PTC陶瓷元件的应用与市场

简要介绍正温度系数（ＰＴＣ）效应，分析ＰＴＣ陶瓷的电阻－温度、电压－电流和电流－时间三大特性；论述ＰＴＣ陶瓷元件的工艺过程，并给出生产的工艺过程框图。对ＰＴＣ陶瓷元件的应用领域、应用前景和销售市场作了分析。     

空间能量粒子探测方法研究

阐述了空间能量粒子探测的原理和方法。介绍了国外在能量粒子探测方面所采用的半导体望远镜测量法、电场加速法、磁偏转法等方法，分析了它们各自的优缺点。就制约能量粒子探测技术发展的关键因素进行了讨论。并以此为基础，结合我国实际情况提出了一种新的探测方法。     

某型导弹多功能发射车调温系统优化控制应用研究

分析了半导体致冷器的性能特征，介绍了发射车调温系统的结构组成和特点，并提出获取半导体致冷器最佳工作电流和调温系统最大致冷量的解决途径，同时着重讨论了几点具体的实现方法。     

从应变计现状看电阻式传感器的前景

电阻式传感器的核心部件——电阻应变计是目前最常用的应力分析的敏感元件。也常用于测量力、压力、扭矩和加速度等物理量。作者简要回顾了电阻应变计的发展历史，介绍了电阻应变计的结构、分类及现状，展望了电阻式传感器的前景。     

InSb磁敏电阻角位移传感器的研究

简单分析了InSb磁敏电阻的工作原理，讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成转动速度及位移传感器的测试原理；针对半导体材料对温度十分敏感的特点，提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法，并对其优缺点进行了讨论。     

碳化硅在导热材料中的应用及其最新研究进展

随着社会的发展和科学技术的进步,电子设备和仪器越来越趋向精密化、小型化和高性能化,而效能提升随即带来对导热散热的高需求.其中,碳化硅(SiC)由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性,在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景.除此之外,SiC具有的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料...     

基于TEC的空间站末端回路温控系统建模及其热力学性能分析

针对空间站中间回路温度波动过大,高温时导致科学载荷工作温度超出允许范围的问题,设计了一种基于热电制冷器(TEC)的末端单向流体回路温控系统。该系统包含一个TEC温控模块,当中间回路温度过高,末端回路冷却功率不足时,该模块可提供额外的制冷量,降低流入冷板的工质温度,形成针对科学载荷的相对低温区域,恢复回路的冷却能力。分别建立了温控系统数学模型与数值仿真模型,并完成了热负载扰动、中间回路温度扰动、末端回路流量扰动和并联支路热扰动等4种扰动对系统热力学特性影响的仿真分析,验证了TEC模块的温控性能。结果表明:在科学载荷发热功率增加30%、中间回路的温度升高5K、末端回路流量减小至0.0015kg/s等多种工况下,所设计的温控系统能够将载荷温度控制在1K以内,实现科学载荷精确温控。      

新型半导体导电类型判别仪设计与研制

在详细分析金属和半导体接触的整流理论基础上,通过增加补偿二极管、保护电路和数码显示电路改进了传统的三探针整流法,设计了一款用于对半导体材料导电类型判别的测试仪,实际运行结果表明该测试仪具有准确度高、电路结构简单、操作简便、成本低等特点,可满足实际生产和教学的需要.     

抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计

为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果.