CVD金刚石薄膜表面抛光技术的研究

对CVD金刚石膜的离子束铣削、电子束加工、激光加工、化学辅助机械抛光、热化学抛光等抛光技术的加工方法与原理进行了介绍,分析了这些方法的优点和不足之处。并展望了CVD金刚石薄膜抛光技术的发展方向。     

薄壁构件试验模型的动力学相似设计方法

针对由薄壁构件相似模型试验结果预测原型动力学特性的问题,建立了统一的数学模型,并基于方程分析法推导了动力学相似关系.通过对薄壳单元进行受力分析,推导得到薄壁构件的微分方程,并通过微分方程得到完全几何相似模型可准确预测原型动力学特性的相似关系.在建立薄壁构件结构参数对固有频率的敏感性与相似因子指数的比值关系基础上,提出薄壁构件不完全几何相似模型与原型的动力学相似关系(即畸变相似关系)的确定方法.最后给出基于敏感性分析的薄壁构件精确畸变相似关系设计流程,为薄壁构件相似试验模型的设计及动力学特性的预测提供参考.     

[001]取向DD6单晶合金的薄壁试样持久性能与断裂行为

采用薄壁试样研究了温度为980℃、应力为250MPa条件下［001］取向DD6单晶合金的薄壁持久失效行为,结果表明:薄壁试样的持久寿命低于标准圆棒试样,表现出显著的薄壁效应。薄壁试样的厚度和持久寿命之间存在函数关系。薄壁试样持久断口边缘区域氧化严重,内部区域为微孔聚集型断裂,持久断裂模式为“表面氧化-裂纹萌生-扩展”和“内部蠕变损伤”共同作用,且试样越薄,表面氧化程度越大,持久寿命越短。      

复合薄膜表面技术研究进展

概述了复合薄膜表面技术研究进展以及在航空,航天等方面的应用,并提出了有待深入研究的问题。     

浸渍-提拉法制备WO3薄膜的气敏性能研究

采用溶胶-凝胶方法制备WO3前驱液,利用浸渍-提拉法使其成膜。通过XRD分析了不同热处理温度对WO3晶体结构的影响,通过SEM图观察了不同提拉次数的WO3薄膜形貌。所得WO3薄膜的微观结构和气敏性能随提拉次数不同而有很大差异,提拉1次、2次的样品薄膜不连续,电阻过大,灵敏度无法测量;提拉3次成膜的样品电阻稳定,气敏性能最好,对NO2有很高的灵敏度。     

薄板激光弯曲温度场的数值模拟与校验

采用MSC.Marc非线性有限元软件,对薄板激光弯曲过程中的温度场进行了数值模拟 ,得到了引起薄板激光弯曲变形的温度场的变化规律.通过温度传感器测量与激光扫描线相 对应的薄板下表面温度变化的规律来验证数值模拟的结果.模拟值与实测值基本吻合,表明 数值模拟结果可作为激光加工工艺参数选择的依据.     

低电压(10V)下镁合金表面电化学氧化膜层

基于高电压下氧化成膜有可能对镁合金基材机械性能造成损伤.研究了在以硅酸钠为主要成分的电解液中,施加10~110V交流电压对AZ91D镁合金表面进行电化学氧化的成膜过程.探讨了氧化电压、氧化时间等对膜层性能的影响规律,并且对所获得氧化膜层进行了微观分析.结果表明:在10V电压下氧化就能获得与70~110V电压下耐腐蚀性相当的氧化膜层;而且在10V交流电压下获得的氧化膜层形成过程为颗粒状形式-连接成块状-完整的膜层-交错叠式生长等4个阶段.     

导电圆柱壳体磁弹性二阶谐波共振响应分析

 研究了磁场环境中受机械载荷作用圆柱壳体的二阶谐波共振响应问题。首先给出了电磁场环境中导电圆柱壳体的非线性磁弹性振动方程和电磁场方程,并应用伽辽金积分法导出了相应的无量纲化非线性振动微分方程。然后采用多尺度法对系统的二阶超谐波和亚谐波共振问题进行求解,得到了稳态运动下关于定常解的幅值响应方程及解的稳定性判别式。最后通过数值算例,给出了共振幅值随磁感应强度和外激励力等参量变化的特征曲线图,分析了解的稳定性、奇点性态及分岔特性。结果表明,通过电磁或机械参数的适当选取,能够达到激发或抑制系统共振现象的目的。     

薄壁结构的加筋布局优化设计

采用拓扑优化方法研究了薄壁结构的加筋布局优化问题。考虑到航空航天领域薄壁加筋结构的大量使用与结构形式的复杂性,提出了一种适用于有限元自由网格剖分的加筋设计新方法——几何背景网格法。该方法一方面通过定义几何背景网格的大小,实现了加筋设计域内任意离散网格沿加筋高度方向的布局参数化定义;另一方面,通过背景网格曲线坐标系下的定义,实现了三维曲面薄壁壳结构的加筋布局设计。采用该方法分别对平面结构与曲面薄壁结构进行了以结构刚度最大为目标的加筋优化设计。数值结果表明,所提出的方法能有效获得合理的加筋布局。     

用于AgGaS2晶体生长的石英安瓿镀碳工艺研究

采用金相显微镜、推力分析仪等测试手段研究了石英安瓿内壁镀碳工艺对所镀碳膜的表面形貌、碳膜和石英安瓿结合力的影响。获得了一个较佳的镀碳工艺,即在气体流量为600 ml/min,镀碳温度在1060℃~1100℃之间,镀碳时间为30 min,冷却时间为11 h的条件下可获得均匀、致密而且与石英安瓿内壁结合牢固的碳膜层。采用该工艺镀膜的石英安瓿生长的AgGaS2晶体完整,表面光洁透明,位错密度低,约为6×104cm-2。