺中,残留在SIMOX表层硅膜内的氧离子起施主作用所致,并计算出氧杂质在硅中的施主电离能,其值为0.15eV.采用SIMOX材料研制了MOSFET及CMOS三3输入端与非门电路,并介绍了研制SIMOX-CMOS器件的主要工艺.     

主动制冷型温控系统在捷联式重力仪上的应用

针对惯性导航系统内部惯性器件工作温度偏高的问题,以捷联式重力仪为研究对象,基于热电制冷器设计了一套主动制冷型温控系统.它可显著降低惯性器件工作环境温度及其变化率,有利于提升加速度计工作的温度稳定性和长期稳定性.根据系统仿真与实验验证,直接控制对象的温度能够稳定在30℃±0.05℃.与加热型温控系统相比,温差达到了-21.00℃,加速度计的工作环境温度从56.00℃降低到了43.59℃.主动制冷型温控系统能够提升重力仪在高温环境下的环境适应性,且其温度分布更加有利于提升加速度计的输出稳定性.     

Diener等离子清洗机应用

等离子设备广泛地应用于半导体、生物医疗、纳米材料、光学电子、平板显示、航空航天、科研及通用工业领域。1等离子体技术在通用工业领域的应用1.1电子行业a.灌装:提高灌注物的粘合性灌装是指通过灌注树脂来保护电子元件。     

星用非金属材料出气物成分及污染光学测试分析

文章利用新研制的分子污染出气物成分检测分析设备,对空间辐射致冷器用的几种星用非金属材料的出气污染物进行测试,分析鉴定材料出气物的成分,确定材料在真空烘烤过程中观察到的各种物质源。利用试验获得的材料出气污染物对光学参数的影响数据,并结合光学效应试验研究结果,进一步得到材料出气引起透镜光学参数变化的结果,为型号设计师提供直接的污染控制依据。     

一种敏感电路式露点测量方法

针对大气湿度测量问题,提出一种基于敏感电路的露点测量方法.把考比兹电路中的石英晶体作为湿敏元件,用半导体制冷器对其进行制冷直到有结露产生时使得石英晶体处于液相环境中,整个考比兹电路将停止振动,利用考比兹电路这一敏感特性对露点进行识别,可以得到相应的露点温度.通过理论数据与实验数据对比分析,露点温度的最大误差为1.59℃,此方法可以从定性的角度作为一种湿度快速识别方法,并具有测量方法简单、灵敏度高、可靠性好和成本低等优点.     

当基因遇上晶片

半导体科技可谓20世纪人类最伟大的发明之一.每秒数百万次的运算能力,奠定了资讯世纪的基础,而生物科技则将主导21世纪的人类健康.     

科技成果

欧盟先进硅材料研究取得重大突破 据中国科技部网站2012年5月2日消息，欧盟信息通信技术（ICT）主题资助850万欧元的研发项目“互补金属氧化物半导体的光电子功能集成”（HELIOS），近日取得了重大创造性突破。由法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）领导的法、英和比利时等欧盟成员国研究团队，首次研发出世界上第一个硅基材料可调谐发射器，     

SIMOX样品导电类型反型的研究

氧离子注入Ｐ型（１００）单晶硅形成ＳＩＭＯＸ样品，经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试，形成了ＳＯＩ结构；经霍尔测试仪测试，制备的ＳＩＭＯＸ样品表层硅膜反型为Ｎ型导电类型，ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，氧施主电离能力为０．１５ｅＶ，该值与早期文献报道的实验值一致。