用于空间太阳能电站的新型高效半导体功率器件可靠性研究

文章重点围绕GaN基HEMT器件的辐照效应和高场退化效应进行论述,立足于空间用GaN基HEMT器件技术发展需求,着眼于空间用GaN基HEMT器件的可靠性研究进展,从理论上分析材料和器件参数变化的原因,提出星载GaN基HEMT器件的高可靠性、长寿命控制手段。     

自主创新 科学发展 努力向国际一流电子技术大所迈进

中国航天科技集团公司第九研究院第771研究所始建于1965年10月,地处古都西安,是全国唯一的集专用微计算机、半导体集成电路和混合集成电路科研生产为一体的大型专业研究所,现有在职职工4855人,各类专业技术人才2300余人。45年的发展中,771所创造了我国计算机和集成电路发展史上的＂十个第一＂,成功参加了以神舟飞船、嫦娥一号、二号探月卫星等为代表的780余次国家重点工程研制及发射任务,为我国航天事业的崛起与腾飞作出了重要贡献。共取得科研成果2000多项,其中国家级40项,省部级240项。     

线性调频半导体激光衍射光栅干涉仪

介绍一种以线性调频半导体激光为光源的衍射光栅干涉仪。激光与光栅上衍射的±１级衍射波会合，由于有光程差而发生光拍频，测量拍频信号的相位移则可测得光栅的位移。设计了一种克服激光波长漂移和空气折射率变化影响的对称差动光路，使这种方法达到实用化的程度，分辨力达到纳米级。此外，还介绍了应用于接触干涉仪的实验情况。     

Ⅲ—Ⅴ族四元固溶体中原子近邻及次近邻的键长表达方式

基于ＦＤＵＣ模型和Ⅲ－Ⅴ族元素共价半径不变的假设，本文出了Ⅲ－Ⅴ族固溶体中原子近邻和次近邻的键长表达式。这套键长表达式除依赖于四个Ⅲ－Ⅴ族元素的含量（ｘ，ｙ）外，只与四个纯化合物的晶胞参数或这四个Ⅲ－Ⅴ族元素的共价半径有关。而且也含盖了相应的伪二元固溶体的情况。本文还对其他的理论模型作了进一步的比较和讨论。     

魅力无穷的太空发电站

在1876年，两位英国科学工作者亚当斯和戴首先发现：用硒半导体可以把太阳光直接转变成电能。尽管这种转变的效率只有1％，即用100瓦的太阳光能只能得到1瓦的电能，但这仍然是一个历史性的发现和突破!太阳光能的转变效率至今仍停留在20％的水平上，预计不久可提高到30％～40％。     

多路并联半导体桥点火器同步发火故障机理研究

半导体桥点火器在工程应用中通常为多个产品并联在同一供电回路中使用，以实现火工装置同步点火。在实际应用中有时会出现某个火工装置点火失败的现象。当前，研究主要集中在半导体桥点火器本身电阻变化对单路点火过程电流、电压的影响，对多路并联半导体桥电流响应特性的研究较少。半导体桥点火器在多路并联同步使用时，作用机理及故障原理不清限制了其在该场合中的应用。文章设计搭建了多路并联半导体桥点火器点火电路，通过试验发现点火器多路并联使用时，支路电流存在突然下降或上升速度缓慢的现象，均可能造成点火器半导体桥区烧蚀不完全或瞎火。结合半导体桥点火器的点火机理分析得出电路电流突然下降会导致相变过程中止、电流上升较慢会导致相变能量不足，均会造成半导体桥电爆能量无法正常释放，进而无法正常激发内部起爆药，这是半导体桥点火器用在多路并联电路情况时出现点火失败的重要原因。     

一种用于光传飞控系统的光纤温度传感器研究

利用半导体光吸收原理，设计出一种光纤温度传感器，它可实现强电磁干扰下高空无人机内的环境温度测量，具有体积小，结构简单的特点。该测试仪用GaAs晶片作为温度敏感元件，采用透射式结构，利用双光束补偿原理消除了光路扰动产生的误差。实验结果表明该传感器在-20-85℃的范围内有良好的温度响应。     

轧制复合内管板式冰箱蒸发器的制造技术

内管板式冰箱蒸发器成形技术是一种基于两铝板轧制焊台的成形技术,轧前对两板作表面处理,印刷阻焊剂,再经大变形量热轧实现两板的冶金焊合。轧后向复合板内涂有阻焊剂部位接通高压气,迫使其向两侧涨起形成板内管道,在管道口再焊上接管构成一个完整的蒸发器。整个成形技术的四大关键是:阻焊剂及其涂复、轧制焊、吹涨、焊接。     

半导体器件中Au—Al键合失效机理及影响因素研究进展

半导体器件中 Au-Al 键合系统失效在国外早就引起重视,许多专家学者在此领域进行了广泛和深入的研究工作。目前在国內尚未看到有关这方面的文献报道,而 Au-Al 系键合失效现象却在不断涌现。本文就国外近20多年来对 Au-Al 系统失效机理及影响因素的研究工作进行了介绍和评述。     

一种高能激光光强测试新方案

为了测试高能CO2激光光强分布,提出利用半导体制冷片作为靶屏,用热像仪测量屏表面温度,通过热像仪的图像回推屏上光强分布.从理论上分析了工作中的制冷片在CO2高能连续激光辐照下热面温度的时空分布,给出回推光强的重构算法.