电离层拟合方法及路径参数量化分析

针对多层电离层,采用反抛物层作为连接层来描述电离层之间区域的电子密度分布.以电子密度和其相对于高度的一阶偏导数连续为依据,拟合出连接层的临界频率、半厚度和底高等电离层参数.将电离层的准抛物模型和连接层的反抛物模型中计算出来的等离子频率代入Appleton-Hartree公式和Snell定理,结合射线的几何结构完成多层电离层中的射线追踪,同时计算群路径、相路径和传输距离这3种重要的路径参数.分析当给定频率时,路径参数与入射角之间的关系,群路径、相路径与传输距离之间的关系,频率对路径参数之间变化关系的影响;同时分析了给定入射角时,路径参数与射线工作频率之间关系和入射角对于路径参数之间变化关系的影响.     

热处理对Bi超导带材微结构和J_C值的影响

采用粉末装管加工技术（Ｐｏｗｄｅｒ－ｉｎ－ｔｕｂｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）制备出了ＢｉＰｂＳｒＣａＣｕＯ／Ａｇ复合超导带材。研究了热处理对带材微观结构和临界电流密度（Ｊ＿ｃ）的影响。试验表明,合理的热处理温度范围为８４０～８５０℃,冷却速率为５０～１００℃／ｈ。     

密度变化与韧性损伤的关系

通过精密测量相对密度化建立韧性损伤模型,以预测金属塑性加工过程中韧性损伤演化规律和产品质量。本文研究了精密测量微小密度的变化、介绍了测量方法和装置。通过测量相对密度变化对拉伸和扭转过程中韧性损伤演化规律进行了研究。     

低纬100—200km间电子数密度的变化

利用光化平衡模式计算了低纬100—200km间白天电子数密度的变化。求得E-F₁谷区的谷深,谷宽、谷高的变化特征。获得如下结果:a.太阳活动明显影响电子数密度随高度及太阳天顶角的变化,发现太阳活动指数与电子数密度间不仅存在正相关,而且存在负相关;b.太阳活动明显影响E-F₁谷区的形态。在一定太阳活动条件下,对同一太阳赤纬和地理纬度,谷深、谷宽与太阳天顶角的关系难以用一简单函数来表示;c.太阳耀斑、地磁活动对该区电子密度有明显影响;d.在讨论100—200km间电子密度时不能忽略O+（2P）和NO的光电离率。      

一氧化氮对电离层电子密度的影响

本文利用电离层电子密度的理论计算模式,研究了一氧化氮对中、低纬度100-200km间电子密度的影响,发现电子密度与一氧化氮密度间存在着正、负相关。正相关,只有当这一光电离成为一氧化氮离子的主要生成源时才出现。      

受周向扰动的涡环的直接数值模拟

采用作者自己发展的柱坐标系中的谱方法对受周向扰动后的涡环的非线性演变过程以及向湍流转捩的初期行为进行了直接数值模拟。结果表明，在自诱导与整体应变场的作用下涡线逐渐前倾，与z轴成45°角，并逐渐拉伸，扰动增长的结果是小尺度运动以能量级串方式逐渐生长，最终向湍流转捩；与稳定性预测一致，扰动波不沿周向传播。     

湍流等离子体尾迹雷达散射截面的计算及其影响因素分析

针对一阶畸变波Born近似模型,深入分析了湍流内外尺度和电子数密度脉动值对雷达散射截面的影响,并且给出了关于湍流外尺度的一个经验的,能被工程上较好使用的公式.在以上分析的基础上,计算了几种高程条件下再入小钝头锥体等离子尾迹的雷达散射截面,与已有实验结果进行了对比分析.分析和计算结果表明,湍流的外尺度和局部电子数密度值对雷达散射截面值影响较大;湍流内尺度变化的影响不大.     

耐烧蚀、低密度三元乙丙橡胶绝热层的研制

采用过氧化物硫化体系，芳纶纤维和耐烧蚀树脂作为耐烧蚀填料，阻燃剂为无卤的含磷阻燃剂，并通过L9(3^3)正交实验确定了含磷阻燃剂、耐烧蚀树脂、气相二氧化硅的最佳用量分别为25份、15份、15份。确定最佳配方和工艺生产出的三元乙丙橡胶绝热层密度为1．06—1．07g／cm^3，线烧蚀率为0.099mm／s，质量烧蚀率为0．043g／s，满足了某固体火箭发动机燃烧室内壁绝热层的技术要求。     

Comparing Quiet Sun and Coronal Hole Regions with CDS/SOHO

Spectra from the Coronal Diagnostic Spectrometer on board SOHO are used to compare density and temperature in coronal hole and quiet Sun regions. This revised version was published online in June 2006 with corrections to the Cover Date.     

浸渍工艺对先驱体转化制备Cf/SiC复合材料结构与性能的影响

以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体制备了3D-B Cf/SiC复合材料,研究了不同浸渍工艺对材料力学性能的影响.结果表明采用加热加压浸渍可以大大提高先驱体的浸渍效率,提高所制备材料的密度,从而明显提高Cf/SiC复合材料的力学性能.选用加热加压浸渍条件所制备的材料密度达到1.944g/cm3,室温弯曲强度达到662MPa,在1650℃(真空)和1800℃(真空)下测试,材料的弯曲强度分别为647MPa和609MPa.